【PD- 94061开关电源MOSFET应用l高频隔离DC- DC转换器的同步整流对于电信和工业应用l】,IC型号IRFR3711,IRFR3711 PDF资料,IRFR3711经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PD- 94061

开关电源MOSFET

应用

l

高频隔离DC- DC

转换器的同步整流

对于电信和工业应用

l

高频降压转换器的

服务器处理器电源同步FET

l

优化的同步降压

转换器包括电容感应

开启免疫

好处

l

超低栅极阻抗

l

非常低的RDS（on ），在4.5V V

GS

l

充分界定雪崩电压

和电流

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

C

= 25°C

T

J

, T

英镑

IRFR3711

IRFU3711

HEXFET

功率MOSFET

V

DSS

20V

R

DS （ ON）

最大

6.5m

I

D

110A

D- PAK

IRFR3711

I- PAK

IRFU3711

参数

漏源电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

最大功率耗散

最大功率耗散

线性降额因子

结温和存储温度范围

马克斯。

20

± 20

110

69

440

2.5

120

0.96

-55到+ 150

单位

V

V

A

W

W

毫瓦/°C的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

R

θJA

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装）

结到环境

典型值。

–––

–––

–––

马克斯。

1.04

50

110

单位

° C / W

笔记

通过

在第10页

www.irf.com

1

2/7/01

IRFR/U3711

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

分钟。

20

–––

–––

静态漏 - 源极导通电阻

–––

栅极阈值电压

1.0

–––

漏极至源极漏电流

–––

栅 - 源正向漏

–––

栅 - 源反向漏

–––

典型值。

–––

0.022

5.2

6.7

–––

–––

–––

–––

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

6.5

V

GS

= 10V ，我

D

= 15A

m

8.5

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 12A

3.0

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

20

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V

A

100

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

200

V

GS

= 16V

nA

-200

V

GS

= -16V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

符号

g

fs

Q

g

Q

gs

Q

gd

Q

OSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

输出栅极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

53

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

29

7.3

8.9

33

12

220

17

12

2980

1770

280

MAX 。单位

条件

–––

S

V

DS

= 16V ，我

D

= 30A

44

I

D

= 15A

–––

NC V

DS

= 10V

–––

V

GS

= 4.5V

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 10V

–––

V

DD

= 10V

–––

I

D

= 30A

ns

–––

R

G

= 1.8

–––

V

GS

= 4.5V

–––

V

GS

= 0V

–––

pF

V

DS

= 10V

–––

= 1.0MHz的

雪崩特性

符号

E

AS

I

AR

参数

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

典型值。

–––

–––

马克斯。

460

30

单位

mJ

A

二极管的特性

符号

I

S

I

SM

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向

反向

反向

反向

恢复时间

恢复电荷

恢复时间

恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

––– 110

A

–––

0.88

0.82

50

61

48

65

440

1.3

–––

75

92

72

98

V

ns

nC

ns

nC

V

SD

t

rr

Q

rr

t

rr

Q

rr

条件

D

MOSFET符号

展示

G

整体反转

S

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 30A ，V

GS

= 0V

T

J

≤ 125 ° C，I

S

= 30A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 16A ，V

R

=10V

的di / dt = 100A / μs的

T

J

≤ 125 ° C，I

F

= 16A ，V

R

=10V

的di / dt = 100A / μs的

2

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IRFR/U3711

1000

VGS

顶部

15V

10V

4.5V

3.7V

3.5V

3.3V

3.0V

BOTTOM 2.7V

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

4.5V

3.7V

3.5V

3.3V

3.0V

BOTTOM 2.7V

顶部

100

2.7V

2.7V

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

10

0.1

10

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150

°

C

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

2.0

I

D

= 110A

T

J

= 25

°

C

T

J

= 150

°

C

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

100

1.0

0.5

10

2.0

V DS = 25V

20μs的脉冲宽度

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRFR/U3711

10

100000

I

D

=

30A

V

DS

= 16V

V

DS

= 10V

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

gs

DS短路

CRSS = C

gd

COSS = C + Cgd的

ds

8

C，电容（pF ）

10000

6

西塞

科斯

1000

4

CRSS

2

100

1

10

100

0

0

10

20

30

40

50

V DS ，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

10000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

I

SD

，反向漏电流（ A）

100

T

J

= 150

°

C

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

1000

10

100

100sec

1msec

T

J

= 25

°

C

1

10

TC = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

1

1

10

VDS ，漏toSource电压（V ）

100

10msec

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.8

1.4

2.0

2.6

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRFR/U3711

120

V

DS

不限按包

R

D

100

V

GS

R

G

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

80

-

V

DD

V

GS

60

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

40

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

20

0

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度

( °C)

10%

V

GS

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

P

DM

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.001

0.01

0.1

0.01

0.00001

0.0001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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5

IRFR/U3711

开关电源MOSFET

应用

l

高频隔离DC- DC

转换器的同步整流

对于电信和工业应用

l

高频降压转换器的

服务器处理器电源同步FET

l

优化的同步降压

转换器包括电容感应

开启免疫

l

100% R

G

经过测试

好处

l

超低栅极阻抗

l

非常低的RDS（on ），在4.5V V

GS

l

充分界定雪崩电压

和电流

HEXFET

功率MOSFET

V

DSS

20V

R

DS （ ON）

最大

6.5m

I

D

110A

D- PAK

IRFR3711

I- PAK

IRFU3711

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

C

= 25°C

T

J

, T

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

最大

20

± 20

100

440

2.5

120

0.96

-55到+150

单位

V

c

f

69

f

A

W

W / ℃，

°C

最大功率耗散

最大功率耗散

g

线性降额因子

结温和存储温度范围

热阻

符号

R

θJC

R

θJA

R

θJA

参数

结到外壳

h

典型值

最大

1.04

50

110

单位

° C / W

结到环境（印刷电路板安装）

结到环境

h

gh

–––

–––

–––

1 / 10

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IRFR/U3711

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

I

DSS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

民

20

–––

–––

–––

1.0

–––

–––

–––

–––

–––

典型值

–––

0.022

5.2

6.7

–––

–––

–––

–––

–––

–––

最大单位

–––

–––

6.5

8.5

3.0

140

20

100

200

-200

nA

A

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 15A

V

GS

= 4.5V ，我

D

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

m

V

e

= 12A

e

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= 20V, V

GS

= 0V

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

I

GSS

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

符号

g

fs

Q

g

Q

gs

Q

gd

Q

OSS

R

G

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

输出栅极电荷

栅极电阻

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

民

53

–––

–––

–––

–––

0.3

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值

–––

29

7.3

8.9

33

–––

12

220

17

12

2980

1770

280

最大单位

–––

44

–––

–––

–––

2.5

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

pF

ns

V

DD

= 10V

I

D

= 30A

R

G

= 1.8

V

GS

= 4.5V

V

GS

= 0V

V

DS

= 10V

nC

S

I

D

= 15A

V

DS

= 10V

条件

V

DS

= 16V ，我

D

= 30A

V

GS

= 4.5V

V

GS

= 0V, V

DS

= 10V

e

e

= 1.0MHz的

雪崩特性

符号

E

AS

I

AR

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

d

民

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值

–––

–––

最大

460

30

单位

mJ

A

二极管的特性

符号

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

rr

Q

rr

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

典型值

–––

–––

0.88

0.82

50

61

48

65

最大单位

110

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 30A ，V

GS

= 0V

T

J

≤ 125 ° C，I

S

= 30A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 16A ，V

R

= 10V

的di / dt = 100A / μs的

f

A

440

1.3

–––

75

92

72

98

V

ns

nC

ns

nC

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复时间

反向恢复电荷

e

e

e

e

T

J

≤ 125 ° C，I

F

= 16A ，V

R

= 10V

的di / dt = 100A / μs的

2 / 10

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IRFR/U3711

1000

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

顶部

15V

10V

4.5V

3.7V

3.5V

3.3V

3.0V

BOTTOM 2.7V

VGS

15V

10V

4.5V

3.7V

3.5V

3.3V

3.0V

BOTTOM 2.7V

顶部

100

100

2.7V

2.7V

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

10

0.1

10

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150

°

C

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

2.0

T

J

= 25

°

C

T

J

= 150

°

C

100

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 110A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

1.0

0.5

10

2.0

V DS = 25V

20μs的脉冲宽度

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

3 / 10

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IRFR/U3711

100000

10

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

gs

DS短路

CRSS = C

gd

COSS = C + Cgd的

ds

I

D

=

30A

V

DS

= 16V

V

DS

= 10V

8

C，电容（pF ）

10000

西塞

科斯

1000

6

4

CRSS

2

100

1

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

0

0

10

20

30

40

50

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

10000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

I

SD

，反向漏电流（ A）

100

T

J

= 150

°

C

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

1000

10

100

100sec

1msec

T

J

= 25

°

C

1

10

TC = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

1

1

10

VDS ，漏toSource电压（V ）

100

10msec

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.8

1.4

2.0

2.6

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4 / 10

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IRFR/U3711

120

不限按包

100

V

DS

V

GS

R

G

R

D

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

80

-

V

DD

V

GS

60

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

40

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

20

0

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

P

DM

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.001

0.01

0.1

0.01

0.00001

0.0001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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