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PD - 94947A

IRLML6302PbF

第五代技术

超低导通电阻

P沟道MOSFET

SOT-23封装足迹

薄型（ <1.1毫米）

可用磁带和卷轴

快速开关

LEAD -FREE

HEXFET

功率MOSFET

DSS

= -20V

DS （ ON）

= 0.60

描述

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，

结合快速开关速度和加固

设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好

众所周知，为设计者提供了一个非常有效的

和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。

定制的引线框架已被纳入

标准SOT-23封装，以产生一个HEXFET功率

MOSFET具有业界最小尺寸。这

包，被称为MICRO3 ，是理想的应用

其中，印刷电路板空间非常珍贵。低

在MICRO3的个人资料（ <1.1毫米），使其能够方便地安装到

如便携式极薄的应用环境

电子和PCMCIA卡。

Micro3

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ -4.5V

连续漏电流， V

@ -4.5V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

马克斯。

-0.78

-0.62

-4.9

540

4.3

± 12

-5.0

-55到+ 150

单位

毫瓦/°C的

V / ns的

°C

热阻

θJA

最大结点到环境

参数

典型值。

马克斯。

230

单位

° C / W

08/25/05

IRLML6302PbF

电气特性@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

（ BR ） DSS

击穿电压温度。系数

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

-20

-0.70

0.56

典型值。

-4.9

2.4

0.56

1.0

MAX 。单位

条件

= 0V时，我

= -250A

---毫伏/°C基准，以25 ° C，I

= -1mA

0.60

= -4.5V ，我

= -0.61A

0.90

= -2.7V ，我

= -0.31A

-1.5

= V

, I

= -250A

= -10V ，我

= -0.31A

-1.0

= -16V, V

= 0V

-25

= -16V, V

= 0V ，T

= 125°C

-100

= -12V

100

= 12V

3.6

= -0.61A

0.84

NC V

= -16V

1.5

= -4.5V ，参照图6,9

= -10V

= -0.61A

= 6.2

= 16Ω ，见图。 10

= 0V

= -15V

= 1.0MHz的，见图。五

源极 - 漏极额定值和特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

分钟。典型值。马克斯。单位

-0.54

-4.9

-1.2

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

= 25 ° C，I

= -0.61A ，V

= 0V

= 25 ° C，I

= -0.61A

的di / dt = 100A / μs的

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

表面安装在FR- 4电路板，T

≤

5sec.

≤

-0.61A ， di / dt的

≤

76A / μs的，V

≤

（ BR ） DSS

≤

150°C

IRLML6302PbF

VGS

- 7.5V

- 5.0V

- 4.0V

- 3.5V

- 3.0V

- 2.5V

- 2.0V

BOTTOM - 1.5V

顶部

-I D，漏极 - 源极电流（A ）

-ID ，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

- 7.5V

- 5.0V

- 4.0V

- 3.5V

- 3.0V

- 2.5V

- 2.0V

BOTTOM - 1.5V

顶部

0.1

-1.5V

20μs的脉冲宽度

= 150°C

0.1

0.01

0.1

-1.5V

20μs的脉冲宽度

= 25°C

0.01

-VDS ，漏极至源极电压（ V）

-V ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

2.0

-I

，漏极 - 源极电流（A ）

= 25°C

= 150°C

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

= -0.61A

1.5

1.0

0.1

0.5

0.01

1.5

2.0

2.5

3.0

= -10V

20μs的脉冲宽度

3.5

4.0

4.5

0.0

-60

-40

-20

= -4.5V

100 120 140 160

-V

，栅 - 源极电压（ V）

，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

IRLML6302PbF

180

160

140

-V

，栅 - 源极电压（ V）

国际空间站

= 0V,

F = 1MHz的

国际空间站

= C

+ C

, C

短

RSS

= C

OSS

= C

+ C

= -0.61A

= -16V

C，电容（pF ）

120

100

OSS

RSS

100

0.0

测试电路

参见图9

1.0

2.0

3.0

4.0

-V

，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

-I

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

-I

，漏电流（ A）

100s

= 150°C

= 25°C

0.1

1ms

10ms

0.01

0.4

0.6

0.8

1.0

= 0V

1.2

1.4

0.1

= 25°C

= 150°C

单脉冲

100

-V

，源极到漏极电压（V ）

-V

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

IRLML6302PbF

-4.5V

收费

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

图9A 。

基本栅极电荷波形

电流调节器

同类型D.U.T.

图10A 。

开关时间测试电路

50K

12V

.2F

.3F

90%

-3mA

电流采样电阻器

图9b所示。

栅极电荷测试电路

1000

热响应（Z

thJA

)

100

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJA

+ T

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

0.1

0.00001

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

D.U.T.

10%

D（上）

D（关闭）

图10B 。

开关时间波形

，矩形脉冲持续时间（秒）

D.U.T.

产品speci fi cation

IRLML6302PbF

第五代技术

超低导通电阻

P沟道MOSFET

SOT-23封装足迹

薄型（ <1.1毫米）

可用磁带和卷轴

快速开关

LEAD -FREE

HEXFET

功率MOSFET

DSS

= -20V

DS （ ON）

= 0.60

描述

国际整流器第五代HEXFETs

利用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，

结合快速开关速度和加固

设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好

众所周知，为设计者提供了一个非常有效的

和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。

定制的引线框架已被纳入

标准SOT-23封装，以产生一个HEXFET功率

MOSFET具有业界最小尺寸。这

包，被称为MICRO3 ，是理想的应用

其中，印刷电路板空间非常珍贵。该

在MICRO3的低调（ <1.1毫米），使其能够方便地安装到

如便携式极薄的应用环境

电子和PCMCIA卡。

Micro3

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ -4.5V

连续漏电流， V

@ -4.5V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

马克斯。

-0.78

-0.62

-4.9

540

4.3

± 12

-5.0

-55到+ 150

单位

毫瓦/°C的

V / ns的

°C

热阻

θJA

最大结点到环境

参数

典型值。

马克斯。

230

单位

° C / W

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

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产品speci fi cation

IRLML6302PbF

电气特性@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

（ BR ） DSS

击穿电压温度。系数

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

-20

-0.70

0.56

典型值。

-4.9

2.4

0.56

1.0

MAX 。单位

条件

= 0V时，我

= -250A

---毫伏/°C基准，以25 ° C，I

= -1mA

0.60

= -4.5V ，我

= -0.61A

0.90

= -2.7V ，我

= -0.31A

-1.5

= V

, I

= -250A

= -10V ，我

= -0.31A

-1.0

= -16V, V

= 0V

-25

= -16V, V

= 0V ，T

= 125°C

-100

= -12V

100

= 12V

3.6

= -0.61A

0.84

NC V

= -16V

1.5

= -4.5V ，参照图6,9

= -10V

= -0.61A

= 6.2

= 16Ω ，见图。 10

= 0V

= -15V

= 1.0MHz的，见图。五

源极 - 漏极额定值和特性

注意事项：

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

-0.54

–––

-4.9

-1.2

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

= 25 ° C，I

= -0.61A ，V

= 0V

= 25 ° C，I

= -0.61A

的di / dt = -100A / μs的

重复评价;脉冲宽度

受到最大。结温。（参见图11）

≤

-0.61A ， di / dt的

≤

76A / μs的，V

≤V

（ BR ） DSS

≤

150°C

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

表面安装在FR- 4电路板，T

≤

5sec.

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

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