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先进的工艺技术
表面贴装（ IRFZ44NS ）
通孔低调（ IRFZ44NL ）
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
LEAD -FREE
G
IRFZ44NSPbF
IRFZ44NLPbF
D
PD - 95124
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 0.0175
I
D
= 49A
S
描述
整流器采用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和加固
设备的设计， HEXFET功率MOSFET是众所周知
为，为设计者提供了一个非常有效和
可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高
功率能力和尽可能低的导通电阻
任何现有的表面贴装封装。对D
2
朴适用
为，由于其低的内高电流的应用
连接性和功耗最高2.0W的
典型的表面贴装应用。
通孔版（ IRFZ44NL ）可用于低
配置文件的应用程序。
先进的HEXFET
从国际的功率MOSFET
D 2白
TO-262
绝对最大额定值
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
49
35
160
3.8
94
0.63
± 20
25
9.4
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W
W / ℃，
V
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境
典型值。
–––
–––
马克斯。
1.5
40
单位
° C / W
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1
3/18/04
IRFZ44NS/LPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
g
fs
正向跨导
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
E
AS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
单脉冲雪崩能量
分钟。
55
–––
–––
2.0
19
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
17.5毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 25A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 25A
25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
63
I
D
= 25A
14
NC V
DS
= 44V
23
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 28V
–––
I
D
= 25A
ns
–––
R
G
= 12
–––
V
GS
= 10V ，参照图10
–––
nH的铅之间，
而中心的模具接触
1470 –––
V
GS
= 0V
360 –––
V
DS
= 25V
88 –––
pF的 = 1.0MHz的，见图。五
530 ？ 150 ？兆焦耳我
AS
= 25A ，L = 0.47mH
典型值。
–––
0.058
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
12
60
44
45
7.5
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
49
––– –––
展示
A
G
整体反转
––– ––– 160
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 25A ，V
GS
= 0V
––– 63
95
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 25A
––– 170 260
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.48mH
最大。结温。 （参见图11）
I
SD
≤
25A ， di / dt的
≤
230A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
R
G
= 25, I
AS
= 25A 。 （参见图12）
T
J
≤
175°C
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
这是在破坏设备的典型值，代表
操作之外的额定范围。
这是限定至T的计算值
J
= 175°C .
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
2
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