【PD - 93757CIRLML2502HEXFET功率MOSFETllllll超低导通电阻N沟道M】,IC型号IRLML2502,IRLML2502 PDF资料,IRLML2502经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 93757C

IRLML2502

HEXFET

功率MOSFET

l

超低导通电阻

N沟道MOSFET

SOT-23封装足迹

薄型（ <1.1毫米）

可用磁带和卷轴

快速开关

G 1

3 D

S

2

V

DSS

= 20V

R

DS （ ON）

= 0.045

描述

国际整流器这些N沟道MOSFET

利用先进的加工技术，以实现极

低导通电阻每硅片面积。这样做的好处，结合

随着开关速度快和坚固耐用的设备的设计

这HEXFET

功率MOSFET是众所周知的，提供了

设计师用一个非常有效和可靠的设备

在电池和负载管理中使用。

增强型散热垫大的引线框架已

纳入标准SOT-23封装，以产生

一个HEXFET功率MOSFET，具有业界最小的

足迹。这个包，被称为MICRO3 ，是理想的

应用印刷电路板空间受限的

溢价。该MICRO3的低调（ <1.1毫米）允许它

很容易在极瘦的应用环境

例如便携式电子设备和PCMCIA卡。热

电阻和功耗都是最好的。

Micro3

绝对最大额定值

参数

V

DS

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

A

= 70°C

V

GS

T

J,

T

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

GS

@ 4.5V

连续漏电流， V

GS

@ 4.5V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

20

4.2

3.4

33

1.25

0.8

0.01

± 12

-55到+ 150

单位

V

A

W

W / ℃，

V

°C

热阻

参数

R

θJA

最大结点到环境？

典型值。

75

马克斯。

100

单位

° C / W

www.irf.com

1

04/30/03

IRLML2502

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

分钟。

20

–––

0.60

5.8

–––

典型值。

–––

0.01

0.035

0.050

–––

8.0

1.8

1.7

7.5

10

54

26

740

90

66

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

0.045

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 4.2A

0.080

V

GS

= 2.5V ，我

D

= 3.6A

1.2

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 10V ，我

D

= 4.0A

1.0

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V

A

25

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V ，T

J

= 70°C

-100

V

GS

= -12V

nA

100

V

GS

= 12V

12

I

D

= 4.0A

2.7

nC

V

DS

= 10V

2.6

V

GS

= 5.0V

–––

V

DD

= 10V

–––

I

D

= 1.0A

ns

–––

R

G

= 6

–––

R

D

= 10

–––

V

GS

= 0V

–––

pF

V

DS

= 15V

–––

= 1.0MHz的

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

16

8.6

1.3

A

33

1.2

24

13

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

G

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 1.3A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 1.3A

的di / dt = 100A / μs的

D

S

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

表面安装在FR- 4电路板，T

≤

5sec.

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

2

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IRLML2502

100

VGS

7.00V

5.00V

4.50V

3.50V

3.00V

2.70V

2.50V

BOTTOM 2.25V

顶部

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

2.25V

10

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

7.00V

5.00V

4.50V

3.50V

3.00V

2.70V

2.50V

BOTTOM 2.25V

顶部

2.25V

10

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150

°

C

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.0

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 4.0A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

T

J

= 25

°

C

1.0

T

J

= 150

°

C

0.5

10

2.0

V DS = 15V

20μs的脉冲宽度

2.4

2.8

3.2

3.6

4.0

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 4.5V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRLML2502

1200

1000

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

10

I

D

=

4.0A

V

DS

= 10V

8

C，电容（pF ）

800

西塞

6

600

4

400

200

2

0

1

科斯

CRSS

10

100

0

4

8

12

16

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

10

T

J

= 150

°

C

I

D

，漏电流（ A）

100

10us

10

100us

1ms

1

10ms

1

T

J

= 25

°

C

0.1

0.4

V

GS

= 0 V

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

0.1

T

A

= 25 ° C

T

J

= 150 ° C

单脉冲

1

10

100

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRLML2502

4.0

I

D

，漏电流（ A）

3.0

2.0

1.0

0.0

25

50

75

100

125

150

T

C

，外壳温度（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

1000

热响应（Z

thJA

)

100

D = 0.50

0.20

10

0.10

0.05

0.02

0.01

1

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJA

+ T

A

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

P

DM

t

1

t

2

0.1

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图10 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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5

SMD型

IC

MOSFET

产品speci fi cation

IRLML2502

SOT-23

单位：mm

■

特点

●

超低导通电阻

+0.1

2.4

-0.1

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

●

快速切换。

1

2

+0.1

1.3

-0.1

●

N沟道MOSFET

0.95

+0.1

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

0.55

0.4

3

+0.05

0.1

-0.01

0.97

1.Base

+0.1

-0.1

1.Gate

+0.1

0.38

-0.1

0-0.1

2.Emitter

2.Soruce

3.Drain

3.collector

■

绝对最大额定值TA = 25 ℃

参数

漏源电压

栅极 - 源极电压

连续漏CURENT ， @ V

GS =

4.5V,T

A

=25℃

连续漏CURENT ， @ V

GS =

4.5V,T

A

=70℃

漏电流脉冲* 1

功耗

@ T

A

=25℃

I

DM

P

D

R

θJA

T

J

,T

英镑

符号

V

DS

V

GS

I

D

等级

20

±12

4.2

3.4

33

1.25

100

-55到+150

单位

V

A

W

℃/W

℃

热阻， Junction-到环境

结温和存储温度范围

* 1.Reptitive评价：脉冲宽度有限的max.junction温度。

*2.I

SD

≤

0.93A,d

i

/d

t

≤

90A/μs,V

DD

≤V

（ BR ） DSS

,T

J

≤150℃

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1 2

SMD型

IC

MOSFET

产品speci fi cation

IRLML2502

■

电气特性TA = 25 ℃

参数

漏源击穿电压

栅极 - 源极漏电流

栅源leadage

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

反向恢复时间

反向恢复电荷

连续源电流

脉冲电流源* 1

二极管的正向电压

* 2脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%

符号

V

DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

rr

Q

rr

I

S

I

SM

V

SD

T

J

=25℃, I

F

=1.3 A,

的di / dt = 100 A / μs的* 2

MOSFET symbo

升展示

整体反转

P-N结二极管

T

J

=25℃,V

GS

= 0 V，I

S

= 1.3 A *2

R

D

= 10Ω,R

G

= 6Ω

V

DD

= 10 V，I

D

= 1A,

V

DS

=10V ,V

GS

= 5 V，I

D

= 4 A

测试Conditons

I

D

= 250

μA,

V

GS

= 0V

V

DS

= 16 V, V

GS

= 0V

V

DS

= 16 V, V

GS

= 0V ，T

J

=125℃

V

GS

=±12V,V

DS

=0V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250

μA

I

D

= 4.2A ，V

GS

= 4.5V

I

D

= 3.6A ，V

GS

=2.5V

V

DS

= 10 V，I

D

= 4 A

V

DS

= 15V,

V

GS

= 0 V,

F = 1MHz的

5.8

745

93

67

2.6

0.41

1.1

7.5

10

54

26

24

13

1.3

A

33

1.2

V

ns

nC

ns

3.9

0.62

1.7

nC

pF

0.6

民

20

1

25

±100

1.2

47

83

nA

V

mΩ

S

典型值

最大

单位

V

μA

* 1重复评价;脉冲宽度有限的max.junction温度。

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4008-318-123

2 2