PD - 95596
IRLI3615PbF
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
l
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
全额定雪崩
LEAD -FREE
D
V
DSS
= 150V
G
S
R
DS （ ON）
= 0.085
I
D
= 14A
描述
国际整流器第五代HEXFETs利用先进
加工技术，以实现极低的导通电阻每硅片面积。
这样做的好处，结合快速开关速度和加固装置
设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，提供了
设计师用在各种各样的非常有效和可靠的装置，用于使用
的应用程序。
在TO-220 FULLPAK省去了在附加的绝缘硬件
商业工业应用。所使用的模制化合物提供了一个
高隔离能力和标签之间的低热阻和
外部散热器。这种隔离是相当于使用100微米云母阻挡
与标准的TO -220的产品。该FULLPAK安装到使用的带散热片
单个片段或由单个螺钉固定。
的TO-220 FULLP
AK
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
14
9.8
56
45
0.30
±16
340
8.4
4.5
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境
典型值。
–––
–––
马克斯。
3.3
65
单位
° C / W
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1
07/23/04
IRLI3615PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
150 ––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- 0.18 --- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
––– ––– 0.085
V
GS
= 10V ，我
D
= 8.4A
––– ––– 0.095
V
GS
= 5.0V ，我
D
= 8.4A
1.0
––– 2.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
14
––– –––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 8.4A
––– ––– 25
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
A
––– ––– 250
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– ––– 100
V
GS
= 16V
nA
––– ––– -100
V
GS
= -16V
––– ––– 140
I
D
= 8.4A
––– ––– 9.5
NC V
DS
= 120V
––– ––– 53
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
8.3 –––
V
DD
= 75V
–––
20 –––
I
D
= 8.4A
ns
––– 110 –––
R
G
= 6.2, V
GS
= 10V
–––
53 –––
R
D
= 8.9Ω ，参照图10
铅之间，
4.5
6毫米（0.25英寸）。
nH
从包
––– 7.5 –––
G
而中心的模具接触
––– 1600 –––
V
GS
= 0V
––– 290 –––
pF
V
DS
= 25V
––– 150 –––
= 1.0MHz的，见图。五
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 14
展示
A
G
整体反转
56
––– –––
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 8.4A ，V
GS
= 0V
––– 180 270
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 8.4A
--- 1130 1700 NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
起始物为
J
= 25℃时，L = 9.5mH
R
G
= 25, I
AS
= 8.4A 。 （参见图12）
I
SD
≤
8.4A ， di / dt的
≤
510A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
基于最大允许Caculated连续电流
结温;推荐电流处理的
包参考设计提示＃ 93-4 。
2
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IRLI3615PbF
100
VGS
15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 2.7V
顶部
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
3.5V
BOTTOM 2.7V
顶部
10
10
2.7V
2.7V
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
3.5
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 25
°
C
T
J
= 175
°
C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 14A
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-60 -40 -20 0
10
1
2.0
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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