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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第478页 > IXFK20N80Q
先进的技术信息
HiPerFET
TM
功率MOSFET
Q系列
N沟道增强模式
额定雪崩，
低Q
g
，高dv / dt
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
安装力矩
TO-247
TO-268
TO-264
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
IXFH20N80Q V
DSS
= 800 V
IXFK20N80Q我
D25
=
20 A
IXFT20N80Q
DS （ ON）
= 0.42
W
t
rr
250纳秒
最大额定值
800
800
±20
±30
20
80
20
45
1.5
5
360
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
TO-247
TO-264
1.13/10
0.9/6
6
4
10
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
AD TO- 247 （ IXFH ）
（ TAB ）
的TO- 268 （ D3）， （ IXFT ）
G
S
TO- 264 AA （ IXFK ）
W
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
纳米/ lb.in 。
g
g
g
G =门
S =源
G
D
S
D（ TAB ）
TAB =漏
特点
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
800
2.5
4.5
±200
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
25
1
0.42
V
V
nA
mA
mA
W
IXYS先进的低Q
g
过程
国际标准封装
环氧符合UL 94 V - 0可燃性
分类
低R
DS （ ON）
低Q
g
雪崩能量和额定电流
快速内在整流器
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
98616 (4/99)
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-2
IXFH20N80Q IXFK20N80Q
IXFT20N80Q
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
11
19
5100
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
500
170
28
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1.5
W
（外部）
27
74
14
150
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
34
80
0.35
TO-247
TO-264
0.25
0.15
200
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
K / W
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
1.5 2.49
TO- 264 AA （ IXFK ）大纲
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
F
= I
S
-di / DT = 100 A / MS ，V
R
= 100 V
1
9
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
20
80
1.5
250
A
A
V
ns
mC
A
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
BSC
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
TO- 268AA （ IXFT ） （D
3
PAK ）
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
分钟。推荐足迹
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
先进的技术信息
HiPerFET
TM
功率MOSFET
Q系列
N沟道增强模式
额定雪崩，
低Q
g
，高dv / dt
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米（以0.063 ）
安装力矩
TO-247
TO-268
TO-264
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
IXFH20N80Q V
DSS
= 800 V
IXFK20N80Q我
D25
=
20 A
IXFT20N80Q
DS （ ON）
= 0.42
W
t
rr
250纳秒
最大额定值
800
800
±20
±30
20
80
20
45
1.5
5
360
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
TO-247
TO-264
1.13/10
0.9/6
6
4
10
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
AD TO- 247 （ IXFH ）
（ TAB ）
的TO- 268 （ D3）， （ IXFT ）
G
S
TO- 264 AA （ IXFK ）
W
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
纳米/ lb.in 。
g
g
g
G =门
S =源
G
D
S
D（ TAB ）
TAB =漏
特点
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
800
2.5
4.5
±200
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
25
1
0.42
V
V
nA
mA
mA
W
IXYS先进的低Q
g
过程
国际标准封装
环氧符合UL 94 V - 0可燃性
分类
低R
DS （ ON）
低Q
g
雪崩能量和额定电流
快速内在整流器
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
98616 (4/99)
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-2
IXFH20N80Q IXFK20N80Q
IXFT20N80Q
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
11
19
5100
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
500
170
28
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1.5
W
（外部）
27
74
14
150
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
34
80
0.35
TO-247
TO-264
0.25
0.15
200
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
K / W
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
1.5 2.49
TO- 264 AA （ IXFK ）大纲
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
F
= I
S
-di / DT = 100 A / MS ，V
R
= 100 V
1
9
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。
典型值。马克斯。
20
80
1.5
250
A
A
V
ns
mC
A
DIM 。
A
A1
A2
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b2
c
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P
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Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
2.54
2.00
1.12
2.39
2.90
0.53
25.91
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
8.38
3.81
1.78
6.04
1.57
5.13
2.89
2.10
1.42
2.69
3.09
0.83
26.16
19.96
BSC
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
8.69
4.32
2.29
6.30
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
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TO- 268AA （ IXFT ） （D
3
PAK ）
DIM 。
A
A
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2
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2
C
D
E
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L1
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L4
毫米
分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
分钟。推荐足迹
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-2
查看更多IXFK20N80QPDF信息
推荐型号
IC51-0524-411-1
IRKHF81-02FN
IM-10-31
IXFH12N100Q
IXGK35N120BD1
IDC5Q
IDT71502S25P
IS62LV2568LL-85H
IDT71V25781S200BQ
IRKHF101-06CK
IDT74FCT377TSO
IRLI3615PBF
IDT72V201L20PFI
IRFP152FI
ISL55291
ISL9012IRJBZ-T
IDT54FCT16H501ATPV
ISL70218SRHMEVAL1Z
IXTK180N15P
IN74LV32D
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