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PD - 95582

应用

l

高频率同步降压

转换为计算机处理器电源

l

LEAD -FREE

HEXFET

功率MOSFET

IRL8113PbF

IRL8113SPbF

IRL8113LPbF

V

DSS

R

DS （ ON）

最大的Qg （典型值）。

30V

6.0m

:

23nC

好处

l

低R

DS （ ON）

在4.5V V

GS

l

低栅电荷

l

充分界定雪崩电压

和电流

TO-220AB

IRL8113

D

2

PAK

IRL8113S

TO-262

IRL8113L

绝对最大额定值

参数

V

DS

V

GS

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

P

D

@T

C

= 100°C

T

J

T

英镑

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

马克斯。

30

105

单位

V

A

c

h

74

h

420

110

57

± 20

最大功率耗散

最大功率耗散

线性降额因子

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3螺丝

W

0.76

-55 + 175

W / ℃，

°C

f

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅的（ 1.1N M）

y

y

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

R

θJA

结到外壳

i

典型值。

马克斯。

1.32

–––

62

40

单位

° C / W

外壳到散热器，平板油脂润滑表面

结到环境

fi

f

–––

0.50

–––

–––

结到环境（印刷电路板安装）

gi

笔记

通过

12页

www.irf.com

1

07/20/04

IRL8113/S/LPbF

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

BV

DSS

ΒV

DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/T

J

I

DSS

I

GSS

政府飞行服务队

Q

g

Q

gs1

Q

gs2

Q

gd

Q

godr

Q

sw

Q

OSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

预Vth的栅极 - 源极充电

后Vth的栅极至源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅极电荷过载

切换电荷（Q

gs2

+ Q

gd

)

输出充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。典型值。马克斯。单位

30

–––

–––

–––

1.35

–––

–––

–––

–––

–––

86

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

-5.0

–––

–––

–––

–––

–––

23

6.0

2.0

8.3

6.7

10

14

14

38

18

5.0

2840

620

290

–––

0.020

4.8

5.7

–––

–––

6.0

7.1

2.25

–––

1.0

150

100

-100

–––

35

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

pF

V

GS

= 0V

V

DS

= 15V

ns

nC

nC

V

DS

= 15V

V

GS

= 4.5V

I

D

= 17A

S

nA

V

毫伏/°C的

A

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

V / ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 21A

V

GS

= 4.5V ，我

D

e

= 17A

e

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -20V

V

DS

= 15V ，我

D

= 17A

参照图16

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V

V

DD

= 15V, V

GS

= 4.5V

I

D

= 17A

钳位感性负载

e

= 1.0MHz的

雪崩特性

E

AS

I

AR

E

AR

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

d

典型值。

–––

–––

–––

马克斯。

220

17

11

单位

mJ

A

mJ

重复性雪崩能量

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

18

7.2

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

105

h

条件

MOSFET符号

D

A

420

1.0

27

11

V

ns

nC

展示

整体反转

G

S

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 17A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 17A ，V

DD

= 15V

的di / dt = 100A / μs的

e

e

2

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IRL8113/S/LPbF

1000

顶部

VGS

10V

9.0V

7.0V

5.0V

4.5V

4.0V

3.5V

3.0V

1000

顶部

VGS

10V

9.0V

7.0V

5.0V

4.5V

4.0V

3.5V

3.0V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

底部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

底部

100

100

3.0V

3.0V

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 25°C

10

0.1

1

10

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 175℃

10

0.1

1

10

VDS ，漏极至源极电压（ V）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

2.0

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

ID ，漏 - 源电流

(Α)

ID = 42A

VGS = 10V

100

1.5

T J = 175℃

10

T J = 25°C

1.0

VDS = 10V

≤

在60μs脉冲宽度

1

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

0.5

-60 -40 -20

0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T J ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRL8113/S/LPbF

100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS = C DS + C GD

12

ID = 17A

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

10

8

6

4

2

0

VDS = 24V

VDS = 15V

C，电容（pF ）

10000

西塞

1000

科斯

CRSS

100

1

10

100

0

10

20

30

40

50

60

VDS ，漏极至源极电压（ V）

QG总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

10000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

1000

100.0

T J = 175℃

100

100sec

10.0

10

1.0

T J = 25°C

VGS = 0V

1

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

0.1

1.0

10.0

1msec

10msec

100.0

0.1

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

VSD ，源极到漏极电压（V ）

0.1

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRL8113/S/LPbF

120

不限按包

100

ID ，漏电流（ A）

2.5

VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）

2.0

80

60

40

20

0

25

50

75

100

125

150

175

T C ，外壳温度（ ° C）

1.5

ID = 250μA

1.0

0.5

-75 -50 -25

0

25

50

75

100 125 150 175

T J ，温度（° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

阈值电压与温度的关系

1

热响应（Z thJC ）

D = 0.50

0.1

0.20

0.10

0.05

R

1

R

1

τ

J

τ

1

τ

2

R

2

R

2

R

3

R

3

τ

3

τ

C

τ

τ

3

0.01

0.02

0.01

τ

J

RI（ ° C / W）

τi

（秒）

0.430

0.000266

0.397

0.493

0.000685

0.007393

τ

1

τ

2

0.001

CI-

τi /日

CI-

τi /日

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.0001

1E-006

1E-005

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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5

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0.1

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