【以前的数据表指数下一页数据表PD -9.1218IRL620SHEXFET功率MOSFET表面贴装可】,IC型号IRL620S,IRL620S PDF资料,IRL620S经销商,ic,电子元器件-51电子网

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指数

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PD -9.1218

IRL620S

HEXFET

功率MOSFET

表面贴装

可在磁带卷&

动态的dv / dt额定值

额定重复性雪崩

逻辑电平栅极驱动

DS （ ON）

在V指定

= 4V & 5V

快速开关

描述

国际整流器第三代HEXFETs提供设计师

与快速切换的最佳组合，坚固耐用的设备设计，低导通

性和成本效益。

在SMD -220能够适应模具的表面贴装功率封装

尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高的功率输出能力和尽可能低的

导通电阻在任何现有的表面贴装封装。在SMD -220适用于

因为它的低的内部连接电阻和能的高电流的应用

耗散高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。

DSS

= 200V

DS （ ON）

= 0.80

= 5.2A

SMD-220

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

连续漏电流， V

@ 5.0 V

连续漏电流， V

@ 5.0 V

漏电流脉冲

功耗

功耗（ PCB安装） **

线性降额因子

线性降额因子（ PCB安装） **

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

5.2

3.3

3.1

0.40

0.025

±10

125

5.2

5.0

-55到+ 150

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

dv / dt的

英镑

热阻

参数

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） **

结到环境

分钟。

—

典型值。

—

马克斯。

2.5

单位

° C / W

**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。对于推荐的足迹和焊接技术，请参阅

应用笔记AN -994 。

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IRL620S

电气特性@ T = 25°C （除非另有说明）

（ BR ） DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

国际空间站

OSS

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。典型值。马克斯。单位条件

200

—

= 0V ，ID = 250μA

— 0.27 —

V / ℃参考至25℃ ，我

= 1毫安

—

— 0.80

= 10.0V ，我

= 3.1A

—

1.0

= 4.0V ，我

= 2.6A

1.0

—

2.0

= V

, I

= 250A

1.2

—

= 50V ，我

= 3.1A

—

= 200V, V

= 0V

—

— 250

= 320V, V

= 0V ，T

= 125°C

—

— 100

= 10V

—

— -100

= -10V

—

= 5.2A

—

2.9

NC V

= 160V

—

9.6

= 5.0V ，见图。 6和13

—

4.2

—

= 100V

—

= 5.2A

—

= 9.0

—

= 20Ω ，见图。 10

—

4.5

—

铅之间，

6毫米（0.25英寸）。

—

7.5

—

从包

和中心

模具接触

— 360

—

= 0V

—

= 25V

—

= 1.0MHz的，见图。五

源极 - 漏极额定值和特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位条件

MOSFET符号

—

5.2

展示

整体反转

—

p-n结二极管。

—

1.8

= 25 ° C，I

= 5.2A ，V

= 0V

— 180 270

= 25 ° C，I

= 5.2A

—

1.1 1.7

μC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

)

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

≤

5.2A ， di / dt的

≤

95A / μs的，V

≤

（ BR ） DSS

≤

150°C

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

= 50V ，起始物为

= 25℃时，L = 6.9mH

= 25, I

= 5.2A 。（参见图12）

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指数

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IRL620S

，漏极电流（ AMPS ）

图1 。

典型的输出特性，

= 25

，漏极电流（ AMPS ）

图2 。

典型的输出特性，

= 150

图3 。

典型的传输特性

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

，漏极电流（ AMPS ）

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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指数

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IRL620s

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

，栅极至源极电压（伏）

电容（pF）

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

，反向漏电流（安培）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

，漏极电流（ AMPS ）

图8 。

最大安全工作区

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指数

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IRL620S

，漏极电流（ AMPS ）

图10A 。

开关时间测试电路

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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PD -9.1218

IRL620S

HEXFET

功率MOSFET

表面贴装

可在磁带卷&

动态的dv / dt额定值

额定重复性雪崩

逻辑电平栅极驱动

DS （ ON）

在V指定

= 4V & 5V

快速开关

描述

国际整流器第三代HEXFETs提供设计师

与快速切换的最佳组合，坚固耐用的设备设计，低导通

性和成本效益。

在SMD -220能够适应模具的表面贴装功率封装

尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高的功率输出能力和尽可能低的

导通电阻在任何现有的表面贴装封装。在SMD -220适用于

因为它的低的内部连接电阻和能的高电流的应用

耗散高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。

DSS

= 200V

DS （ ON）

= 0.80

= 5.2A

SMD-220

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

连续漏电流， V

@ 5.0 V

连续漏电流， V

@ 5.0 V

漏电流脉冲

功耗

功耗（ PCB安装） **

线性降额因子

线性降额因子（ PCB安装） **

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

结温和存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

5.2

3.3

3.1

0.40

0.025

±10

125

5.2

5.0

-55到+ 150

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

dv / dt的

英镑

热阻

参数

结到外壳

结到环境（印刷电路板安装） **

结到环境

分钟。

—

典型值。

—

马克斯。

2.5

单位

° C / W

**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。对于推荐的足迹和焊接技术，请参阅

应用笔记AN -994 。

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指数

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IRL620S

电气特性@ T = 25°C （除非另有说明）

（ BR ） DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

国际空间站

OSS

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。典型值。马克斯。单位条件

200

—

= 0V ，ID = 250μA

— 0.27 —

V / ℃参考至25℃ ，我

= 1毫安

—

— 0.80

= 10.0V ，我

= 3.1A

—

1.0

= 4.0V ，我

= 2.6A

1.0

—

2.0

= V

, I

= 250A

1.2

—

= 50V ，我

= 3.1A

—

= 200V, V

= 0V

—

— 250

= 320V, V

= 0V ，T

= 125°C

—

— 100

= 10V

—

— -100

= -10V

—

= 5.2A

—

2.9

NC V

= 160V

—

9.6

= 5.0V ，见图。 6和13

—

4.2

—

= 100V

—

= 5.2A

—

= 9.0

—

= 20Ω ，见图。 10

—

4.5

—

铅之间，

6毫米（0.25英寸）。

—

7.5

—

从包

和中心

模具接触

— 360

—

= 0V

—

= 25V

—

= 1.0MHz的，见图。五

源极 - 漏极额定值和特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位条件

MOSFET符号

—

5.2

展示

整体反转

—

p-n结二极管。

—

1.8

= 25 ° C，I

= 5.2A ，V

= 0V

— 180 270

= 25 ° C，I

= 5.2A

—

1.1 1.7

μC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

)

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

≤

5.2A ， di / dt的

≤

95A / μs的，V

≤

（ BR ） DSS

≤

150°C

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

= 50V ，起始物为

= 25℃时，L = 6.9mH

= 25, I

= 5.2A 。（参见图12）

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IRL620S

，漏极电流（ AMPS ）

图1 。

典型的输出特性，

= 25

，漏极电流（ AMPS ）

图2 。

典型的输出特性，

= 150

图3 。

典型的传输特性

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

，漏极电流（ AMPS ）

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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IRL620s

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

，栅极至源极电压（伏）

电容（pF）

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

，反向漏电流（安培）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

，漏极电流（ AMPS ）

图8 。

最大安全工作区

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IRL620S

，漏极电流（ AMPS ）

图10A 。

开关时间测试电路

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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