【PD - 94364EHEXFET功率MOSFETlIRF6603QG （典型值）。48nC专用的M】,IC型号IRF6603,IRF6603 PDF资料,IRF6603经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 94364E

HEXFET

功率MOSFET

l

IRF6603

QG （典型值）。

48nC

专用的MOSFET

l

理想的CPU内核的DC -DC转换器

l

低传导损耗

l

高与Cdv / dt抗扰性

l

薄型（ <0.7毫米）

l

双面冷却兼容

l

兼容现有的表面贴装

技术

V

DSS

30V

R

DS （ ON）

最大

3.4m@V

GS

= 10V

5.5m@V

GS

= 4.5V

MT

MX

MT

的DirectFET ？等距

适用的DirectFET外形及其基材纲要（见p.9,10了解详情）

SQ

SX

ST

MQ

描述

该IRF6603结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET

TM

包装以实现

最低的通态电阻，在此有一个SO-8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装兼容

在功率应用中使用的现有布局的几何形状，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流焊接

技术，当应用笔记AN- 1035之后就制造方法和工艺。 DirectFET封装

允许双面冷却，最大限度地电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。

该IRF6603平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了导通和

开关损耗。减小的总损耗，使这种产品适合于高效率的DC- DC转换器供电的最新一代

处理器工作在更高的频率。该IRF6603进行了优化是在同步降压关键参数

转换器包括的Rds（on ），栅极电荷和与Cdv / dt的诱导开启免疫力。该IRF6603提供特别低的RDS（ON）和高与Cdv /

dt抗扰性的同步FET应用。

绝对最大额定值

参数

V

DS

V

GS

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

A

= 70°C

P

D

@T

C

= 25°C

T

J

T

英镑

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

马克斯。

30

+20/-12

92

27

22

200

3.6

2.3

42

0.029

-40 + 150

单位

V

A

g

功耗

g

功耗

c

W

W / ℃，

°C

线性降额因子

工作结

存储温度范围

热阻

R

θJA

R

θJA

R

θJA

R

θJC

R

θJ -PCB

fj

结到环境

gj

结到环境

hj

结到外壳

ij

结到环境

参数

典型值。

–––

12.5

20

–––

1.0

马克斯。

35

–––

3.0

–––

单位

° C / W

结到PCB安装

笔记

通过

在第11页

www.irf.com

1

4/8/04

IRF6603

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

BV

DSS

ΒV

DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/ ΔTJ

I

DSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

分钟。典型值。马克斯。单位

30

–––

1.4

–––

28

2.4

3.9

–––

-6.3

–––

48

15.6

5.2

16.1

11.1

21.3

28

1.0

20

9.9

24

71

6590

1250

520

–––

3.4

5.5

2.5

–––

30

50

100

-100

–––

72

–––

2.0

–––

pF

V

GS

= 0V

V

DS

= 15V

ns

nC

V

DS

= 15V

V

GS

= 4.5V

I

D

= 20A

S

nA

V

毫伏/°C的

A

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

毫伏/ ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 25A

V

GS

= 4.5V ，我

D

e

= 20A

e

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V

V

DS

= 30V, V

GS

= 0V

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 70°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -12V

V

DS

= 15V ，我

D

= 20A

I

GSS

政府飞行服务队

Q

g

Q

gs1

Q

gs2

Q

gd

Q

godr

Q

sw

Q

OSS

R

G

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

预Vth的栅极 - 源极充电

后Vth的栅极至源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅极电荷过载

切换电荷（Q

gs2

+ Q

gd

)

输出充电

栅极电阻

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

–––

56

–––

参照图16

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V

V

DD

= 15V, V

GS

= 4.5V

I

D

= 20A

钳位感性负载

e

= 1.0MHz的

雪崩特性

E

AS

I

AR

E

AR

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

d

典型值。

–––

马克斯。

49

20

4.1

单位

mJ

A

mJ

重复性雪崩能量

–––

1.0

45

60

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

25

A

200

1.3

68

90

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

G

S

D

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 20A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 20A

的di / dt = 100A / μs的

e

2

www.irf.com

IRF6603

10000

VGS

顶部

10V

5.0V

4.5V

4.0V

3.5V

3.3V

3.0V

BOTTOM 2.7V

1000

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

1000

100

VGS

10V

5.0V

4.5V

4.0V

3.5V

3.3V

3.0V

BOTTOM 2.7V

顶部

10

1

10

0.1

2.7V

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

2.7V

20μs的脉冲宽度

TJ = 150℃

1

0.01

0.1

1

10

100

0.1

1

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000.00

2.0

I

D

= 25A

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

100.00

T J = 150℃

1.5

10.00

（归一化）

1.0

1.00

T J = 25°C

VDS = 15V

20μs的脉冲宽度

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

0.5

0.10

V

GS

= 10V

0.0

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温

(

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRF6603

100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

gs

DS短路

CRSS = C

gd

COSS = C + Cgd的

ds

6.0

ID = 20A

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

5.0

VDS = 15V

C，电容（pF ）

10000

4.0

西塞

科斯

1000

3.0

CRSS

2.0

1.0

100

1

10

100

0.0

0

10

20

30

40

50

VDS ，漏极至源极电压（ V）

QG总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

I

SD

，反向漏电流（ A）

10

T

J

= 150

°

C

10

100sec

1msec

1

T

J

= 25

°

C

1

TC = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

0

1

10

10msec

V

GS

= 0 V

0.1

0.2

0.5

0.7

1.0

1.2

1.5

0.1

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

100

1000

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRF6603

100

2.5

80

ID ，漏电流（ A）

VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）

90

2.0

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

T C ，外壳温度（ ° C）

ID = 250μA

1.5

1.0

0.5

-75

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

T J ，温度（° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

阈值电压与温度的关系

100

(Z

thJA

)

D = 0.50

10

0.20

0.10

0.05

热响应

1

0.02

0.01

P

DM

单脉冲

（热反应）

t

1

t

2

注意事项：

1.占空比系数D =

2.峰值牛逼

t

1

/ t

2

+T

A

10

100

0.1

J

= P

DM

X Z

thJA

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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5

PD - 94364E

HEXFET

功率MOSFET

l

IRF6603

QG （典型值）。

48nC

专用的MOSFET

l

理想的CPU内核的DC -DC转换器

l

低传导损耗

l

高与Cdv / dt抗扰性

l

薄型（ <0.7毫米）

l

双面冷却兼容

l

兼容现有的表面贴装

技术

V

DSS

30V

R

DS （ ON）

最大

3.4m@V

GS

= 10V

5.5m@V

GS

= 4.5V

MT

MX

MT

的DirectFET ？等距

适用的DirectFET外形及其基材纲要（见p.9,10了解详情）

SQ

SX

ST

MQ

描述

该IRF6603结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET

TM

包装以实现

最低的通态电阻，在此有一个SO-8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装兼容

在功率应用中使用的现有布局的几何形状，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流焊接

技术，当应用笔记AN- 1035之后就制造方法和工艺。 DirectFET封装

允许双面冷却，最大限度地电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。

该IRF6603平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了导通和

开关损耗。减小的总损耗，使这种产品适合于高效率的DC- DC转换器供电的最新一代

处理器工作在更高的频率。该IRF6603进行了优化是在同步降压关键参数

转换器包括的Rds（on ），栅极电荷和与Cdv / dt的诱导开启免疫力。该IRF6603提供特别低的RDS（ON）和高与Cdv /

dt抗扰性的同步FET应用。

绝对最大额定值

参数

V

DS

V

GS

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@T

A

= 70°C

P

D

@T

C

= 25°C

T

J

T

英镑

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

马克斯。

30

+20/-12

92

27

22

200

3.6

2.3

42

0.029

-40 + 150

单位

V

A

g

功耗

g

功耗

c

W

W / ℃，

°C

线性降额因子

工作结

存储温度范围

热阻

R

θJA

R

θJA

R

θJA

R

θJC

R

θJ -PCB

fj

结到环境

gj

结到环境

hj

结到外壳

ij

结到环境

参数

典型值。

–––

12.5

20

–––

1.0

马克斯。

35

–––

3.0

–––

单位

° C / W

结到PCB安装

笔记

通过

在第11页

www.irf.com

1

4/8/04

IRF6603

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

BV

DSS

ΒV

DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

V

GS （ TH）

/ ΔTJ

I

DSS

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

分钟。典型值。马克斯。单位

30

–––

1.4

–––

28

2.4

3.9

–––

-6.3

–––

48

15.6

5.2

16.1

11.1

21.3

28

1.0

20

9.9

24

71

6590

1250

520

–––

3.4

5.5

2.5

–––

30

50

100

-100

–––

72

–––

2.0

–––

pF

V

GS

= 0V

V

DS

= 15V

ns

nC

V

DS

= 15V

V

GS

= 4.5V

I

D

= 20A

S

nA

V

毫伏/°C的

A

V

条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

毫伏/ ℃参考至25℃ ，我

D

= 1毫安

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 25A

V

GS

= 4.5V ，我

D

e

= 20A

e

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V

V

DS

= 30V, V

GS

= 0V

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 70°C

V

GS

= 20V

V

GS

= -12V

V

DS

= 15V ，我

D

= 20A

I

GSS

政府飞行服务队

Q

g

Q

gs1

Q

gs2

Q

gd

Q

godr

Q

sw

Q

OSS

R

G

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

预Vth的栅极 - 源极充电

后Vth的栅极至源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅极电荷过载

切换电荷（Q

gs2

+ Q

gd

)

输出充电

栅极电阻

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

–––

56

–––

参照图16

V

DS

= 16V, V

GS

= 0V

V

DD

= 15V, V

GS

= 4.5V

I

D

= 20A

钳位感性负载

e

= 1.0MHz的

雪崩特性

E

AS

I

AR

E

AR

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

d

典型值。

–––

马克斯。

49

20

4.1

单位

mJ

A

mJ

重复性雪崩能量

–––

1.0

45

60

二极管的特性

参数

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

25

A

200

1.3

68

90

V

ns

nC

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

G

S

D

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 20A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 20A

的di / dt = 100A / μs的

e

2

www.irf.com

IRF6603

10000

VGS

顶部

10V

5.0V

4.5V

4.0V

3.5V

3.3V

3.0V

BOTTOM 2.7V

1000

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

1000

100

VGS

10V

5.0V

4.5V

4.0V

3.5V

3.3V

3.0V

BOTTOM 2.7V

顶部

10

1

10

0.1

2.7V

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

2.7V

20μs的脉冲宽度

TJ = 150℃

1

0.01

0.1

1

10

100

0.1

1

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000.00

2.0

I

D

= 25A

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

100.00

T J = 150℃

1.5

10.00

（归一化）

1.0

1.00

T J = 25°C

VDS = 15V

20μs的脉冲宽度

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

0.5

0.10

V

GS

= 10V

0.0

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

100

120

140

160

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温

(

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRF6603

100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

gs

DS短路

CRSS = C

gd

COSS = C + Cgd的

ds

6.0

ID = 20A

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

5.0

VDS = 15V

C，电容（pF ）

10000

4.0

西塞

科斯

1000

3.0

CRSS

2.0

1.0

100

1

10

100

0.0

0

10

20

30

40

50

VDS ，漏极至源极电压（ V）

QG总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

100

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

I

SD

，反向漏电流（ A）

10

T

J

= 150

°

C

10

100sec

1msec

1

T

J

= 25

°

C

1

TC = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

0

1

10

10msec

V

GS

= 0 V

0.1

0.2

0.5

0.7

1.0

1.2

1.5

0.1

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

100

1000

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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IRF6603

100

2.5

80

ID ，漏电流（ A）

VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）

90

2.0

70

60

50

40

30

20

10

0

25

50

75

100

125

150

T C ，外壳温度（ ° C）

ID = 250μA

1.5

1.0

0.5

-75

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

T J ，温度（° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

阈值电压与温度的关系

100

(Z

thJA

)

D = 0.50

10

0.20

0.10

0.05

热响应

1

0.02

0.01

P

DM

单脉冲

（热反应）

t

1

t

2

注意事项：

1.占空比系数D =

2.峰值牛逼

t

1

/ t

2

+T

A

10

100

0.1

J

= P

DM

X Z

thJA

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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