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PD - 95955
IRL3803VPbF
HEXFET
功率MOSFET
l
先进的工艺技术
l
超低导通电阻
l
动态的dv / dt额定值
l
175 ° C工作温度
l
快速开关
l
全额定雪崩
l
LEAD -FREE
描述
D
V
DSS
= 30V
R
DS （ ON）
= 5.5m
G
S
I
D
= 140A
先进的HEXFET
从国际的功率MOSFET
整流器采用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和加固
设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知，为设计者提供了一个非常有效的
和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平到约50瓦。低热
的TO- 220贡献电阻和低封装成本
在整个行业中的广泛接受。
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
140
110
470
200
1.4
± 16
71
20
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.74
–––
62
单位
° C / W
www.irf.com
1
12/21/04
IRL3803VPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
单脉冲雪崩能量
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
E
AS
分钟。
30
–––
–––
–––
1.0
82
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
5.5
V
GS
= 10V ，我
D
= 71A
m
7.5
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 59A
–––
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 71A
25
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 16V
nA
-100
V
GS
= -16V
76
I
D
= 71A
19
nC
V
DS
= 24V
35
V
GS
= 4.5V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 15V
–––
I
D
= 71A
–––
R
G
= 1.3
–––
V
GS
= 4.5V ，参照图10
铅之间，
4.5 –––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
7.5 –––
而中心的模具接触
3720 –––
V
GS
= 0V
1480 –––
V
DS
= 25V
270 –––
pF
= 1.0MHz的，见图。五
1560 ?? 400 ??兆焦耳我
AS
= 71A ， L = 0.16mH
典型值。
–––
0.028
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
16
180
29
37
D
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 140
展示
A
G
整体反转
––– ––– 470
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.2
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 71A ，V
GS
= 0V
––– 52
78
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 71A
––– 91 140
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
起始物为
J
= 25℃时，L = 160μH
T
J
≤
175°C
最大。结温。 （参见图11）
R
G
= 25, I
AS
= 71A ，V
GS
= 10V （见图12）
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
这是在破坏设备的典型值，代表
I
SD
≤
71A ， di / dt的
≤
110A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
操作之外的额定范围。
这是限定至T的计算值
J
= 175°C .
基于最大允许计算出的连续电流
结温。套餐限制电流为75A 。
2
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IRL3803VPbF
1000
VGS
顶部
15V
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
BOTTOM 2.7V
1000
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
4.5V
3.7V
3.5V
3.3V
3.0V
BOTTOM 2.7V
顶部
100
2.7V
2.7V
10
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
10
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.5
T
J
= 25
°
C
T
J
= 175
°
C
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 120A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
2.0
1.5
100
1.0
0.5
10
2.5
V DS = 15V
20μs的脉冲宽度
3.5
4.5
5.5
6.5
0.0
-60 -40 -20 0
V
GS
= 10V
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRL3803VPbF
6000
5000
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
15
I
D
= 71A
V
DS
= 24V
V
DS
= 15V
12
C，电容（pF ）
4000
西塞
9
3000
2000
科斯
6
1000
3
CRSS
0
1
10
100
0
测试电路
见图13
0
20
40
60
80
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
10000
I
SD
，反向漏电流（ A）
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 175
°
C
在这一领域
限于由R DS （ ON）
1000
10
100
100sec
1msec
T
J
= 25
°
C
1
10
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
VDS ，漏toSource电压（V ）
10msec
0.1
0.0
V
GS
= 0 V
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
1
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
100
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRL3803VPbF
160
不限按包
V
DS
V
GS
R
D
I
D
，漏电流（ A）
120
R
G
V
GS
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
D.U.T.
+
-
V
DD
80
40
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
0
25
50
T
C
，外壳温度（ ° C）
75
100
125
150
175
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
1
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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IDT74CBTLV16245PA
ICL7667CBAZA-T
IDT7034L15PF
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