【PD- 95436AIRF7807D2PbF共同包N沟道HEXFET功率MOSFET和肖特基二极管适】,IC型号IRF7807D2PBF,IRF7807D2PBF PDF资料,IRF7807D2PBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD- 95436A

IRF7807D2PbF

共同包N沟道HEXFET

功率MOSFET

和肖特基二极管

适用于同步整流器的DC-DC

转换器高达5A的输出

低传导损耗

低开关损耗

低VF肖特基整流器

无铅

FETKY MOSFET /肖特基二极管

A / S

K /

SO-8

描述

该FETKY

家庭联合包HEXFET

MOSFET的

和肖特基二极管提供了设计师的创新，

用于开关稳压器的电路板空间节省解决方案，

电源管理应用。 HEXFET功率

MOSFET采用先进的加工技术

实现极低的导通电阻每硅片面积。

与国际整流器公司结合这一技术

低正向压降肖特基整流器产生一个非常

适用于各种各样的用途有效的器件

便携式电子产品的应用。

采用SO-8已经通过定制进行了修改

引线框架，增强散热性能。在SO-

8封装是专为气相，红外或波

焊接技术。

绝对最大额定值

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏极或源极

电流（V

≥

4.5V)

漏电流脉冲？

功耗

肖特基体二极管

平均ForwardCurrent ？

25°C

70°C

25°C

70°C

, T

英镑

（AV）

25°C

70°C

符号

马克斯。

±12

8.3

6.6

2.5

1.6

3.7

2.3

-55到150

顶视图

设备特点（最大值）

IRF7807D2

（上）

OSS

30V

25m

14nC

5.2nC

21.6nC

单位

°C

结&存储温度范围

热阻

参数

最大结点到环境？

θJA

马克斯。

单位

° C / W

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10/7/04

IRF7807D2PbF

电气特性

参数

漏 - 源

击穿电压*

静态漏源

在性*

漏源漏

目前*

（ BR ） DSS

（上）

1.0

7.2

民

典型值

最大

单位

条件

= 0V时，我

= 250A

= 4.5V ，我

= 7A

= V

= 250A

= 24V, V

= 0V

= 24V, V

= 0V,

= 125°C

= +/-12V

<100mV,

= 5V ，我

= 7A

= 16V,

= 5V ，我

= 7A

= 16V ，我

= 7A

栅极阈值电压* V

（ TH ）

DSS

栅源漏

目前*

总栅极电荷

同步FET *

总栅极电荷

控制用FET *

预Vth的

栅极 - 源电荷

后Vth的

栅极 - 源电荷

栅漏电荷

转换费*

gs2

+ Q

)

输出电荷*

栅极电阻

GSS

GSYNC

GCONT

gs1

gs2

OSS

10.5

2.1

0.76

2.9

3.66

17.6

1.2

+/- 100

5.2

21.6

= 16V, V

= 0

肖特基二极管&体二极管额定值和特性

参数

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

民

TRR

QRR

典型值

最大

0.54

0.43

单位

条件

V T，

= 25 ° C，I

= 3A ，V

=0V

≤ 125 ° C，I

= 3A ，V

=0V

NS牛逼

= 25 ° C，I

= 7.0A ，V

= 16V

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

)

重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。

脉冲宽度

≤

300微秒;占空比

≤

2%.

当安装在1平方英寸的铜电路板，T < 10秒。

50％的占空比，矩形

设备是经过100％测试这些参数。

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IRF7807D2PbF

100

VGS

4.5V

3.5V

3.0V

BOTTOM 2.5V

顶部

100

VGS

4.5V

3.5V

3.0V

BOTTOM 2.5V

顶部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

2.5V

380μs脉宽

TJ = 25°C

0.1

380μs脉宽

TJ = 150℃

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

VGS

顶部

4.5V

3.5V

3.0V

2.5V

2.0V

BOTTOM 0.0V

VGS

4.5V

3.5V

3.0V

2.5V

2.0V

BOTTOM 0.0V

顶部

IS ，源极到漏极电流（A ）

0.0 V

380μs脉宽

TJ = 25°C

0.2

0.4

0.6

0.8

O.OV

380μs脉宽

TJ = 150℃

0.2

0.4

0.6

0.8

VSD ，源极到漏极电压（V ）

图3 。

典型的反向输出特性

图4 。

典型的反向输出特性

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IRF7807D2PbF

2000

1600

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

= 0V,

F = 1MHz的

国际空间站

= C

+ C

GD ，

短

RSS

= C

OSS

= C

+ C

ID = 7.0A

VDS = 16V

C，电容（pF ）

1200

西塞

科斯

800

400

CRSS

100

，漏极至源极电压（ V）

QG ，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

2.0

100

R DS （ ON），漏极 - 源极导通电阻

ID = 7.0A

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

VGS = 4.5V

T J = 25°C

（归一化）

1.5

T J = 150℃

1.0

0.5

-60 -40 -20

80 100 120 140 160

2.5

VDS = 10V

380μs脉宽

3.0

3.5

T J ，结温（ ° C）

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

图7 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

图8 。

典型的传输特性

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R DS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（

)

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

)

(

0.05

0.024

0.04

0.022

VGS = 4.5V

0.020

0.03

0.02

ID = 7.0A

VGS = 10V

0.018

0.01

2.0

4.0

6.0

8.0

10.0

0.016

VGS ，门-to - 源电压（V ）

，漏电流（ A）

图9 。

导通电阻比。栅极电压

图10 。

导通电阻与漏电流

100

热响应（Z

thJA

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJA

+ T

0.01

0.1

100

单脉冲

（热反应）

0.1

0.001

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境（ MOSFET ）

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SOP-8

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原厂一级代理，原装现货

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8SOIC

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5000

8-SOIC (0.154\

原装正品现货

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