PD - 91326D
IRL2505S/L
逻辑电平栅极驱动
l
先进的工艺技术
l
表面贴装（ IRL2505S ）
l
通孔低调（ IRL2505L ）
l
175 ° C工作温度
l
快速开关
l
全额定雪崩
描述
l
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 0.008
G
I
D
= 104A
S
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计， HEXFET功率MOSFET
是众所周知的，为设计者提供了一个非常
高效，可靠的装置，用于在各种各样的应用
应用程序。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了
最高功率能力和尽可能低的导通
在任何现有的表面电阻贴装封装。该
D
2
白是适合的，因为高电流应用
其较低的内部连接性，可以消散
高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。
通孔版（ IRL2505L ）可用于低
配置文件的应用程序。
D 2 P AK
T O服务-26 2
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量????
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
104
74
360
3.8
200
1.3
±16
500
54
20
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装，稳态） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
0.75
40
单位
° C / W
5/12/98
IRL2505S/L
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
55
–––
–––
–––
–––
1.0
59
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
TYP 。 MAX 。单位
条件
––– –––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
0.035 ?????? V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安？
––– 0.008
V
GS
= 10V ，我
D
= 54A
––– 0.010
V
GS
= 5.0V ，我
D
= 54A
––– 0.013
V
GS
= 4.0V ，我
D
= 45A
––– 2.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
––– –––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 54A
––– 25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
––– 250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
––– 100
V
GS
= 16V
nA
––– -100
V
GS
= -16V
––– 130
I
D
= 54A
––– 25
nC
V
DS
= 44V
––– 67
V
GS
= 5.0V ，见图。 6和13
12 –––
V
DD
= 28V
160 –––
I
D
= 54A
ns
43 –––
R
G
= 1.3, V
GS
= 5.0V
84 –––
R
D
= 0.50Ω ，参照图10
铅之间，
7.5 –––
nH
而中心的模具接触
5000 –––
V
GS
= 0V
1100 –––
pF
V
DS
= 25V
390 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 104
展示
A
G
整体反转
––– ––– 360
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 54A ，V
GS
= 0V
––– 140 210
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 54A
––– 650 970
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
V
DD
= 25V ，起始物为
J
= 25℃时，L = 240μH
R
G
= 25, I
AS
= 54A 。 （参见图12）
I
SD
≤
54A ， di / dt的
≤
230A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C
脉冲宽度
≤
300μS ;占空比
≤
2%.
使用IRL2505数据和测试条件
基于最大允许Caculated连续电流
结温;对于推荐的电流处理的
包参考设计提示＃ 93-4
**当安装在1 ＆ QUOT ;方形板（FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
IRL2505S/L
1000
顶部
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
1000
I
D
，D雨来-S环境允许光凭目前 （A ）
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
顶部
100
2 .5 V
10
10
2 .5 V
2 0μ S·P ü LS东西ID牛逼
T
J
= 2 5°C
0.1
1
10
1
100
A
1
0.1
1
2 0μ S·P ü LS东西TH ID
T
J
= 1 75 °C
10
100
A
V
S
，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
V
S
，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
3.0
R
S（上）
，D RA在对-S URC ê n个R （E S）是TA NC ê
（N RM艾莉婕四）
I
D
= 90 A
I
D
，D RA在-to -S ourc式C光凭目前（ A）
T
J
= 25 °C
100
2.5
T
J
= 1 75 °C
2.0
1.5
10
1.0
0.5
1
2.5
3.5
4.5
V
DS
= 25V
2 0 μ S·P ü LS东西TH ID
5.5
6.5
7.5
A
0.0
-60
-40 -20
0
20
40
60
80
V
的s
= 1 0V
100 120 140 160 180
A
V
的s
，G吃了对-Sou RCE电压（V ）
T
J
，J UNC化牛逼EM perature （ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
IRL2505S/L
10000
8000
C
国际空间站
6000
V
的s
，G一TE-到-S OU RC è V LTAG E（ V）
V
GS
C
为s
C
RS s
C
SS
=
=
=
=
0V ,
F = 1M ^ h
C
的s
+ C
克
, C
S
中文 T E
C
gd
C
S
+ C
gd
15
I
D
= 5 4A
V
S
= 44 V
V
S
= 28 V
12
C，电容（pF ）
9
4000
C
OSS
6
2000
C
RSS
A
1
10
100
3
0
0
0
40
80
FO TE S T CIR ú IT
性S E ê图ú 1 3
120
160
A
200
V
S
，D雨来-S ourc é V oltage （ V）
Q
G
，T otal摹吃哈耶（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
S.D。
，R EVERSE漏光凭目前 （A ）
P·E·R一件T IO N的牛逼H是A R ê A L IM ITE
B Y形
S（O N）
10s
I
D
，D雨电流（A ）
100
100 s
100
T
J
= 17 5°C
T
J
= 2 5°C
1米s
10
10米s
10
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
的s
= 0V
2.4
A
1
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 17 5°C
S荷兰国际集团乐P ü LSE
10
100
A
2.8
V
S.D。
，S ourc E-到-D雨V oltage （ V）
V
S
，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
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