快速CMOS
8输入通用
移位寄存器
描述：
IDT54/74FCT299
IDT54/74FCT299A
IDT54/74FCT299C
集成设备技术有限公司
产品特点：
IDT54 / 74FCT299相当于FAST 速
IDT54 / 74FCT299A比FAST快25 ％
IDT54 / 74FCT299C比FAST快35 ％
相当于在整个温度快速输出驱动器
与电源电压极值
I
OL
= 48毫安（商业）和32毫安（军事）
CMOS功率级（ 1毫瓦典型值静态）
TTL输入，兼容输出电平
兼容CMOS输出电平
大大降低了输入电流水平比FAST
（ 5μA最大）
8输入的通用移位寄存器
JEDEC标准引脚DIP和LCC
产品在耐辐射和辐射提供
增强版
军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
标准军事绘图＃ 5962-86862列在此
功能。请参阅第2节。
在IDT54 / 74FCT299和IDT54 / 74FCT299A / C构建
采用先进的双金属CMOS工艺。在IDT54 /
74FCT299和IDT54 / 74FCT299A / C是8输入通用
移位/存储寄存器具有三态输出。四种模式的
操作是可能的：保持（店） ，左移，右移和
加载数据。并行加载输入和触发器输出
复用，以减少封装的管脚数目。
提供了触发器的Q输出端附加
0
和Q
7
to
便于串行级联。一个独立的低电平有效法师
复位时用于复位该寄存器。
功能框图
S
1
S
0
DS
7
DS
0
CP
C
D
Q
0
MR
OE
1
OE
2
I / O
0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
2561 DRW 01
D C
P
Q
C
D
D C
P
Q
C
D
D C
P
Q
C
D
D C
P
Q
C
D
D C
P
Q
C
D
D C
P
Q
C
D
D C
P
Q
C
D
D C
P
Q
Q
7
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
FAST是美国国家半导体公司的注册商标。
军用和商用温度范围
1994
集成设备技术有限公司
1992年5月
DSC-4604/3
7.11
1
IDT54/74FCT299/A/C
FAST CMOS 8输入通用移位寄存器
军用和商用温度范围
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定： V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
– 0.2V
商业：T已
A
= 0 ° C至+ 70 ° C，V
CC
= 5.0V
±
5％ ;军事：T已
A
= -55℃ + 125°C ，V
CC
= 5.0V
±
10%
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
I
IH
I
IL
V
IK
I
OS
V
OH
参数
输入高电平
输入低电平
输入高电流
（除I / O引脚）
输入低电平电流
（除I / O引脚）
输入高电流
（ I / O引脚只）
输入低电平电流
（ I / O引脚只）
钳位二极管电压
短路电流
输出高电压
VCC =最小，我
N
= -18mA
VCC =最大。 ，V
O
= GND
VCC = 3V ，V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OH
= –32A
VCC =最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
V
OL
输出低电压
I
OH
= –300A
I
OH
= -12mA MIL 。
I
OH
= -15mA COM'L 。
VCC = 3V ，V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OL
= 300A
VCC =最小值。
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 300A
I
OL
= 32毫安MIL 。
I
OL
= 48毫安COM'L 。
(3)
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
CC
=最大。
V
I
= V
CC
V
I
= 2.7V
V
I
= 0.5V
V
I
= GND
V
CC
=最大。
V
I
= V
CC
V
I
= 2.7V
V
I
= 0.5V
V
I
= GND
分钟。
2.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–60
V
HC
V
HC
2.4
2.4
—
—
—
—
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–0.7
–120
V
CC
V
CC
4.3
4.3
GND
GND
0.3
0.3
马克斯。
—
0.8
5
5
(4)
–5
(4)
–5
15
15
(4)
单位
V
V
A
A
–15
(4)
–15
–1.2
—
—
—
—
—
V
LC
V
LC(4)
0.5
0.5
2561 TBL 05
V
mA
V
V
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在Vcc = 5.0V ， + 25°C的环境温度和最大负荷。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间被短路。短路试验的持续时间应不超过一秒钟。
4.此参数是保证，但未经测试。
7.11
3
IDT54/74FCT299/A/C
FAST CMOS 8输入通用移位寄存器
军用和商用温度范围
电源特性
V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
– 0.2V
符号
I
CC
I
CC
I
CCD
参数
静态电源
当前
静态电源
当前TTL输入高电平
动态电源
当前
(4)
测试条件
(1)
VCC =最大值。
V
IN
≥
V
HC
; V
IN
≤
V
LC
VCC =最大值。
V
IN
= 3.4V
(3)
VCC =最大值。
输出打开
OE
1
=
OE
2
= GND
MR
= V
CC
S
0
= S
1
= V
CC
DS
0
= DS
1
= GND
一个输入切换
占空比为50％
VCC =最大值。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
OE
1
=
OE
2
= GND
MR
= V
CC
S
0
= S
1
= V
CC
DS
0
= DS
7
= GND
一位切换
在f
i
= 5MHz时，
占空比为50％
VCC =最大值。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
OE
1
=
OE
2
= GND
MR
= V
CC
S
0
= S
1
= V
CC
DS
0
= DS
7
= GND
八位切换
在f
i
= 2.5MHz的
占空比为50％
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
分钟。
—
—
—
典型值。
(2)
0.2
0.5
0.15
马克斯。
1.5
2.0
0.25
单位
mA
mA
毫安/ MHz的
I
C
总电源
当前
(6)
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
—
1.7
4.0
mA
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
2.2
6.0
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
—
4.0
7.8
(5)
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
6.2
16.8
(5)
注意事项：
1.对于显示为最大的条件。或最小，使用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP
/2 + f
i
N
i
)
I
CC
·静态电流
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态电流通过输出转换对（ HLH或LHL ）引起的
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
f
i
=输入频率
N
i
输入数=在f
i
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
2561 TBL 06
7.11
4
QQ：2881677436 复制
