IRIS-G5624A
特点
设置在单片式控制与采用导通芯片级振荡器
修剪技术。
小的温度变化特性，采用一个比较器
补偿温度的控制部分。
低的启动电路的电流（ 100uA的最大值）
内置有源低通滤波器用于稳定运行的情况下，光
负载
雪崩能量担保MOSFET具有高VDSS
内置功率MOSFET ，简化自浪涌吸收电路
MOSFET保证了雪崩能量。
没有VDSS降额是必需的。
内置稳压驱动电路
内置的步骤驱动电路
内置的低频中华人民共和国模式（ ≒为20kHz ）
各种保护功能
脉冲逐脉冲过流保护（ OCP）
过电压保护与锁存模式（ OVP ）
与锁存模式热关断（ TSD ）
集成开关调节器
包装外形
TO- 220 Fullpack （ 5引线）
关键的特定连接的阳离子
TYPE
IRIS-G5624A
MOSFET
VDSS （ V）
450
RDS （ ON）
最大
1.0Ω
AC输入（V）的
100±15%
120±15%
的Pout （W）的
注1
90
120
说明
IRIS- G5624A是一种混合集成电路包括从功率MOSFET和控制器IC，设计用于反馈的间接准
共振（包括低频PRC）反激式变换器型SMPS （开关电源）的应用程序。
该IC实现高效率，低噪音，小型化，标准化供电系统减少了外部的
部件数量和简化了电路设计。
（注） 。中国是缩写
*脉冲
比率控制“ （在宽度控制与固定关断时间） 。
典型连接图
IRIS-G5600
OCP / FB
VIN
GND
S
D
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IRIS-G5624A
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有电压参数
参考说明终端的绝对电压，电流都被定义成阳性的任何领先。热敏电阻和功率
耗散额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
符号
I
Dpeak
I
DMAX
德网络nition
漏电流
*1
最大开关电流* 5
码头最大。评级
1-2
14.4
1-2
14.4
单位
A
A
记
单脉冲
V
2-3
=0.78V
Ta=-20~+125℃
单脉冲
V
DD = 99V ，L = 20mH
I
L峰值
=4.4A
E
AS
VIN
VTH
P
D1
P
D2
T
F
顶部
TSTG
总胆固醇
单脉冲雪崩能量* 2
输入电压控制部
O.C.P / F.B引脚电压
功耗MOSFET * 3
功耗控制部分
（控制芯片） * 4
内部框架温度
在操作
工作环境温度
储存温度
通道温度
1-2
4-3
5-3
1-2
4-3
-
-
-
-
248
35
6
26
1.5
0.8
-20 ~ +125
-20 ~ +125
-40 ~ +125
150
mJ
V
V
W
W
W
℃
℃
℃
℃
随着infintite散热器
无需散热器
通过指定
VIN × Iin的
参照推荐
工作温度
* 1。请参MOS FET A.S.O曲线
* 2 MOS FET TCH- EAS曲线
* 3参见MOS FET的Ta - PD1曲线
* 4参见TF- PD2曲线控制IC （见第5页）
* 5最大开关电流。
Fig.1
V
2-3
最大开关电流的漏电流通过IC的驱动电压来确定，并
阈值电压的MOS FET的电压（Vth ） 。因此，在该事件是压降引脚2与之间发生
由于引脚3的图案，最大开关电流减小如图V
2-3
在图1
因此请减少值的范围内使用该设备，指的是降额
曲线的最大开关电流。
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IRIS-G5624A
电气特性（用于控制IC）
为控制部分的电气特性（Ta = 25 ℃ ， VIN = 18V ，除非另有说明）
符号
V
IN（上）
V
中（关闭）
I
IN（上）
I
中（关闭）
T
关（ MAX）的
Tth(2)
T
关（ MIN）的
Vth(1)
Vth(2)
I
OCP / FB
V
IN（ OVP ）
I
在（H）的
V
在（ La.OFF ）
Tj
（ TSD ）
V
IN（ SENSE ）
-
德网络nition
操作启动电压
操作停止电压
在运算电路电流
在非操作电路的电流
最大断时间
最小时间准输入
共振信号
*6
最小关断时间
*7
O.C.P / F.B引脚阈值电压1
O.C.P / F.B引脚阈值电压2
O.C.P / F.B针抽取电流
O.V.P工作电压
锁存电路保持电流* 8
锁存电路释放电压* 8
热关断工作温度
检测电压
检测电压的温度系数
民
14.4
9
-
-
45
-
-
0.68
1.3
1.2
34
-
6.6
140
31.7
-
评级
典型值
16
10
-
-
-
-
-
0.73
1.45
1.35
36.5
-
-
-
32
2.5
最大
17.6
11
20
100
55
1
2
0.78
1.6
1.5
39
400
8.4
-
32.3
-
单位
V
V
mA
A
微秒
微秒
微秒
V
V
mA
V
A
V
℃
V
毫伏/ ℃
TEST
条件
Vin=0→17.6V
Vin=17.6→9V
-
Vin=14V
-
-
-
-
-
Vin=0→39.0V
Vin=39.0→8.5V
Vin=39.0→6.6V
-
Vin=31.7→32.3V
Vin=31.7→32.3V
* 6推荐工作条件
Tth(2)≧1.0μsec
时间准谐振信号iunput
Ｖ
O.C.P / F.B
对于输入到OCP / FB引脚准谐振信号
Vth(2)
在准谐振操作时，该信号将
0V
更宽吴丹Tth时（ 2）。
* 7的最小关断时间的装置T
关闭
宽度在时刻时的最小准谐振信号被输入。
* 8锁存电路是指电路操作OVP和TSD
电气特性（ MOSFET ）
（ TA = 25 ℃ ），除非另有说明
符号
V
DSS
I
DSS
德网络nition
漏极至源极击穿电压
漏极漏电流
民
450
-
-
-
-
评级
典型值
-
-
-
-
-
最大
-
300
1
250
2
单位
V
A
Ω
纳秒
℃
/W
测试条件
ID=300A
V3
- 2
=0V(short)
V
DS
=450V
V3-2=0V(short)
V3-2=10V
I
D
=1.8A
R
DS （ ON）
导通电阻
tf
开关时间
θ
CH -F
热阻
-
通道之间
内部框架
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