【高速，双通道， 6A ，功率MOSFET驱动程序使能输入ISL89163 ， ISL89164 ，】,IC型号ISL89164FBECZ,ISL89164FBECZ PDF资料,ISL89164FBECZ经销商,ic,电子元器件-51电子网

高速，双通道， 6A ，功率MOSFET

驱动程序使能输入

ISL89163 ， ISL89164 ， ISL89165

该ISL89163 ， ISL89164 ， ISL89165和高转速，

6A ，双通道MOSFET驱动器，提供使能输入。

这些部分是相同的ISL89160 ， ISL89161 ，

ISL89162驱动程序，但有一个附加的使能输入，用于

每个信道占用的NC引脚1和引脚的8

ISL89160 ， ISL89161 ， ISL89162 。

在所有逻辑输入阈值精度允许使用

外部RC电路来产生精确和稳定时间

同时在主通道输入， INA和INB延误，

和使能输入， ENA和ENB 。精度

可这些精确的逻辑阈值品牌延误

这些部件的死区时间控制非常有用，

同步整流器。请注意，启用和输入

逻辑输入是可以互换的备用逻辑

实现。

三输入逻辑阈值可供选择： 3.3V （ CMOS ）

5.0V （ CMOS或TTL兼容）和CMOS阈值

成比例的VDD。

在高开关频率，这些MOSFET驱动器

使用很少的内部偏置电流。独立的，

非重叠的驱动电路被用于驱动每个

CMOS输出FET ，以防止拍摄流通的电流

输出级。

欠压锁定（ UV）可以确保驱动程序

导通期间，输出保持关闭状态（低），直到VDD是

足够高的正确的逻辑控制。这可以防止

意想不到的毛刺，当VDD正在接通或

关断。

ISL89163 ， ISL89164 ， ISL89165

特点

双输出， 6A峰值电流（漏极和源极）

双核和-ED输入逻辑（输入和

启用）

典型导通电阻<1Ω

指定的米勒平台的驱动电流

极低的热阻抗（ θ

= 3 ° C / W）

输入逻辑电平为3.3V CMOS ， 5V CMOS ， TTL和

正比于V的逻辑电平

迟滞逻辑输入为高噪声抗扰度

精确的输入阈值与时间延迟

外部RC元件

20ns的上升和下降时间驱动10nF的负载。

低工作电流偏置

应用

同步整流（ SR ）驱动程序

开关电源

电机驱动器， D类放大器， UPS ，逆变器

脉冲变压器驱动器

时钟/线路驱动器

相关文献

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“ ISL8916xA ， ISL8916xB ， ISL8916xC ，

评估板用户指南“

AN1603

“ ISL6752_54评估板应用

Note

典型用途

温度稳定的逻辑阈值

选项B阈值（在5.0V ）

3.0

正阈值限制

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

-40 -25 -10

负阈值限制

ENA

INA

GND

INB

ENB

EPAD

OUTB

4.7F

OUTA

5 20 35 50 65 80 95 110 125

温度（℃）

2010年10月12日

FN7707.0

注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。

1-888- INTERSIL或1-888-468-3774

Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。

提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。

ISL89163 ， ISL89164 ， ISL89165

框图

VDD

为了清楚起见，仅

一个通道

示

查看选项A和B ，

UV比较

HOLDS OFF输出

直到VDD > 3.3VDC 。

FOR选项C ，紫外线

释放 > 6.5V

单独的FET驱动器，与非

有重复产出，防

SHOOT - THRU IN的电流

输出CMOS场效应管产生的

具有非常低的高频

工作电流。

ENX

ENX和INX INPUTS

是相同的并且

可以互换

备用逻辑

INX

10k

ISL89164 ， ISL89165

GND

ISL89163

的OUTx

EPAD

对于适当的散热和

电性能，该

EPAD必须连接到

PCB地平面。

销刀豆网络gurations

ISL89163FR ， ISL89163FB

（ 8 LD TDFN封装， EPSOIC ）

顶视图

ENA 1

INA 2

GND 3

INB 4

8 ENB

7 OUTA

6 VDD

5 OUTB

引脚说明

针

数符号

ENA

INA

GND

INB

OUTB ，

/ OUTB

VDD

OUTA ，

/ OUTA

ENB

EPAD

描述

（见真理表

逻辑极性）

通道A启用， 0V至VDD

通道A的输入， 0V至VDD

电源地， 0V

通道B启用， 0V至VDD

通道B输出

电源输入， 4.5V至16V

通道A输出， 0V至VDD

通道B启用， 0V至VDD

电源地， 0V

ISL89164FR ， ISL89164FB

（ 8 LD TDFN封装， EPSOIC ）

顶视图

ENA 1

INA 2

GND 3

INB 4

8 ENB

7 / OUTA

6 VDD

5 / OUTB

ISL89165FR ， ISL89165FB

（ 8 LD TDFN封装， EPSOIC ）

顶视图

ENA 1

INA 2

GND 3

INB 4

8 ENB

7 / OUTA

6 VDD

5 / OUTB

ENX

INX

的OUTx

ENX

INX

反相

的OUTx

非反相

ENX * INx的*的OUTx *

*替代a或b X

FN7707.0

2010年10月12日

ISL89163 ， ISL89164 ， ISL89165

订购信息

产品型号

（注1 ，2，3 ，4）

ISL89163FRTAZ

ISL89163FRTBZ

ISL89163FRTCZ

ISL89164FRTAZ

ISL89164FRTBZ

ISL89164FRTCZ

ISL89165FRTAZ

ISL89165FRTBZ

ISL89165FRTCZ

ISL89163FBEAZ

ISL89163FBEBZ

ISL89163FBECZ

ISL89164FBEAZ

ISL89164FBEBZ

ISL89164FBECZ

ISL89165FBEAZ

ISL89165FBEBZ

ISL89165FBECZ

注意事项：

1.添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。请参阅

TB347

对卷筒规格的详细信息。

2.这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料套，模塑料/晶片的附属

材料和100 ％雾锡板加退火（ E3终止完成，这是符合RoHS标准，既兼容

锡铅和无铅焊接操作）。 Intersil无铅产品分类MSL在无铅峰值回流温度下

达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。

3.输入逻辑电压： A = 3.3V ， B = 5.0V ， C = VDD 。

4.潮湿敏感度等级（MSL ），请参阅设备信息页

ISL89163 ， ISL89164 ， ISL89165 。

了解更多

MSL上的信息，请参见技术简介

TB363.

部分

记号

163A

163B

163C

164A

164B

164C

165A

165B

165C

89163 FBEAZ

89163 FBEBZ

89163 FBECZ

89164 FBEAZ

89164 FBEBZ

89164 FBECZ

89165 FBEAZ

89165 FBEBZ

89165 FBECZ

温度范围

(°C)

-40到+125

反相+非

反相

非反相

反相+非

反相

输入

CON组fi guration

非反相

输入逻辑

3.3V

5.0V

VDD

3.3V

5.0V

VDD

3.3V

5.0V

VDD

3.3V

5.0V

VDD

3.3V

5.0V

VDD

3.3V

5.0V

VDD

包

（无铅）

PKG 。

DWG 。＃

8 Ld的的3x3 TDFN L8.3x3I

8 Ld的EPSOIC

M8.15D

FN7707.0

2010年10月12日

ISL89163 ， ISL89164 ， ISL89165

绝对最大额定值

电源电压，V

相对于GND 。。。。。。。。 -0.3V至18V

逻辑输入（ INA ， INB ， ENA ， ENB ） GND - 0.3V至V

+ 0.3V

输出（ OUTA ， OUTB ）。。。。。。。。。 GND - 0.3V至V

+ 0.3V

平均输出电流（注7 ）。。。。。。。。。。。。。。。 150毫安

ESD额定值

人体模型2级（每JESD22 - A114E测试） 2000V

机器型号B类（每JESD22 - A115 -A测试）。。。 200V

带电器件模型IV类。。。。。。。。。。。。。。。。。 1000V

闭锁

（每JESD - 78B测试;第2类， A级）

输出电流。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 500毫安

热信息

热电阻（典型值）

（ ° C / W）

8 Ld的TDFN封装（注5,6）。。。

8 Ld的EPSOIC套餐（注5,6）。

最大功率消耗在+ 25°C在自由空气中。。。。。。。。。 2.27W

最大功率消耗在+ 25°C与铜面。。。 33.3W

存储温度范围。。。。。。。。。。。。 -65 ° C至+ 150°C

工作结点温度范围。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 125°C

无铅回流焊温度曲线。。。。。。。。。。。。。。。。。。见下面的链接

http://www.intersil.com/pbfree/Pb-FreeReflow.asp

最大推荐工作

条件

结温。。。。。。。。。。。。。

选项A和B

电源电压，V

相对于GND

逻辑输入（ INA ， INB ， ENA ， ENB ）。。

输出（ OUTA ， OUTB ）。。。。。。。。。。

选项C

电源电压，V

相对于GND

逻辑输入（ INA ， INB ， ENA ， ENB ）。。

输出（ OUTA ， OUTB ）。。。。。。。。。。

。。。。 -40 ° C至+ 125°C

。。。。。。。。 4.5V至16V

。。。。。。。。 0V至VDD

。。。。。。。。 7.5V至16V

。。。。。。。。 0V至VDD

注意：不要达到或接近上市较长时间的最高收视率运行。暴露于这样的条件可能产生不利影响的

在故障产品的可靠性和结果不在保修范围内。

注意事项：

测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板与部件“直接连接”

功能。参见技术简介TB379了解详细信息。

6.对于

的“外壳温度”的位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。

7.平均输出电流，驱动功率MOSFET或类似的容性负载时，是整流输出的平均值

电流。该驱动器的峰值输出电流自限性跨导或r

DS （ ON）

并且不要求任何

外部元件以最小化峰。如果输出驱动一个非容性负载，诸如LED ，最大输出

电流必须由外部装置以小于指定的最大绝对的限制。

DC电气规格

= 12V ， GND = 0V ，在OUTA或OUTB空载，除非另有说明。

黑体字限额适用于整个工作结温范围内，

-40 ° C至+ 125°C 。

= +25°C

= -40 ° C至+ 125°C

民

（注8）

最大

（注8）

单位

参数

电源

电压范围（选项A

和B）的

电压范围（选项C ）

静态电流

欠压

VDD欠压

锁定（选项A或B ）

（注12 ）

VDD欠压

锁定（选项C ）

迟滞（选项A或B ）

迟滞（选项C ）

符号

测试条件

民

典型值

最大

ENX = INx的= GND

INA INB = = 1MHz时，方波

4.5

7.5

ENA = ENB = TRUE

INA INB = =真（注9 ）

3.3

6.5

~25

~0.95

FN7707.0

2010年10月12日

ISL89163 ， ISL89164 ， ISL89165

DC电气规格

= 12V ， GND = 0V ，在OUTA或OUTB空载，除非另有说明。

黑体字限额适用于整个工作结温范围内，

-40 ° C至+ 125°C 。（续）

= +25°C

参数

输入

输入范围为INA ， INB

逻辑0阈值

对于INA ， INB ， ENA ， ENB

（注11 ）

选择A， B或C

选项A ，名义上37 ％× 3.3V

选项B，名义上37 ％× 5.0V

选项C，标称20 ％× 12V

（注9 ）

选项A ，名义上63 ％× 3.3V

逻辑阈值1

对于INA ， INB ， ENA ， ENB

（注11 ）

输入电容INA的，

INB ， ENA ， ENB （注10 ）

输入偏置电流

对于INA ， INB ， ENA ， ENB

输出

高电平输出电压

低电平输出电压

峰值输出源

当前

峰值输出灌电流

注意事项：

8.参数与MIN和/或最大极限100％经过测试，在+ 25 ° C，除非另有规定。温度限制成立

经鉴定，不生产测试。

9.标称20 ％和80％的阈值选项C是有效于VDD的任何值。

10.这个参数是从仿真模型的输入场效应晶体管。在这个输入的实际电容将支配

由PCB的寄生电容。

11.真状态的输入电压的非反相输入大于逻辑1的阈值电压。真实状态输入

电压为反相输入小于逻辑0的阈值电压。

12.为200ps延迟进一步抑制输出状态释放时，紫外线正向阈值时。

OHA

OHB

OLA

OLB

（初始） = 0V ，C

负载

= 10nF的

（初始） = 12V ，C

负载

= 10nF的

-6

- 0.1

GND

GND + 0.1

选项B，名义上63 ％× 5.0V

选项C，标称80 ％ x12V

（注9 ）

GND<V

＆ LT ; V

1.22

1.85

2.4

2.08

3.15

9.6

GND

1.12

1.70

2.00

1.98

3.00

9.24

-10

1.32

2.00

2.76

2.18

3.30

9.96

+10

符号

测试条件

民

典型值

最大

= -40 ° C至+ 125°C

民

（注8）

最大

（注8）

单位

FN7707.0

2010年10月12日