数据表号PD 96945A
IRIS-G6351S
特点
设置在单片式控制与采用导通芯片级振荡器
修剪技术。
小的温度变化特性，采用一个比较器
补偿温度的控制部分。
低的启动电路的电流（ 50uA的最大值）
内置有源低通滤波器用于稳定运行的情况下，光
负载
雪崩能量担保MOSFET具有高VDSS
内置功率MOSFET ，简化了浪涌吸收电路
由于MOSFET保证了雪崩能量。
没有VDSS降额是必需的。
内置稳压驱动电路
各种保护功能
脉冲逐脉冲过流保护（ OCP）
过电压保护与锁存模式（ OVP ）
与锁存模式热关断（ TSD ）
IRIS-G6351S
650
3.95Ω
集成开关调节器
包装外形
TO- 220 Fullpack （ 5引线）
关键的特定连接的阳离子
TYPE
MOSFET
VDSS （ V）
RDS （ ON）
最大
AC输入（V）的
230±15%
85至264
的Pout （W）的
注1
65
30
说明
注1：噘（ W）代表热额定值中华人民共和国操作，
并通过大约120 140 ％的所得到的功率输出峰
上面列出的。当输出电压较低， ON占空比窄，
所述的Pout （W）应成为比上述下部。
IRIS - G6351S是一种混合集成电路包括从功率MOSFET和控制器IC，专为中华人民共和国反激式转换器
型SMPS （开关电源）的应用程序。该IC实现了小型化的电源和规范
供给系统减少了外部元件数，简化了电路设计。
（注） 。中国是缩写
*脉冲
比率控制“ （在宽度控制与固定关断时间） 。
典型连接图
IRIS-G6300
OCP / FB
VIN
GND
S
D
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IRIS-G6351S
绝对最大额定值（Ta = 25℃ ）
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有电压参数
参考说明终端的绝对电压，电流都被定义成阳性的任何领先。热敏电阻和功率
耗散额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
符号
I
Dpeak
I
DMAX
德网络nition
漏电流
*1
最大开关电流* 5
码头最大。评级
1-2
2.7
1-2
2.7
单位
A
A
记
单脉冲
V
2-3
=0.82V
Ta=-20~+125℃
单脉冲
V
DD = 99V ，L = 20mH
I
L峰值
=2.7A
E
AS
VIN
VTH
P
D1
P
D2
T
F
顶部
TSTG
总胆固醇
单脉冲雪崩能量* 2
输入电压控制部
O.C.P / F.B引脚电压
功耗MOSFET * 3
功耗控制部分
（控制芯片） * 4
内部框架温度
在操作
工作环境温度
储存温度
通道温度
1-2
4-3
5-3
1-2
4-3
-
-
-
-
92
35
6
24
1.5
0.14
-20 ~ +125
-20 ~ +125
-40 ~ +125
150
mJ
V
V
W
W
W
℃
℃
℃
℃
随着infintite散热器
无需散热器
通过指定
VIN × Iin的
参照推荐
工作温度
* 1。请参MOS FET A.S.O曲线
* 2 MOS FET TCH- EAS曲线
* 3参见MOS FET的Ta - PD1曲线
* 4参见TF- PD2曲线控制IC （见第5页）
* 5最大开关电流。
Fig.1
V
2-3
最大开关电流的漏电流通过IC的驱动电压来确定，并
阈值电压的MOS FET的电压（Vth ） 。因此，在该事件是压降引脚2与之间发生
由于引脚3的图案，最大开关电流减小如图V
2-3
在图1
因此请减少值的范围内使用该设备，指的是降额
曲线的最大开关电流。
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IRIS-G6351S
电气特性（用于控制IC）
为控制部分的电气特性（Ta = 25 ℃ ， VIN = 20V ，除非另有说明）
符号
V
IN（上）
V
中（关闭）
I
IN（上）
I
中（关闭）
T
关（ MAX）的
VTH
I
OCP / FB
V
IN（ OVP ）
I
在（H）的
V
在（ La.OFF ）
Tj
（ TSD ）
德网络nition
操作启动电压
操作停止电压* 6
在运算电路电流
在非操作电路的电流
最大断时间
O.C.P / F.B引脚阈值电压
O.C.P / F.B针抽取电流
O.V.P工作电压
锁存电路保持电流* 7
锁存电路释放电压* 6,7
热关断工作温度
民
15.8
9.1
-
-
12
0.7
0.7
23.2
-
7.9
135
评级
典型值
17.6
10.1
-
-
15
0.76
0.8
25.5
-
-
-
最大
19.4
11.1
5
50
18
0.82
0.9
27.8
70
10.5
-
单位
V
V
mA
A
微秒
V
mA
V
A
V
℃
测试条件
Vin=0
→
19.4V
Vin=19.4
→
9.1V
-
Vin=15V
-
-
-
Vin=0
→27.8
V
Vin=27.8
→(Vin(OFF)-0.3)V
Vin=27.8
→7.9V
-
* 6 Ⅴ的关系
中（关闭）
＆ GT ; V
在（ La.OFF ）
应用于每个产品
* 7锁存电路是指电路操作OVP和TSD
电气特性（ MOSFET ）
（ TA = 25 ℃ ），除非另有说明
符号
V
DSS
I
DSS
德网络nition
漏极至源极击穿电压
漏极漏电流
民
650
-
-
-
-
评级
典型值
-
-
-
-
-
最大
-
300
3.95
250
2.4
单位
V
A
Ω
纳秒
℃
/W
测试条件
ID=300A
V3
- 2
=0V(short)
V
DS
=650V
V3-2=0V(short)
V3-2=10V
I
D
=0.6A
R
DS （ ON）
导通电阻
tf
开关时间
θ
CH -F
热阻
-
通道之间
内部框架
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