PD - 93822B
抗辐射
功率MOSFET
直通孔（ TO- 257AA ）
产品概述
产品型号
IRHY57230CMSE
辐射水平
100K拉德（SI ）
R
DS （ ON）
0.23
I
D
12A
IRHY57230CMSE
JANSR2N7489T3
200V N沟道
REF ： MIL -PRF- 705分之19500
5
技术
QPL型号
JANSR2N7489T3
国际整流器公司R5
TM
技术提供
高性能功率MOSFET，用于空间
应用程序。这些装置已被表征
单粒子效应（ SEE ）与有用的性能
高达80 （兆电子伏/ （毫克/平方厘米的LET
2
））。组合
中低R
DS （ ON）
和低门电荷降低
功率损耗在开关应用中，如DC
至DC转换器和电动机控制。这些设备
保留所有已确立的优势
MOSFET的诸如电压控制，快速开关，
方便的并联和温度稳定性
电气参数。
TO-257AA
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
超低低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
陶瓷封装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
对于脚注参考最后一页
12
7.6
48
75
0.6
±20
60
12
7.5
5.4
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
300 （ 0.063英寸案件从10秒/ 1.6毫米）
4.3 （典型值）
g
www.irf.com
1
06/10/04
IRHY57230CMSE ， JANSR2N7489T3
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔTJ温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
200
—
—
2.5
6.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.26
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.8
—
—
0.23
4.5
—
10
25
100
-100
28
9.0
12
25
100
35
30
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 7.6A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 7.6A
VDS = 160V ， VGS = 0V
VDS = 160V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 12A
VDS = 100V
VDD = 100V ，ID = 12A ，
VGS = 12V时， RG = 7.5Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从漏极引线测量（6毫米
0.25英寸从包中）源
铅（6毫米/ 0.25英寸从包中）
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
西塞
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
1000
184
11
—
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
TRR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
12
48
1.2
300
3.2
测试条件
A
V
nS
C
T
j
= 25 ℃， IS = 12A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 12A ， di / dt的
≤100A/s
VDD
≤
25V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJA
结到外壳
结到环境
最小典型最大
—
—
—
—
1.67
80
单位
° C / W
测试条件
典型的插座安装
注：对应的香料和军刀车型可在国际整流器公司的网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
IRHY57230CMSE ， JANSR2N7489T3
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 257AA ）
二极管的正向电压
民
200
2.0
—
—
—
—
—
—
100K拉德（SI ）
最大
—
4.5
100
-100
10
0.232
0.23
1.2
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
=160V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
= 7.6A
V
GS
= 12V，我
D
= 7.6A
V
GS
= 0V时，我
D
= 12A
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Br
I
Au
LET
兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
36.7
59.8
82.3
能源
（兆电子伏）
309
341
350
V
DS
(V)
范围
(m)
@V
GS
=0V @V
GS
=-5V @V
GS
=-10V @V
GS
=-15V @V
GS
=-20V
39.5
200
200
200
200
200
32.5
200
200
200
185
120
28.4
200
200
150
50
25
250
200
VDS
150
100
50
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
Br
I
Au
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
3
IRHY57230CMSE ， JANSR2N7489T3
预辐照
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
12V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
BOTTOM 5.0V
顶部
100
10
VGS
15V
12V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
BOTTOM 5.0V
顶部
1
5.0V
1
0.1
5.0V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.01
0.1
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 150
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
2.5
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 12A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 150
°
C
10
2.0
1.5
T
J
= 25
°
C
1
1.0
0.5
0.1
5.0
V DS =
15
50V
20μs的脉冲宽度
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 12V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
4
www.irf.com
预辐照
IRHY57230CMSE ， JANSR2N7489T3
2000
1600
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
20
I
D
= 12A
V
DS
= 160V
V
DS
= 100V
V
DS
= 40V
C，电容（pF ）
15
1200
西塞
科斯
10
800
400
CRSS
5
0
1
10
100
0
测试电路
见图13
0
10
20
30
40
50
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
操作中会受到此区域
RDS （ ON）
I
SD
，反向漏电流（ A）
T
J
= 150
°
C
10
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
10
100s
1ms
T
J
= 25
°
C
1
1
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
1.0
10
100
10ms
1000
0.1
0.3
V
GS
= 0 V
0.6
0.9
1.2
1.5
0.1
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
www.irf.com
5
PD - 93822
抗辐射
功率MOSFET
直通孔（ TO- 257AA ）
产品概述
产品型号
辐射二级R
DS （ ON）
I
D
IRHY57230CMSE 100K拉德（SI ） 0.23Ω 12A
IRHY57230CMSE
200V N沟道
4
#
技术
c
TO-257AA
国际整流器公司R5技术提供
高性能功率MOSFET，用于空间应用程序
阳离子。这些装置已被表征为
单粒子效应（ SEE）用业绩
高达80 （兆电子伏/ （毫克/平方厘米的LET
2
））。组合
中低R
DS （ ON）
和低门电荷降低功耗
在开关应用中，例如DC到DC损失
转换器和电机控制。这些设备保留
所有已确立的MOSFET的优点
例如电压控制，快速开关，便于paral-的
电参的乐陵和温度稳定性
ETERS 。
TM
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
超低低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
陶瓷封装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
对于脚注参考最后一页
12
7.8
48
75
0.6
±20
60
12
7.5
5.4
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
300 （ 0.063英寸案件从10秒/ 1.6毫米）
4.3 （典型值）
g
www.irf.com
1
01/31/01
IRHY57230CMSE
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
200
—
—
2.5
6.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.26
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.8
—
—
0.23
4.5
—
10
25
100
-100
28
7.4
12
25
100
35
30
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 7.8A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 7.8A
VDS = 160V ， VGS = 0V
VDS = 160V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 12A
VDS = 100V
VDD = 100V ，ID = 12A ，
VGS = 12V时， RG = 7.5Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从漏极引线测量（6毫米
0.25英寸从包中）源
铅（6毫米/ 0.25英寸从包中）
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
西塞
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
1000
184
11
—
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
12
48
1.2
300
3.2
测试条件
A
V
nS
C
T
j
= 25 ℃， IS = 12A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 12A ， di / dt的
≥
100A/s
VDD
≤
25V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJA
结到外壳
结到环境
最小典型最大单位
—
—
—
—
1.67
80
° C / W
测试条件
典型的插座安装
注：对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
IRHY57230CMSE
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 257AA ）
二极管的正向电压
100K拉德（SI ）
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
DS
=160V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
= 7.8A
V
GS
= 12V，我
D
= 7.8A
V
GS
= 0V时，我
D
= 12A
民
200
2.0
—
—
—
—
—
—
最大
—
4.5
100
-100
10
0.232
0.23
1.2
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Br
I
Au
LET
兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
36.7
59.8
82.3
能源
（兆电子伏）
309
341
350
V
DS
(V)
范围
(m)
@V
GS
=0V @V
GS
=-5V @V
GS
=-10V @V
GS
=-15V @V
GS
=-20V
39.5
200
200
200
200
200
32.5
200
200
200
185
120
28.4
200
200
150
50
25
250
200
VDS
150
100
50
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
Br
I
Au
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
3
QQ：2881677436 复制
