PD-94237F
RAD- HARD
同步整流器器
表面贴装（ SMD - 2 ）
产品概述
产品型号
IRHSNA57Z60
IRHSNA53Z60
IRHSNA54Z60
IRHSNA58Z60
辐射水平
100K拉德（SI ）
300K拉德（SI ）
600K拉德（SI ）
1000K拉德（SI ）
R
DS （ ON）
3.5m
3.5m
3.5m
4.0m
Q
G
200nC
200nC
200nC
200nC
SMD-2
IRHSNA57Z60
30V的N通道
描述：
该SynchFet家庭联合包抗辐射的MOSFET
和肖特基二极管提供了设计师的创新，
用于开关稳压器的电路板空间节省解决方案，
电源管理应用。抗辐射的MOSFET
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。结合
这项技术与国际整流器公司的低正向
降肖特基整流器产生一个非常有效的
装置适用于各种军事和
空间应用。
产品特点：
n
联合包N沟道抗辐射MOSFET
n
n
n
n
n
和肖特基二极管
理想的同步整流器的DC-DC
转换器高达75A的输出
低传导损耗
低开关损耗
低VF肖特基整流器
请参阅IRHSLNA57Z60更低的电感
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
IF （ AV） @ TC = 25°C
IF （ AV） @ TC = 100℃
TJ ， TSTG
连续漏极或源极电流
连续漏极或源极电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
肖特基体二极管的魅力。正向电流
肖特基体二极管的魅力。正向电流
Opeating和存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
*目前被封装的限制
对于脚注参考最后一页
预辐照
单位
75*
75*
300
250
2.0
±20
500
75
25
75*
75*
-55到150
300 （ 5秒）
3.3 （典型值）
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
A
°C
g
www.irf.com
1
09/06/02
IRHSNA57Z60
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
RDS （ ON）
VGS （ TH）
政府飞行服务队
IDSS
漏极至源极击穿电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
栅极阈值电压
正向跨导
零栅极电压漏极电流
民
30
—
2.0
45
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
—
—
—
—
—
—
3.5
4.0
—
50
50
V
m
V
S( )
A
mA
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 45A ？
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 45A ？
VDS = 24V ， VGS = 0V
VDS = 24V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 45A ，
VDS = 15V
VDD = 15V ， ID = 45A ，
VGS = 12V时， RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
—
100
— -100
—
200
—
55
—
40
—
35
—
160
—
78
—
26
7.03
—
nA
nC
ns
nH
从漏测中心
垫垫源中心
肖特基二极管&体二极管额定值和特性
参数
VSD
二极管的正向电压
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
1.15
—
1.05
—
0.95
—
175
—
500
8.09 —
测试条件
TJ = -55°C ， ID = 45A ， VGS = 0V ？
TJ = 25°C ， ID = 45A ， VGS = 0V ？
TJ = 110 ° C， ID = 45A ， VGS = 0V ？
TJ = 25°C ， IF = 45A ， di / dt的
≤
100A/s
VDS
≤
30V
从漏极焊盘的中心到测
来源垫中心（肖特基只）
V
nS
nC
nH
TRR
反向恢复时间
Q RR
反向恢复电荷
LS + LD总电感
吨
向前开启时间
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度由LS大大控制LD +
热阻
参数
RthJC
RthJC
结至外壳（ MOSFET ）
结至外壳（肖特基）
最小典型最大
—
—
—
—
0.5
0.7
单位
° C / W
测试条件
注：对应的香料和军刀车型都可以在网站上。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
IRHSNA57Z60
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试条件
为了系统蒸发散，以提供一个直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
⑦
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ SMD - 2 ）
二极管的正向电压
高达600K拉德（SI ）
1
1000K拉德（SI ）
2
单位
民
最大
民
最大
30
2.0
—
—
—
—
—
—
—
4.0
100
-100
10
4.0
3.5
1.3
30
1.5
—
—
—
—
—
—
—
4.0
100
-100
25
5.0
4.0
1.3
V
nA
A
m
m
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
= 24V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
=45A
V
GS
= 12V，我
D
=45A
V
GS
= 0V ， IS = 45A
1.部件号IRHSNA57Z60 ， IRHSNA53Z60和IRHSNA54Z60
2.产品编号IRHSNA58Z60
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
⑦
离子
Br
I
Au
LET
兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
37.9
59.4
80.3
能源
（兆电子伏）
255
290
313
V
DS
(V)
范围
(m)
@V
GS
=0V @V
GS
=-5V @V
GS
=-10V @V
GS
=-15V @V
GS
=-20V
33.4
30
30
30
25
20
28.8
25
25
20
15
10
26.5
22.5
22.5
15
10
—
35
30
25
VDS
20
15
10
5
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
Br
I
AU
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
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3
PD-94237F
RAD- HARD
同步整流器器
表面贴装（ SMD - 2 ）
产品概述
产品型号
IRHSNA57Z60
IRHSNA53Z60
IRHSNA54Z60
IRHSNA58Z60
辐射水平
100K拉德（SI ）
300K拉德（SI ）
600K拉德（SI ）
1000K拉德（SI ）
R
DS （ ON）
3.5m
3.5m
3.5m
4.0m
Q
G
200nC
200nC
200nC
200nC
SMD-2
IRHSNA57Z60
30V的N通道
描述：
该SynchFet家庭联合包抗辐射的MOSFET
和肖特基二极管提供了设计师的创新，
用于开关稳压器的电路板空间节省解决方案，
电源管理应用。抗辐射的MOSFET
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。结合
这项技术与国际整流器公司的低正向
降肖特基整流器产生一个非常有效的
装置适用于各种军事和
空间应用。
产品特点：
n
联合包N沟道抗辐射MOSFET
n
n
n
n
n
和肖特基二极管
理想的同步整流器的DC-DC
转换器高达75A的输出
低传导损耗
低开关损耗
低VF肖特基整流器
请参阅IRHSLNA57Z60更低的电感
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
IF （ AV） @ TC = 25°C
IF （ AV） @ TC = 100℃
TJ ， TSTG
连续漏极或源极电流
连续漏极或源极电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
肖特基体二极管的魅力。正向电流
肖特基体二极管的魅力。正向电流
Opeating和存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
*目前被封装的限制
对于脚注参考最后一页
预辐照
单位
75*
75*
300
250
2.0
±20
500
75
25
75*
75*
-55到150
300 （ 5秒）
3.3 （典型值）
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
A
°C
g
www.irf.com
1
09/06/02
IRHSNA57Z60
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
RDS （ ON）
VGS （ TH）
政府飞行服务队
IDSS
漏极至源极击穿电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
栅极阈值电压
正向跨导
零栅极电压漏极电流
民
30
—
2.0
45
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
—
—
—
—
—
—
3.5
4.0
—
50
50
V
m
V
S( )
A
mA
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 45A ？
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 45A ？
VDS = 24V ， VGS = 0V
VDS = 24V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 45A ，
VDS = 15V
VDD = 15V ， ID = 45A ，
VGS = 12V时， RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
—
100
— -100
—
200
—
55
—
40
—
35
—
160
—
78
—
26
7.03
—
nA
nC
ns
nH
从漏测中心
垫垫源中心
肖特基二极管&体二极管额定值和特性
参数
VSD
二极管的正向电压
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
1.15
—
1.05
—
0.95
—
175
—
500
8.09 —
测试条件
TJ = -55°C ， ID = 45A ， VGS = 0V ？
TJ = 25°C ， ID = 45A ， VGS = 0V ？
TJ = 110 ° C， ID = 45A ， VGS = 0V ？
TJ = 25°C ， IF = 45A ， di / dt的
≤
100A/s
VDS
≤
30V
从漏极焊盘的中心到测
来源垫中心（肖特基只）
V
nS
nC
nH
TRR
反向恢复时间
Q RR
反向恢复电荷
LS + LD总电感
吨
向前开启时间
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度由LS大大控制LD +
热阻
参数
RthJC
RthJC
结至外壳（ MOSFET ）
结至外壳（肖特基）
最小典型最大
—
—
—
—
0.5
0.7
单位
° C / W
测试条件
注：对应的香料和军刀车型都可以在网站上。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
IRHSNA57Z60
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试条件
为了系统蒸发散，以提供一个直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
⑦
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ SMD - 2 ）
二极管的正向电压
高达600K拉德（SI ）
1
1000K拉德（SI ）
2
单位
民
最大
民
最大
30
2.0
—
—
—
—
—
—
—
4.0
100
-100
10
4.0
3.5
1.3
30
1.5
—
—
—
—
—
—
—
4.0
100
-100
25
5.0
4.0
1.3
V
nA
A
m
m
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
= 24V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
=45A
V
GS
= 12V，我
D
=45A
V
GS
= 0V ， IS = 45A
1.部件号IRHSNA57Z60 ， IRHSNA53Z60和IRHSNA54Z60
2.产品编号IRHSNA58Z60
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
⑦
离子
Br
I
Au
LET
兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
37.9
59.4
80.3
能源
（兆电子伏）
255
290
313
V
DS
(V)
范围
(m)
@V
GS
=0V @V
GS
=-5V @V
GS
=-10V @V
GS
=-15V @V
GS
=-20V
33.4
30
30
30
25
20
28.8
25
25
20
15
10
26.5
22.5
22.5
15
10
—
35
30
25
VDS
20
15
10
5
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
Br
I
AU
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
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3
QQ：2881677436 复制
