PD -
97370
应用
l
直流电机驱动
l
高效率同步整流开关电源
l
不间断电源
l
高速电源开关
l
硬开关和高频电路
好处
l
优化的逻辑电平驱动器
l
非常低R
DS （ ON）
在4.5V V
GS
l
高级R *在4.5V V Q
GS
l
改进的门，雪崩和动态的dV / dt
耐用性
l
充分界定电容和雪崩
SOA
l
增强型体二极管的dV / dt和di / dt能力
l
LEAD -FREE
IRLS4030PbF
IRLSL4030PbF
HEXFET
功率MOSFET
D
G
S
V
DSS
R
DS （ ON）
典型值。
马克斯。
I
D
100V
3.4m
4.3m
180A
G
D
S
S
D
G
TO-262
IRLSL4030bF
D
2
PAK
IRLS4030PbF
G
D
S
门
漏
来源
绝对最大额定值
符号
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
参数
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
c
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复
e
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
（ 1.6毫米的情况下）
马克斯。
180
130
730
370
2.5
± 16
21
-55 + 175
300
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
雪崩特性
E
AS （限热）
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量
d
雪崩电流
c
重复性雪崩能量
f
305
参见图。 14，15， 22a和22b的
mJ
A
mJ
热阻
符号
R
θJC
R
θJA
参数
结到外壳
jk
结到环境（印刷电路板安装）
ij
典型值。
–––
–––
马克斯。
0.40
40
单位
° C / W
www.irf.com
1
02/12/09
IRLS/SL4030PbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
100
–––
–––
–––
1.0
–––
–––
–––
–––
–––
条件
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
G（ INT ）
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
内部栅极电阻
–––
0.10
3.4
3.6
–––
–––
–––
–––
–––
2.1
–––
–––
4.3
4.5
2.5
20
250
100
-100
–––
V V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 5mAc
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 110A
f
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 92A
f
V V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
A
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 16V
nA
V
GS
= -16V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
SYNC
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
EFF 。 （ ER）的
C
OSS
EFF 。 （ TR）的
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
总栅极电荷同步。 （Q
g
- Q
gd
)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
S
nC
条件
V
DS
= 25V ，我
D
= 110A
I
D
= 110A
V
DS
= 50V
V
GS
= 4.5V
f
I
D
= 110A ，V
DS
=0V, V
GS
= 4.5V
V
DD
= 65V
I
D
= 110A
R
G
= 2.7
V
GS
= 4.5V
f
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
= 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
h
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
g
320 ––– –––
–––
87
130
–––
27
–––
–––
45
–––
–––
42
–––
–––
74
–––
––– 330 –––
––– 110 –––
––– 170 –––
––– 11360 –––
––– 670 –––
––– 290 –––
有效的输出电容（能源相关）H --- 760 ---
––– 1140 –––
有效的输出电容（时间相关）G
ns
pF
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
c
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
180
A
730
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
D
S
p-n结二极管。
––– –––
1.3
V T，
J
= 25 ° C，I
S
= 110A ，V
GS
= 0V
f
T
J
= 25°C
V
R
= 85V,
–––
50
–––
ns
T
J
= 125°C
I
F
= 110A
–––
60
–––
的di / dt = 100A / μs的
f
T
J
= 25°C
–––
88
–––
nC
T
J
= 125°C
––– 130 –––
–––
3.3
–––
一件T
J
= 25°C
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.05mH
R
G
= 25, I
AS
= 110A ，V
GS
= 10V 。部分不推荐使用
高于此值。
I
SD
≤
110A ， di / dt的
≤
1330A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。为
推荐的足迹和焊接techniquea参考applocation
注意＃ AN- 994 echniques参考应用笔记＃ AN- 994 。
R
θ
处测得的TJ约90℃。
R
θJC
所示的值是在零时间。
2
www.irf.com
IRLS/SL4030PbF
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
1000
顶部
VGS
15V
10V
8.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.7V
2.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
底部
100
2.5V
10
2.5V
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
1
0.1
1
10
100
1000
V DS ，漏极至源极电压（ V）
10
0.1
1
≤
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
1000
V DS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
1000
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
图2 。
典型的输出特性
2.5
ID = 110A
V GS = 10V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
2.0
100
TJ = 175℃
TJ = 25°C
1.5
1.0
10
V DS = 50V
1.0
1
2
≤
在60μs脉冲宽度
3
4
5
0.5
0.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
TJ ，结温（ ° C）
V GS ，栅 - 源极电压（ V）
图3 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
图4 。
归一化的导通电阻与温度的关系
5.0
ID = 110A
V GS ，栅 - 源极电压（ V）
V DS = 80V
V DS = 50V
4.0
C，电容（pF ）
10000
西塞
3.0
科斯
1000
CRSS
2.0
1.0
100
1
10
V DS ，漏极至源极电压（ V）
100
0.0
0
20
40
60
80
100
QG ，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容与漏 - 源极电压
图6 。
典型栅极电荷与栅极至源极电压
www.irf.com
3
IRLS/SL4030PbF
1000
TJ = 175℃
100
10000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
1000
100sec
100
10msec
1msec
10
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
10
TJ = 25°C
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
1
V GS = 0V
0.1
V SD ，源极到漏极电压（V ）
DC
0
1
10
100
1000
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压（ V）
200
180
160
ID ，漏电流（ A）
图8 。
最大安全工作区
125
ID = 5毫安
120
115
110
105
100
95
90
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
TJ ，温度（° C）
140
120
100
80
60
40
20
0
25
50
75
100
125
150
175
TC ，外壳温度（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
4.5
4.0
3.5
3.0
能量（ μJ ）
图10 。
漏极至源极击穿电压
1400
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
1200
1000
800
600
400
200
0
ID
顶部
17A
40A
BOTTOM 110A
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-20
0
20
40
60
80
100
120
25
50
75
100
125
150
175
VDS ，漏极至源极电压（ V）
开始TJ ，结温（ ° C）
图11 。
典型的C
OSS
储能
图12 。
最大雪崩能量对比DrainCurrent
4
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IRLS/SL4030PbF
1
热响应（Z thJC ）° C / W
D = 0.50
0.1
0.20
0.10
0.05
0.01
0.02
0.01
τ
J
τ
J
τ
1
R
1
R
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
RI（ ° C / W）
τi
（秒）
τ
C
0.0477 0.000071
τ
0.1631
0.1893
0.000881
0.007457
τ
1
τ
2
τ
3
0.001
单脉冲
（热反应）
CI-
τi /日
Ci
τi /日
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.0001
1E-006
1E-005
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图13 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
1000
占空比=单脉冲
雪崩电流（ A）
100
允许雪崩电流与雪崩
脉宽， TAV ，假设
-Tj
= 150 ℃，并
T开始= 25 ° C（单脉冲）
0.01
0.05
0.10
10
1
允许雪崩电流与雪崩
脉宽， TAV ，假设
Τ
J = 25 ℃，并
T开始= 150℃。
0.1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
TAV （秒）
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
图14 。
典型的雪崩电流Vs.Pulsewidth
350
300
EAR ，雪崩能量（兆焦耳）
顶部
单脉冲
BOTTOM 1.0 ％占空比
ID = 110A
250
200
150
100
50
0
25
50
75
100
125
150
175
开始T J ，结温（ ° C）
对重复性雪崩曲线指出，图14 ， 15 ：
（有关详细信息，请参阅AN -1005在www.irf.com ）
1.雪崩失效的假设：
纯粹的热现象而发生故障时，在远的温度
多余的T
JMAX
。这验证了每一部分的类型。
在雪崩2.安全操作是允许的，只要AST
JMAX
不超标。
下面3.方程基于电路和在图16a所示的波形， 16b中。
4. P
D（ AVE ）
=每单脉冲雪崩平均功耗。
5. BV =额定击穿电压（ 1.3系数占电压升高
在雪崩） 。
6. I
av
=允许雪崩电流。
7.
T
=
允许上升的结温，不超过牛逼
JMAX
（假定为
25℃下在图14中， 15）。
t
AV =
平均时间在雪崩。
D =占空比雪崩= T
av
·f
Z
thJC
（ D，T
av
） =瞬态热阻，参见图13 ）
P
D（ AVE ）
= 1/2（ 1.3 BV · ·我
av
) =
DT /
Z
thJC
I
av
= 2DT / [1.3 BV · ·
th
]
E
AS （ AR ）
= P
D（ AVE ）
·t
av
图15 。
最大雪崩能量比。温度
www.irf.com
5
QQ：2881677436 复制
