PD - 93821
抗辐射
功率MOSFET
表面贴装（ SMD- 0.5 ）
产品概述
产品编号辐射水平
IRHNJ7230 100K拉德（SI ）
IRHNJ3230 300K拉德（SI ）
IRHNJ4230
600K拉德（SI ）
IRHNJ8230 1000K拉德（SI ）
R
DS （ ON）
0.40
0.40
0.40
0.53
I
D
9.4A
9.4A
9.4A
9.4A
IRHNJ7230
200V N沟道
抗辐射HEXFET
MOSFET技术
SMD-0.5
国际整流器公司的抗辐射
TM
HEXFET
MOSFET
技术提供高性能功率MOSFET
对于空间应用。该技术拥有超过一去
经过验证的性能和可靠性的卫星凯德
应用程序。这些装置已被表征
为总剂量和单粒子效应（ SEE ） 。该
低R组合
DS （ ON）
和低门电荷降低
的功率损耗在开关应用中，如DC
至DC转换器和电动机控制。这些设备重新
覃所有已确立的MOSFET的优点
例如电压控制，快速切换，易于并联的
荷兰国际集团和电参数的温度稳定性。
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
陶瓷封装
表面贴装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
300 （ 5秒）
1.0 （典型值）
9.4
6.0
37
75
0.6
±20
150
5.5
7.5
16
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
1
7/20/00
IRHNJ7230
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
200
—
—
—
2.0
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.23
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4.0
—
—
0.40
0.49
4.0
—
25
250
100
-100
50
10
25
35
75
70
60
—
V
V /°C的
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 6.0A
VGS = 12V ，ID =输出高达9.4A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 6.0A
VDS = 160V ， VGS = 0V
VDS = 160V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID =输出高达9.4A
VDS = 100V
VDD = 100V ， ID =输出高达9.4A ，
RG = 7.5Ω
V
S( )
A
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从中心测量
漏极焊盘源垫的中心
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
国际空间站
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
1200
250
63
—
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
9.4
37
1.4
460
2.4
测试条件
A
V
nS
C
T
j
= 25°C ， IS =输出高达9.4A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF =输出高达9.4A ， di / dt的
≥
100A/s
VDD
≤
25V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
结到外壳
最小典型最大单位
—
—
1.67
° C / W
测试条件
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
IRHNJ7230
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 39 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ SMD- 0.5 ）
二极管的正向电压
100K拉德（SI ）
1
300K到1000K拉德（SI ）
2
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
= 160V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
= 6.0A
V
GS
= 12V，我
D
= 6.0A
V
GS
= 0V ， IS =输出高达9.4A
民
200
2.0
—
—
—
—
—
—
最大
—
4.0
100
-100
25
0.41
0.40
1.4
民
200
1.25
—
—
—
—
—
—
最大
—
4.5
100
-100
25
0.54
0.53
1.4
1.部件号IRHNJ7230 ， IRHNJ3230 ， IRHNJ4230
2.产品编号IRHNJ8230
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Cu
Br
LET
兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
28.0
36.8
能源
（兆电子伏）
285
305
V
DS
(V)
范围
(m)
@V
GS
=0V @V
GS
=-5V @V
GS
=-10V @V
GS
=-15V @V
GS
=-20V
43.0
190
180
170
125
—
39.0
100
100
100
50
—
200
150
VDS
100
50
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
Cu
Br
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
3
PD - 93821A
抗辐射
功率MOSFET
表面贴装（ SMD- 0.5 ）
产品概述
产品编号辐射水平
IRHNJ7230
100K拉德（SI ）
IRHNJ3230
300K拉德（SI ）
IRHNJ4230
IRHNJ8230
500K拉德（SI ）
1000K拉德（SI ）
TM
IRHNJ7230
200V N沟道
抗辐射HEXFET
技术
R
DS （ ON）
0.40
0.40
0.40
0.53
HEXFET
I
D
9.4A
9.4A
9.4A
9.4A
SMD-0.5
国际整流器公司的抗辐射
技术
技术提供高性能功率MOSFET
对于空间应用。该技术具有较
在卫星经过验证的性能和可靠性的十年
应用程序。这些装置已被表征
为总剂量和单粒子效应（ SEE ） 。该
低R组合
DS （ ON）
和低门电荷降低
的功率损耗在开关应用中，如DC
至DC转换器和电动机控制。这些设备保留
所有已确立的MOSFET等的优点
作为电压控制，开关速度快，易于并联的
和温度的电参数的稳定性。
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
陶瓷封装
表面贴装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
对于脚注参考最后一页
300 （ 5秒）
1.0 （典型值）
9.4
6.0
37
75
0.6
±20
150
5.5
7.5
16
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
05/16/06
IRHNJ7230
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
200
—
—
—
2.0
2.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.23
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4.0
—
—
0.40
0.49
4.0
—
25
250
100
-100
50
10
25
35
75
70
60
—
V
V /°C的
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 6.0A
VGS = 12V ，ID =输出高达9.4A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 6.0A
VDS = 160V ， VGS = 0V
VDS = 160V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID =输出高达9.4A
VDS = 100V
VDD = 100V ， ID =输出高达9.4A ，
RG = 7.5Ω
VGS = 12V
从中心测量
漏极焊盘源垫的中心
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
V
S( )
A
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
西塞
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
1200
250
63
—
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
TRR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
9.4
37
1.4
460
2.4
测试条件
A
V
ns
C
T
j
= 25°C ， IS =输出高达9.4A ， VGS = 0V
TJ = 25°C ， IF =输出高达9.4A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
25V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
结到外壳
最小典型最大单位
—
—
1.67
° C / W
测试条件
注：对应的香料和军刀车型可在国际整流器公司的网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
IRHNJ7230
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ SMD- 0.5 ）
二极管的正向电压
100K拉德（SI ）
1
300K - 1000K拉德（SI ）
2
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
= 160V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
= 6.0A
V
GS
= 12V，我
D
= 6.0A
V
GS
= 0V ， IS =输出高达9.4A
民
200
2.0
—
—
—
—
—
—
最大
—
4.0
100
-100
25
0.41
0.40
1.4
民
200
1.25
—
—
—
—
—
—
最大
—
4.5
100
-100
25
0.54
0.53
1.4
1.产品型号IRHNJ7230
2.部件号IRHNJ3230 ， IRHNJ4230 ， IRHNJ8230
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Cu
Br
LET
（兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
28
36.8
能源
（兆电子伏）
285
305
V
DS
(V)
范围
(m)
@V
GS
=0V @V
GS
=-5V @V
GS
=-10V @V
GS
=-15V @V
GS
=-20V
43
190
180
170
125
—
39
100
100
100
50
—
200
150
VDS
100
50
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
Cu
Br
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
3
QQ：2881677436 复制
