【PD- 95253IRF7240PbFHEXFET功率MOSFETlllll超低导通电阻P沟道MOS】,IC型号IRF7240TRPBF,IRF7240TRPBF PDF资料,IRF7240TRPBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD- 95253

IRF7240PbF

HEXFET

功率MOSFET

超低导通电阻

P沟道MOSFET

表面贴装

可在磁带卷&

LEAD -FREE

DSS

-40V

DS （ ON）

最大

0.015@V

= -10V

0.025@V

= -4.5V

-10.5A

-8.4A

描述

从国际这些P沟道MOSFET

整流器采用先进的加工技术，

实现每个硅极低的导通电阻

区。这样做的好处为设计者提供了一个

非常有效的装置，电池和负载使用

管理应用程序..

采用SO-8已经通过定制进行了修改

引线框架用于增强热性能和

多模能力使它成为理想的各种

电源应用。有了这些改进，多

设备可用于在应用程序中使用显着

减少了电路板空间。该软件包是专为

气相，红外，或波焊工艺。

顶视图

SO-8

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

= 70°C

英镑

漏源电压

连续漏电流， V

@ -10V

连续漏电流， V

@ -10V

漏电流脉冲

功耗

功耗？

线性降额因子

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

-40

-10.5

-8.6

-43

2.5

1.6

± 20

-55到+ 150

单位

毫瓦/°C的

°C

热阻

参数

θJA

最大结点到环境？

马克斯。

单位

° C / W

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06/06/05

IRF7240PbF

电气特性@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

（ BR ） DSS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

分钟。

-40

–––

-1.0

–––

典型值。

–––

-0.025

–––

490

210

9250

580

520

MAX 。单位

条件

–––

= 0V时，我

= -250A

--- V / ° C参考到25° C，I

= -1mA

0.015

= -10V ，我

= -10.5A

0.025

= -4.5V ，我

= -8.4A

-3.0

= V

, I

= -250A

–––

= -10V ，我

= -10.5A

-15

= -32V, V

= 0V

-25

= -32V, V

= 0V ，T

= 70°C

-100

= -20V

100

= 20V

110

= -10.5A

= -20V

= -10V

–––

= -20V

–––

= -1.0A

–––

= 6.0

–––

= -10V

–––

= 0V

–––

= -25V

–––

= 1.0kHz

源极 - 漏极额定值和特性

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

-2.5

-43

-1.2

110

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

p-n结二极管。

= 25 ° C，I

= -2.5A ，V

= 0V

= 25 ° C，I

= -2.5A

的di / dt = -100A / μs的

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。

表面安装在1平方铜电路板，T

≤

5sec.

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

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IRF7240PbF

1000

VGS

顶部

-15V

-10V

-4.5V

-3.7V

-3.5V

-3.3V

-3.0V

BOTTOM -2.7V

1000

-I

，漏极 - 源极电流（A ）

100

-I

，漏极 - 源极电流（A ）

100

VGS

-15V

-10V

-4.5V

-3.7V

-3.5V

-3.3V

-3.0V

BOTTOM -2.7V

顶部

-2.70V

0.1

-2.70V

20μs的脉冲宽度

= 25

100

0.01

0.1

20μs的脉冲宽度

= 150

100

-V

，漏极至源极电压（ V）

-V

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.0

= 150

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

= -10.5A

-I

，漏极 - 源极电流（A ）

1.5

= 25

1.0

0.1

0.5

0.01

2.5

V DS = -25V

20μs的脉冲宽度

3.0

3.5

4.0

4.5

0.0

-60 -40 -20

= -10V

80 100 120 140 160

-V

，栅 - 源极电压（ V）

，结温（

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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IRF7240PbF

16000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

DS短路

CRSS = C

COSS = C + C

DS GD

-10.5A

=-32V

=-20V

=-8V

-V

，栅 - 源极电压（ V）

12000

C，电容（pF ）

西塞

8000

4000

科斯

CRSS

100

-V DS ，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

-I

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

-I

，漏电流（ A）

= 150

100us

1ms

= 25

10ms

0.1

0.4

= 0 V

0.6

0.8

1.0

1.2

0.1

= 25 ° C

= 150 ° C

单脉冲

100

-V

，源极到漏极电压（V ）

-V

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

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IRF7240PbF

D.U.T.

-I

，漏电流（ A）

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

D（上）

D（关闭）

100

125

150

10%

，外壳温度（ ° C）

90%

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

100

热响应（Z

thJA

)

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

0.1

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJA

+ T

0.01

0.1

100

0.01

0.00001

0.0001

0.001

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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地址：上海公司：上海市静安区海宁路1399号金城大厦北京公司：海淀区中关村大街 32 号蓝天科技综合楼青岛公司：城阳区正阳路205号海都国际A座805

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