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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第285页 > IRHNB7Z60
PD - 91754A
抗辐射
功率MOSFET
表面贴装( SMD - 3 )
产品概述
产品型号
IRHNB7Z60
IRHNB3Z60
IRHNB4Z60
IRHNB8Z60
辐射水平
100K拉德(SI )
300K拉德(SI )
600K拉德(SI )
1000K拉德(SI )
R
DS ( ON)
0.009
0.009
0.009
0.009
I
D
75*A
75*A
75*A
75*A
IRHNB7Z60
30V的N通道
抗辐射HEXFET
技术
SMD-3
国际整流器公司?的RADHard HEXFET
术提供高性能功率MOSFET的
空间应用。该技术拥有超过一去
经过验证的性能和可靠性的卫星凯德
应用程序。这些装置已经character-
美化版为总剂量和单粒子效应( SEE ) 。
低RDS(ON )和低门电荷组合
减少了功率损耗的开关应用
例如DC到DC转换器和电动机控制。这些
设备保留所有已确立的优势
MOSFET的诸如电压控制的,快速的切换,
方便的elec-并联和温度稳定性
Trical公司的参数。
产品特点:
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应( SEE )
低R
DS ( ON)
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
陶瓷封装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V , TC = 25°C
ID @ VGS = 12V , TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
包安装表面温度
重量
对于脚注参考最后一页
*当前是通过内部导线直径的限制
300( 5秒)。
3.3 (典型值)
75*
75*
300
300
2.4
±20
500
75
30
0.35
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
12/18/01
IRHNB7Z60
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C(除非另有说明)
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔTJ温度系数
电压
RDS ( ON)
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS ( TH)
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
30
2.0
31
典型值最大值单位
0.023
4.0
7000
4800
1800
0.009
4.0
25
250
100
-100
421
104
74
32
370
150
280
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ,ID = 1.0毫安
参考至25℃ , n = 1.0毫安
VGS = 12V ,ID = 75A
VDS = VGS ,ID = 1.0毫安
VDS > 15V , IDS = 75A
VDS = 24V , VGS = 0V
VDS = 24V ,
VGS = 0V , TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ,ID = 75A
VDS = 15V
VDD = 15V , ID = 75A
VGS = 12V时, RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
(上)
tr
td
(关闭)
tf
LS + LD
国际空间站
科斯
CRSS
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极(米勒?? ??)充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
nA
nC
ns
nH
pF
从中心测量
漏极焊盘源垫的中心
VGS = 0V , VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
75*
300
1.8
245
1.1
测试条件
A
V
nS
C
T
j
= 25 ℃, IS = 75A ,V GS = 0V
TJ = 25°C , IF = 75A , di / dt的
100A/s
VDD
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
*当前由内部金属丝直径的限制
热阻
参数
thJC
RthJ -PCB
结到外壳
结至PC板
最小典型最大单位
1.6
0.42
° C / W
测试条件
焊接到一个1“平方镀铜板
注:对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
预辐照
IRHNB7Z60
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试,以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试(每个音符5和6)采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C,邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻( TO- 3 )
静态漏 - 源
通态电阻( SMD - 3 )
二极管的正向电压
100K拉德(SI )
1
300 - 1000K拉德(SI )
2
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 12V,我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V,我
D
=15A
V
GS
= 12V,我
D
=15A
V
GS
= 0V , IS = 75A
30
2.0
最大
4.0
100
-100
25
0.009
0.009
1.8
30
1.25
最大
4.5
100
-100
50
0.03
0.03
1.8
1.产品型号IRHNB7Z60
2.部件号IRHNB3Z60 , IRHNB4Z60和IRHNB8Z60
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应( SEE ) 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
LET
兆电子伏/ (毫克/平方厘米) )
36.8
59.9
80.3
能源
(兆电子伏)
305
345
313
范围
(m)
@VGS=0V
Br
I
AU
39
32.8
26.5
30
25
22.5
@VGS=-5V
30
25
22.5
VDS ( V)
@VGS=-10V
30
20
15
@VGS=-15V
25
15
10
@VGS=-20V
20
10
_
35
30
25
VDS
20
15
10
5
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
Br
I
AU
所示的。
单粒子效应,安全工作区
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
3
IRHNB7Z60
预辐照
1000
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
100
I
D
,漏极 - 源极电流(A )

VGS
顶部
15V
12V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
BOTTOM 5.0V
1000

VGS
15V
12V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
BOTTOM 5.0V
顶部
100
5.0V
5.0V
10
0.1
20μs的脉冲宽度

T = 25℃
J
°
1
10
100
10
0.1
20μs的脉冲宽度

T = 150℃
J
°
1
10
100
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.0
T
J
= 25
°
C

T
J
= 150
°
C

R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(归一化)
I
D
= 75A

I
D
,漏极 - 源极电流(A )
1.5
100
1.0
0.5
10
5
6
7
8

V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
10
11
9
12
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V

0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
J
,结温(
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
4
www.irf.com
预辐照
IRHNB7Z60
15000
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
12000
V
GS
=
C
国际空间站
=
C
=
C

C
RSS
=
OSS
OSS
C,电容(pF )
西塞

9000

0V,
F = 1MHz的
C
gs
+ C
GD ,
C
ds
C
gd
C
ds
+ C
gd
20
I
D
= 75A

16

V
DS
= 24V
V
DS
= 15V
12
6000
C

RSS
8
3000
4
0
1
10
100
0
0
100
测试电路

见图13
200
300
400
V
DS
,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
SD
,反向漏电流( A)
在这一领域有限
由R

DS ( ON)
T
J
= 25
°
C

T
J
= 150
°
C

I
D
,漏电流( A)
100

100us
100

1ms
10
1
0.0
V
GS
= 0 V

1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
10

T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
1
10

10ms
100
V
SD
,源极到漏极电压(V )
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
www.irf.com
5
PD - 91754A
抗辐射
功率MOSFET
表面贴装( SMD - 3 )
产品概述
产品型号
IRHNB7Z60
IRHNB3Z60
IRHNB4Z60
IRHNB8Z60
辐射水平
100K拉德(SI )
300K拉德(SI )
600K拉德(SI )
1000K拉德(SI )
R
DS ( ON)
0.009
0.009
0.009
0.009
I
D
75*A
75*A
75*A
75*A
IRHNB7Z60
30V的N通道
抗辐射HEXFET
技术
SMD-3
国际整流器公司?的RADHard HEXFET
术提供高性能功率MOSFET的
空间应用。该技术拥有超过一去
经过验证的性能和可靠性的卫星凯德
应用程序。这些装置已经character-
美化版为总剂量和单粒子效应( SEE ) 。
低RDS(ON )和低门电荷组合
减少了功率损耗的开关应用
例如DC到DC转换器和电动机控制。这些
设备保留所有已确立的优势
MOSFET的诸如电压控制的,快速的切换,
方便的elec-并联和温度稳定性
Trical公司的参数。
产品特点:
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应( SEE )
低R
DS ( ON)
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
陶瓷封装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V , TC = 25°C
ID @ VGS = 12V , TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
包安装表面温度
重量
对于脚注参考最后一页
*当前是通过内部导线直径的限制
300( 5秒)。
3.3 (典型值)
75*
75*
300
300
2.4
±20
500
75
30
0.35
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
12/18/01
IRHNB7Z60
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C(除非另有说明)
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔTJ温度系数
电压
RDS ( ON)
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS ( TH)
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
30
2.0
31
典型值最大值单位
0.023
4.0
7000
4800
1800
0.009
4.0
25
250
100
-100
421
104
74
32
370
150
280
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ,ID = 1.0毫安
参考至25℃ , n = 1.0毫安
VGS = 12V ,ID = 75A
VDS = VGS ,ID = 1.0毫安
VDS > 15V , IDS = 75A
VDS = 24V , VGS = 0V
VDS = 24V ,
VGS = 0V , TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ,ID = 75A
VDS = 15V
VDD = 15V , ID = 75A
VGS = 12V时, RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
(上)
tr
td
(关闭)
tf
LS + LD
国际空间站
科斯
CRSS
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极(米勒?? ??)充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
nA
nC
ns
nH
pF
从中心测量
漏极焊盘源垫的中心
VGS = 0V , VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
Q RR
连续源电流(体二极管)
脉冲源电流(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
75*
300
1.8
245
1.1
测试条件
A
V
nS
C
T
j
= 25 ℃, IS = 75A ,V GS = 0V
TJ = 25°C , IF = 75A , di / dt的
100A/s
VDD
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
*当前由内部金属丝直径的限制
热阻
参数
thJC
RthJ -PCB
结到外壳
结至PC板
最小典型最大单位
1.6
0.42
° C / W
测试条件
焊接到一个1“平方镀铜板
注:对应的香料和军刀车型可在G&S网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
预辐照
IRHNB7Z60
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试,以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试(每个音符5和6)采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C,邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻( TO- 3 )
静态漏 - 源
通态电阻( SMD - 3 )
二极管的正向电压
100K拉德(SI )
1
300 - 1000K拉德(SI )
2
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 12V,我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V,我
D
=15A
V
GS
= 12V,我
D
=15A
V
GS
= 0V , IS = 75A
30
2.0
最大
4.0
100
-100
25
0.009
0.009
1.8
30
1.25
最大
4.5
100
-100
50
0.03
0.03
1.8
1.产品型号IRHNB7Z60
2.部件号IRHNB3Z60 , IRHNB4Z60和IRHNB8Z60
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应( SEE ) 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
LET
兆电子伏/ (毫克/平方厘米) )
36.8
59.9
80.3
能源
(兆电子伏)
305
345
313
范围
(m)
@VGS=0V
Br
I
AU
39
32.8
26.5
30
25
22.5
@VGS=-5V
30
25
22.5
VDS ( V)
@VGS=-10V
30
20
15
@VGS=-15V
25
15
10
@VGS=-20V
20
10
_
35
30
25
VDS
20
15
10
5
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
Br
I
AU
所示的。
单粒子效应,安全工作区
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
3
IRHNB7Z60
预辐照
1000
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
100
I
D
,漏极 - 源极电流(A )

VGS
顶部
15V
12V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
BOTTOM 5.0V
1000

VGS
15V
12V
10V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
BOTTOM 5.0V
顶部
100
5.0V
5.0V
10
0.1
20μs的脉冲宽度

T = 25℃
J
°
1
10
100
10
0.1
20μs的脉冲宽度

T = 150℃
J
°
1
10
100
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.0
T
J
= 25
°
C

T
J
= 150
°
C

R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(归一化)
I
D
= 75A

I
D
,漏极 - 源极电流(A )
1.5
100
1.0
0.5
10
5
6
7
8

V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
10
11
9
12
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V

0
20
40
60
80 100 120 140 160
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
J
,结温(
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
4
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预辐照
IRHNB7Z60
15000
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
12000
V
GS
=
C
国际空间站
=
C
=
C

C
RSS
=
OSS
OSS
C,电容(pF )
西塞

9000

0V,
F = 1MHz的
C
gs
+ C
GD ,
C
ds
C
gd
C
ds
+ C
gd
20
I
D
= 75A

16

V
DS
= 24V
V
DS
= 15V
12
6000
C

RSS
8
3000
4
0
1
10
100
0
0
100
测试电路

见图13
200
300
400
V
DS
,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
SD
,反向漏电流( A)
在这一领域有限
由R

DS ( ON)
T
J
= 25
°
C

T
J
= 150
°
C

I
D
,漏电流( A)
100

100us
100

1ms
10
1
0.0
V
GS
= 0 V

1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
10

T
C
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
1
10

10ms
100
V
SD
,源极到漏极电压(V )
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
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