PD-96916
抗辐射
功率MOSFET
表面贴装（ TO- 254AA无接头）
产品概述
产品编号辐射水平
IRHMJ57160 100K拉德（SI ）
IRHMJ53160
IRHMJ54160
300K拉德（SI ）
600K拉德（SI ）
R
DS （ ON）
0.018
0.018
0.018
0.019
I
D
35A*
35A*
35A*
35A*
IRHMJ57160
100V N沟道
5
技术
IRHMJ58160 1000K拉德（SI ）
TO- 254AA无接头
国际整流器公司R5
TM
技术提供
高性能功率MOSFET，用于空间
应用程序。这些装置已被表征
单粒子效应（ SEE ）与有用的性能
高达80 （兆电子伏/ （毫克/平方厘米的LET
2
））。组合
低
RDS （ ON）
和低门电荷降低
功率损耗在开关应用中，如DC
至DC转换器和电动机控制。这些设备
保留所有已确立的优势
MOSFET的诸如电压控制，快速开关，
方便的并联和温度稳定性
电气参数。
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
相同的预处理和后电气试验条件
重复雪崩额定值
动态dv / dt的额定值
简单的驱动要求
易于并联的
Hermatically密封
Electically隔离
陶瓷鸡眼
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
Pckg 。安装面温度。
重量
*目前被封装的限制
对于脚注参考最后一页
35*
35*
140
250
2.0
±20
500
35
25
3.4
-55到150
300 （ 5秒）
3.7 （典型值）
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
12/24/04
IRHMJ57160
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BV DSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
100
—
—
2.0
42
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.013
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6.8
—
—
0.018
4.0
—
10
25
100
-100
160
45
65
35
75
75
35
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
V GS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 35A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 35A
VDS = 80V ， VGS = 0V
VDS = 80V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 35A
VDS = 50V
VDD = 50V ， ID = 35A
VGS = 12V时， RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
M
从漏极引线（6毫米/ 0.25英寸easured
从包中）源铅（6毫米/ 0.25英寸
从包中）与源内部的电线
从源衬垫粘合到漏极焊盘
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
5620
1583
50
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
TRR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
35*
140
1.2
270
1.9
测试条件
A
V
ns
C
T
j
= 25 ℃， IS = 35A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 35A ， di / dt的
≤100A/s
VDD
≤
25V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
*目前被封装的限制
热阻
参数
RthJC
RthCS
RthJA
结到外壳
外壳到散热器
结到环境
最小典型最大单位
—
—
—
— 0.50
0.21 —
—
48
° C / W
测试条件
典型的插座安装
注：对应的香料和军刀车型可在国际整流器公司的网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
预辐照
IRHMJ57160
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 254 ）
二极管的正向电压
高达600K拉德（SI ）
1
1000K拉德（SI ）
2
单位
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
= 80V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
=35A
V
GS
= 12V，我
D
=35A
V
GS
= 0V ， IS = 35A
民
100
2.0
—
—
—
—
—
—
最大
—
4.0
100
-100
10
0.013
0.018
1.2
民
100
1.5
—
—
—
—
—
—
最大
—
4.0
100
-100
25
0.014
0.019
1.2
V
nA
A
V
1.部件号IRHMJ57160 ， IRHMJ53160和IRHMJ54160
2.产品编号IRHMJ58160
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Br
I
Au
LET
兆电子伏/ （毫克/平方厘米
2
))
36.7
59.8
82.3
能源
（兆电子伏）
309
341
350
V
DS
(V)
范围
(m)
@V
GS
=0V @V
GS
=-5V @V
GS
=-10V @V
GS
=-15V @V
GS
=-20V
39.5
100
100
100
100
100
32.5
100
100
100
35
25
28.4
100
100
80
25
—
120
100
80
VGS
60
40
20
0
0
-5
-10
VDS
-15
-20
Br
I
Au
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
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3
QQ：2881677436 复制
