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技术参数
IN74HC125A
四路三态同相缓冲器
高性能硅栅CMOS
该IN74HC125A在引出线的LS / ALS125相同。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，
它们与LS / ALSTTL输出兼容。
该IN74HC125A同相缓冲器被设计成与3-使用
态存储器地址驱动器，时钟驱动器，和其他面向总线的
系统。该装置具有四个独立的输出使是低电平有效。
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
订购信息
IN74HC125AN塑料
IN74HC125AD SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
逻辑图
引脚分配
功能表
输入
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
A
H
L
X
OE
L
L
H
产量
Y
H
L
Z
X =无关
Z =高阻抗
118
IN74HC125A
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5到+7.0
-1.5到V
CC
+1.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±35
±75
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
V
CC
=2.0 V
V
CC
=4.5 V
V
CC
=6.0 V
民
2.0
0
-55
0
0
0
最大
6.0
V
CC
+125
1000
500
400
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路，以防止损坏，由于高静电压或电
场。但是，必须采取预防措施，以避免超过最大额定更高的任何电压的应用
电压为这个高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围
GND≤ （V
IN
或V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
).
未使用的输出必须悬空。
119
IN74HC125A
DC电气特性
（电压参考GND）
V
CC
符号
参数
测试条件
V
保证限额
25
°C
to
-55°C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
±0.5
≤85
°C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1.0
±5.0
≤125
°C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1.0
±10
A
A
V
单位
V
IH
最小高级别
输入电压
最大的低 -
电平输入电压
最小高级别
输出电压
V
OUT
= V
CC
-0.1 V
I
OUT
≤
20
A
V
OUT
=0.1 V
I
OUT
≤
20
A
V
IN
=V
IH
I
OUT
≤
20
A
V
IN
=V
IH
I
OUT
≤
6.0毫安
I
OUT
≤
7.8毫安
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
6.0
6.0
V
V
IL
V
V
OH
V
V
OL
最底层
输出电压
V
IN
=V
IL
I
OUT
≤
20
A
V
IN
=V
IL
I
OUT
≤
6.0毫安
I
OUT
≤
7.8毫安
I
IN
I
OZ
最大输入
漏电流
最大三
状态漏泄
当前
最大静态
电源电流
（每包）
V
IN
=V
CC
或GND
输出高阻抗
状态
V
IN
=V
IL
或V
IH
V
IN
=V
CC
或GND
V
IN
=V
CC
或GND
I
OUT
=0A
I
CC
6.0
4.0
40
160
A
120
IN74HC125A
AC电气特性
(C
L
= 50pF的，输入吨
r
=t
f
= 6.0纳秒）
V
CC
符号
参数
V
保证限额
25
°C
to
-55°C
90
18
15
120
24
20
90
18
15
60
12
10
10
15
≤85°C
≤125°C
单位
t
PLH
, t
PHL
最大传输延迟，输入A的
输出Y（图1和3 ）
最大传输延迟，输出使能玩具
（图2和4）
最大传输延迟，输出使能玩具
（图2和4）
最大输出转换时间，任何输出
（图1和3）
最大输入电容
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态）
功率耗散电容（每缓冲器）
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
-
-
115
23
20
150
30
26
115
23
20
75
15
13
10
15
135
27
23
180
36
31
135
27
23
90
18
15
10
15
ns
t
PLZ
, t
PHZ
ns
t
PZL
, t
PZH
ns
t
TLH
, t
THL
ns
C
IN
C
OUT
pF
pF
典型的25°C ，V
CC
=5.0 V
45
pF
C
PD
用于确定空载动态功率
消费：
P
D
=C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
图1.开关波形
图2的开关波形
121
IN74HC125A
图3.测试电路
图4.测试电路
膨胀逻辑图
（设备的1/4）
122
技术参数
IN74HC125A
四路三态同相缓冲器
该IN74HC125A在引出线的LS / ALS125相同。该装置
输入与标准CMOS输出兼容;与上拉电阻，
它们与LS / ALSTTL输出兼容。
该IN74HC125A同相缓冲器被设计成与3-使用
态存储器地址驱动器，时钟驱动器，和其他面向总线的系统。
该装置具有四个独立的输出使是低电平有效。
输出直接连接到CMOS ， NMOS和TTL
工作电压范围： 2.0 6.0 V
低输入电流： 1.0
A
CMOS器件的高抗噪声特性
订购信息
IN74HC125AN塑料
IN74HC125AD SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
逻辑图
引脚分配
功能表
输入
A
引脚14 = V
CC
PIN 7 = GND
H
L
X
OE
L
L
H
产量
Y
H
L
Z
X =无关
Z =高阻抗
启示录00
IN74HC125A
最大额定值
*
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
I
CC
P
D
TSTG
T
L
*
参数
直流电源电压（参考GND）
DC输入电压（参考GND）
DC输出电压（参考GND）
DC输入电流，每个引脚
直流输出电流，每个引脚
直流电源电流，V
CC
和GND引脚
在静止空气中，塑料DIP功耗+
SOIC封装+
储存温度
焊接温度1毫米的表壳，持续10秒
（塑料DIP或SOIC封装）
价值
-0.5到+7.0
-1.5到V
CC
+1.5
-0.5到V
CC
+0.5
±20
±35
±75
750
500
-65到+150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
+降额 - 塑料DIP ： - 10毫瓦/°C， 65 °至125°C
SOIC封装： - 7毫瓦/°C， 65 °至125°C
推荐工作条件
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
A
t
r
, t
f
参数
直流电源电压（参考GND）
直流输入电压，输出电压（参考GND）
工作温度，所有封装类型
输入上升和下降时间（图1 ）
V
CC
=2.0 V
V
CC
=4.5 V
V
CC
=6.0 V
民
2.0
0
-55
0
0
0
最大
6.0
V
CC
+125
1000
500
400
单位
V
V
°C
ns
该器件包含保护电路，以防止损坏防范因高静态电压或电场。
然而，必须采取预防措施，以避免任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
IN
和V
OUT
应限制到范围GND≤ （Ⅴ
IN
or
V
OUT
)≤V
CC
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平（例如， GND或V
CC
） 。未使用
输出必须保持打开状态。
启示录00
IN74HC125A
DC电气特性
（电压参考GND）
V
CC
符号
参数
测试条件
V
保证限额
25
°C
to
-55°C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
±0.1
±0.5
≤85
°C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
±1.0
±5.0
≤125
°C
1.5
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
±1.0
±10
A
A
V
单位
V
IH
最小高
电平输入电压
最大的低 -
电平输入电压
最小高
电平输出电压
V
OUT
= V
CC
-0.1 V
I
OUT
≤
20
A
V
OUT
=0.1 V
I
OUT
≤
20
A
V
IN
=V
IH
I
OUT
≤
20
A
V
IN
=V
IH
I
OUT
≤
6.0毫安
I
OUT
≤
7.8毫安
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
4.5
6.0
6.0
6.0
V
V
IL
V
V
OH
V
V
OL
最大的低收入
电平输出电压
V
IN
=V
IL
I
OUT
≤
20
A
V
IN
=V
IL
I
OUT
≤
6.0毫安
I
OUT
≤
7.8毫安
I
IN
I
OZ
最大输入
漏电流
最大三
状态漏泄
当前
最大静态
电源电流
（每包）
V
IN
=V
CC
或GND
输出高阻抗
状态
V
IN
=V
IL
或V
IH
V
IN
=V
CC
或GND
V
IN
=V
CC
或GND
I
OUT
=0A
I
CC
6.0
4.0
40
160
A
启示录00
IN74HC125A
AC电气特性
(C
L
= 50pF的，输入吨
r
=t
f
= 6.0纳秒）
V
CC
符号
参数
V
保证限额
25
°C
to
-55°C
90
18
15
120
24
20
90
18
15
60
12
10
10
15
≤85°C
≤125°C
单位
t
PLH
, t
PHL
最大传输延迟，输入A的
输出Y（图1和3 ）
最大传输延迟，输出使能玩具
（图2和4）
最大传输延迟，输出使能玩具
（图2和4）
最大输出转换时间，任何输出
（图1和3）
最大输入电容
最大三态输出电容
（输出高阻抗状态）
功率耗散电容（每缓冲器）
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
-
-
115
23
20
150
30
26
115
23
20
75
15
13
10
15
135
27
23
180
36
31
135
27
23
90
18
15
10
15
ns
t
PLZ
, t
PHZ
ns
t
PZL
, t
PZH
ns
t
TLH
, t
THL
ns
C
IN
C
OUT
pF
pF
典型的25°C ，V
CC
=5.0 V
45
pF
C
PD
用于确定空载动态功率
消费：
P
D
=C
PD
V
CC2
F +我
CC
V
CC
图1.开关波形
图2的开关波形
启示录00
IN74HC125A
图3.测试电路
图4.测试电路
膨胀逻辑图
（设备的1/4）
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IC42S32400-7TG
ICL3310ECB
IRHMJ54160
IRF423
IDT7209L170CB
IDT7024S25JB
ISL6529ACR-T
IRKNF112-08FN
IS61NVF102418-7.5TQI
IDTCSPT857ABVI
ICL3232CV
IXFR10N100Q
IRKUF81-06HP
I24DB05K1F
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    -
    -
    -
    -
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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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