临时数据表号PD- 9.1395
的repetetive雪崩和dv / dt评分
HEXFET
晶体管
IRHM9230
P沟道
抗辐射
产品概述
产品型号
IRHM9230
BV
DSS
-200V
R
DS （ ON）
0.8
I
D
-6.5A
-200伏， 0.8Ω ，抗辐射HEXFET
国际整流器公司的P沟道抗辐射技术
HEXFETs表现出优异的阈值电压稳定性
并在总辐射剂量的击穿电压稳定性
高达10
5
拉德（SI ） 。下
相同
预处理和后处理的辐射
化试验条件下，国际整流器公司的P沟道RAD
HARD HEXFETs保留
相同
电气规格
至多1 ×10
5
拉德（ Si）的总剂量。在门无补偿
驱动电路是必需的。这些设备还能够
幸存的瞬态脉冲电离高达1 ×10
12
拉德（硅） /秒，并在数返回到正常操作
微秒。间的单粒子效应（ SEE ）测试
国家整流器P沟道抗辐射HEXFETs有
展示虚拟免疫力看到失败。自从
P沟道抗辐射工艺采用国际
IR的HEXFET专利技术，用户可以EX-
他们期望在业界最高的质量和可靠性。
P沟道抗辐射HEXFET晶体管还具有全
的既定的MOSFET的优点，如
电压控制，非常快速的切换，方便并联和
电参数的温度稳定性。
它们非常适合用于诸如开关
电源，电机控制，逆变器，斩波器，音频
放大器和高能量脉冲电路在空间和weap-
附件环境。
产品特点：
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
抗辐射可达1 ×10
5
拉德（SI ）
单粒子烧毁（ SEB ）硬化
单粒子栅穿（ SEGR ）硬化
伽玛点（闪光X射线）硬化
中子宽容
相同的预处理和后电气试验条件
重复雪崩额定值
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
陶瓷鸡眼
s
电气隔离
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = -12V ， TC = 25℃连续漏电流
ID @ VGS = -12V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
漏电流脉冲
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
我AR
EAR
dv / dt的
TJ
TSTG
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
注：请参阅第4页
预辐射
IRHM9230
-6.5
-4.1
-26
75
0.2
±20
330
-6.5
7.5
-5.0
-55到150
o
C
单位
A
W
W / K
V
mJ
A
mJ
V / ns的
300 （ 0.063英寸（ 1 0.6毫米）的情况下， 10秒）
9.3 （典型值）
g
IRHM9230设备
预辐射
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔTJ温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源
导通状态电阻
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
分钟。典型值。马克斯。单位
-200
—
—
—
-2.0
2.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
-0.10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5.0
—
—
V
V /°C的
测试条件
VGS = 0V ， I D = -1.0毫安
参考至25℃ ， n = -1.0毫安
IGSS
IGSS
Qg
QGS
QGD
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
0.8
VGS = -12V ， I D = -4.1A
0.92
VGS = -12V ， I D = -6.5A
-4.0
V
VDS = VGS ，ID = -1.0毫安
— S( )
VDS > -15V ， I DS = -6.5A ？
-25
A
VDS = 0.8×最大值。评级， VGS = 0V
-250
VDS = 0.8×最大值。等级
VGS = 0V ， TJ = 125°C
-100
VGS = -20V
nA
100
VGS = 20V
35
VGS = -12V ， I D = -6.5A
nC
10
VDS =最大。评分×0.5
25
50
VDD = -100V ， ID = -6.5A ， RG = 2.35Ω
90
ns
90
90
测量从
修改MOSFET
—
nH
LS
内部源极电感
—
15
—
西塞
科斯
CRSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
1100
310
55
—
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
我SM
VSD
吨RR
QRR
T ON
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
—
-6.5
-26
A
—
—
-5.0
V
T
j
= 25°C ， IS = -6.5A ， VGS = 0V
—
—
400
ns
TJ = 25°C ， IF = -6.5A ， di / dt的
≤
-100 A / μs的
—
—
3.0
C
VDD
≤
-50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJA
结到外壳
结到环境
分钟。典型值。马克斯。单位
—
—
—
30
1.67
K / W
—
注：请参阅第4页
漏极引线的6mm （ 0.25
英寸）从包
中心模具。
符号显示的
内部电感。
测量从
来源铅的6mm
（0.25 ）从包
到源焊盘。
VGS = 0V ， VDS = -25V
F = 1.0 MHz的
测试条件
修改MOSFET符号
显示整体反转
p-n结整流器。
测试条件
IRHM9230设备
P沟道拉德的辐射性能
硬HEXFETs
国际整流器抗辐射HEXFETs
进行测试，以验证其硬度的能力。该
在国际整流器硬度保证计划
使用两个辐射环境。
每个制造批在低剂量率测试
（总剂量）每MLL -STD -750的环境中，测试方法
1019国际整流器公司征收标准
每注6 -12伏栅极电压和偏置VDSS
条件等于80％每设备在额定电压的
注意设备7前后的辐射限制
照射到1×10
5
拉德（Si）的是相同的，并且是
表1在表1中的值将得到满足
选择这两种低剂量率测试电路，该电路的
使用。
辐射特性
前和后的辐射性能进行测试
并使用相同的驱动器电路和测试指定
为了条件下提供直接的比较。它
应当指出的是在1×10辐射水平
5
拉德（SI ） ，在限制没有变化在指定的直流
参数。
高剂量率测试可以在一个特殊的做
请求的基础上，使用的剂量率高达1 ×10
12
拉德
（SI ） /秒。
国际整流器抗辐射的P沟道
HEXFETs被认为是中子容错，正如
在MIL -PRF- 19500 D组国际整流器P-
频道抗辐射HEXFETs已经
其特征在于重离子单粒子效应
环境，其结果示于表
3.
表1.低剂量率
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)1
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
导通状态电阻一
二极管的正向电压
IRHM9230
100K拉德（SI ）
分钟。
-200
-2.0
—
—
—
—
—
马克斯。
—
-4.0
-100
100
-25
0.8
-5.0
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= -1.0毫安
V
GS
= -20V
V
GS
= 20V
V
DS
= 0.8×最大额定值，V
GS
= 0V
V
GS
= -12V ，我
D
= -4.1A
T
C
= 25 ° C，I
S
= -6.5A ，V
GS
= 0V
表2高剂量率
参数
VDSS
IPP
的di / dt
L1
漏极至源极电压
10
11
拉德（SI ） / sec10
12
拉德（SI ） /秒
—
—
—
1
—
-160
—
—
-160
—
—
分钟。典型值最大值。 Min.Typ 。马克斯。单位
V
-100 —
-800 —
—
—
— -100
— -160
20 —
测试条件
施加的漏极 - 源极电压
在伽马点
A
峰值辐射诱导的光电流
光电流的上升A /微秒率
H
所需的电路的电感，以限制di / dt的
表3.单粒子效应
参数
BV DSS
典型值。
-200
单位
V
离子
Ni
LET （SI ）
（兆电子伏/毫克/平方厘米
2
)
28
注量
（离子数/厘米
2
)
1 x 10
5
范围
(m)
~41
V
DS
BIAS
(V)
-200
V
GS
BIAS
(V)
5
IRHM9230设备
重复评价;脉冲宽度有限的
最高结温。
请参阅当前HEXFET可靠性报告。
@ VDD = -50V ，开始TJ = 25°C ，
E
AS
= [ 0.5 * L * （我
L2
）* [ BVDSS / （ BVDSS - VDD） ]
峰值IL = -6.5A ， VGS = -12V ， 25
≤
R
G
≤
200
ISD
≤
-6.5A ， di / dt的
≤
-140 A / μs的，
VDD
≤
BVDSS ， TJ
≤
150°C
建议RG = 2.35Ω
脉冲宽度
≤
300
s;
占空比
≤
2%
辐射特性
总剂量辐照VGS偏置。
-12伏VGS应用， VDS = 0时
每MIL -STD- 750的照射，方法1019 。
总剂量辐照VDS偏置。
VDS = 0.8额定的BVDSS （预辐射）
应用和VGS = 0元照射时
MLL - STD- 750方法1019 。
本
使用闪光X射线进行测试
源中的电子束模式运行（能源
2.5兆电子伏） ， 30纳秒的脉冲。
方法，其特征由独立的实验室。
所有预辐射后辐射测试
条件
相同
方便直接
对于比较电路应用。
K / W = ° C / W
W / K = W / ℃，
案例外形和尺寸
对于外形TO- 254可选leadforms
传说
1 DRAIN
2 SOURCE
3门
传说
1 DRAIN
2 SOURCE
3门
注：1尺寸和公差符合ANSI Y14.5M - 1982
2所有尺寸都以毫米为单位显示（英寸）
注意事项：
1尺寸和公差PER
ANSI Y14.5M - 1982
2所有尺寸均为所示
毫米（英寸）
3 LEADFORM可在无论是
定位：
例如： 3.1 IRHM7160D
3.2 IRHM7160U
符合JEDEC的外形TO - 254AA
尺寸以毫米（英寸）
小心
铍警告每MIL -PRF- 19500
含铍的包件不得被磨，喷砂，
机械加工，或者对他们进行其他操作这
会产生氧化铍或铍的灰尘。此外，氧化铍
包装不得放置在酸会产生油烟
含铍。
全球总部：
233堪萨斯街El Segundo的加州90245 ，电话： （ 310 ） 322 3331
欧洲总部：
赫斯特绿色， Oxted ，萨里RH8 9BB ，英国电话： + 44 1883 732020
IR加拿大：
7321维多利亚公园大道，套房201 ，安大略省马克姆L3R 2Z8 ，电话： （ 905 ） 475 1897
IR德国：
Saalburgstrasse 157 ， 61350巴特洪堡电话： + 49 6172 96590
IR意大利：
通过利古里亚49 ， 10071保尔格罗，都灵电话： + 39 11 451 0111
IR FAR EAST ：
171 （ K&H大厦） ， 30-4西池袋3丁目，丰岛区，日本东京电话： 81 3 3983 0086
IR东南亚：
315欧南路， ＃ 10-02檀文LIAT大厦，新加坡0316电话： 65 221 8371
http://www.irf.com/
数据和规格如有变更，恕不另行通知。
4/96
QQ：2880707522 复制
