CMOS静态RAM
256K （ 32K ×8位）
特点
◆
◆
IDT71256SA
描述
该IDT71256SA是组织了262,144位高速静态RAM
作为为32K x 8。使用IDT的高性能比较，高可靠性制造
CMOS技术。国家的最先进的这种技术，结合
创新的电路设计技术，提供了一种具有成本效益的解决方案
高速存储的需求。
该IDT71256SA已输出使能引脚，以最快的速度运行
为6ns ，有地址的访问时间以最快的速度为12ns 。所有的双向输入和
在IDT71256SA的输出为TTL兼容和操作是从一个
单5V电源。全静态异步电路的情况下，不需要
时钟或刷新操作。
该IDT71256SA封装在28引脚300-和600 - MIL塑料DIP ，
28引脚300密耳的塑料SOJ和TSOP 。
◆
◆
◆
◆
◆
◆
32K ×8先进的高速CMOS静态RAM
商用（0 °至70° C）和工业级（-40°至85°C ）
温度选项
平等的机会和周期时间
- 商业和工业：12 /15/20 / 25ns的
一个片选加一输出使能引脚
双向数据输入和输出的直接
TTL兼容
通过芯片取消低功耗
28引脚300-和600万可用的商业产品
塑料DIP ， 300密耳的塑料SOJ以及TSOP封装
28引脚300密耳塑料SOJ提供工业产品
与TSOP封装
功能框图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
地址
解码器
262,144-BIT
内存
ARRAY
,
I / O
0 -
I / O
7
8
8
I / O控制
2948 DRW 01
CS
WE
OE
控制
逻辑
2004年9月
1
2004集成设备技术有限公司
DSC-2948/08
IDT71256SA
CMOS静态RAM 256K （ 32K ×8位）
商用和工业温度范围
销刀豆网络gurations
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
电源电压
相对于GND
端电压
相对于GND
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+0.5
-55到+125
-55到+125
1.0
50
单位
V
V
o
SO28-5
P28-2
P28-1
V
CC
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CS
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
2948 DRW 02
V
CC
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
C
C
o
W
mA
2948 TBL 02
,
DIP / SOJ
顶视图
OE
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
V
CC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
注意：
1.强调超过绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的任何其他条件的功能操作
在本规范的业务部门所标明是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
SO28-8
A
10
CS
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
真值表
(1,2)
CS
L
OE
L
X
H
X
X
WE
H
L
H
X
X
I / O
数据
OUT
数据
IN
高-Z
高-Z
高-Z
功能
读数据
写数据
输出禁用
Deselecte - 待机（我
SB
)
Deselecte - 待机（我
SB1
)
2948 TBL 03
,
L
L
H
V
HC
(3)
2948 DRW 02A
TSOP
顶视图
注意事项：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
2. V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
–0.2V.
3.其他投入
≥V
HC
or
≤V
LC
.
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
产业
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
VCC
4.5V ± 5.5V
4.5V ± 5.5V
2948 TBL 01
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
____
马克斯。
5.5
0
V
CC
+0.5
0.8
单位
V
V
V
V
2948 TBL 04
____
注意：
1. V
IL
（分） = -1.5V为脉冲宽度小于10ns的，每循环一次。
2
IDT71256SA
CMOS静态RAM 256K （ 32K ×8位）
商用和工业温度范围
DC电气特性
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
IDT71256SA
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
=最大，V
IN =
GND到V
CC
V
CC
=最大，
CS
= V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4mA ，V
CC
=最小值。
分钟。
___
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
2948 TBL 05
___
2.4
DC电气特性
(1)
符号
I
CC
I
SB
I
SB1
参数
动态工作电流
CS
＆ LT ; V
IL
，输出打开，V
CC
=最大值，女= F
最大
(2)
待机电源电流（ TTL电平）
CS
＆ GT ; V
IH
，输出打开，V
CC
=最大值，女= F
最大
(2)
待机电源电流（ CMOS电平）
CS
＆ GT ; V
HC
，输出打开，V
CC
=最大值， F = 0
(2)
,
V
IN
＆ LT ; V
LC
或V
IN
＆ GT ; V
HC
(V
CC
= 5.0V ± 10%, V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
–0.2V)
71256SA12
160
50
15
71256SA15
150
40
15
71256SA20
145
40
15
71256SA25
145
40
15
单位
mA
mA
mA
注意事项：
1.所有值都最大限度地保证值。
2. f
最大
= 1/t
RC
（所有的地址输入骑自行车在f
最大
） ; F = 0表示无地址输入线正在发生变化。
2948 TBL 06
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
AC测试负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
参见图1和2
2948 TBL 07
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的， SOJ包装）
符号
C
IN
C
I / O
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
7
7
单位
pF
pF
2948 TBL 08
电容
注意：
1.该参数由器件特性保证，但不生产
测试。
5V
480
数据
OUT
30pF*
255
2948 DRW 03
5V
480
数据
OUT
5pF*
255
,
.
2948 DRW 04
图1. AC测试负载
*包括夹具和范围电容。
图2.交流测试负载
（对于T
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ
, t
OW ，
和T
WHZ
)
6.42
3
IDT71256SA
CMOS静态RAM 256K （ 32K ×8位）
商用和工业温度范围
AC电气特性
符号
参数
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
71256SA12
分钟。
马克斯。
71256SA15
分钟。
马克斯。
71256SA20
分钟。
马克斯。
71256SA25
分钟。
马克斯。
单位
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
(1)
t
CHZ
(1)
t
OE
t
OLZ
(1)
t
OHZ
(1)
t
OH
t
PU
(1)
t
PD
(1)
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选在低Z输出
芯片塞莱克拉到输出的高阻
输出使能到输出有效
输出ENAB乐到输出中低Z
输出DISAB文件来输出高-Z
从地址变更输出保持
芯片塞莱CT上电时间
芯片取消到断电时间
12
____
____
15
____
____
20
____
____
25
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12
12
____
15
15
____
20
20
____
25
25
____
____
____
____
____
4
0
____
4
0
____
4
0
____
4
0
____
6
6
____
7
7
____
10
10
____
11
11
____
0
0
3
0
____
0
0
3
0
____
0
0
3
0
____
0
0
3
0
____
6
____
6
____
8
____
10
____
____
____
____
____
12
15
20
25
写周期
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
(1)
t
WHZ
(1)
写周期时间
地址有效到结束时的写
芯片选择到结束时的写
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到结束时的写
数据保持时间
输出从主动结束了，写
写ENAB文件来输出高-Z
12
9
9
0
8
0
6
0
4
0
____
____
15
10
10
0
10
0
7
0
4
0
____
____
20
15
15
0
15
0
11
0
4
0
____
____
25
20
20
0
20
0
13
0
4
0
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2948 TBL 09
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
6
6
10
11
注意：
1.此参数是保证与交流负载（图2）器件特性，但不生产测试。
4
IDT71256SA
CMOS静态RAM 256K （ 32K ×8位）
商用和工业温度范围
读循环中没有时序波形。 1
(1)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
CS
t
OLZ
(5)
t
ACS
t
CLZ
数据
OUT
I
CC
I
SB
(5)
(3)
t
OHZ
t
CHZ
(5)
(5)
高阻抗
t
PU
数据
OUT
有效
t
PD
V
CC
供应
当前
2948 DRW 05
,
读循环中没有时序波形。 2
(1,2,4)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
以前的数据
OUT
有效
t
OH
数据
OUT
有效
2948 DRW 06
,
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备被连续地选择
CS
是低的。
3.地址必须是之前或重合有效用的后
CS
变为低电平;否则吨
AA
是限制参数。
4.
OE
是低的。
5.转变是从稳态测量± 200mV的。
6.42
5
CMOS静态RAM
256K （ 32K ×8位）
特点
◆
◆
IDT71256SA
描述
该IDT71256SA是组织了262,144位高速静态RAM
作为为32K x 8。使用IDT的高性能比较，高可靠性制造
CMOS技术。国家的最先进的这种技术，结合
创新的电路设计技术，提供了一种具有成本效益的解决方案
高速存储的需求。
该IDT71256SA已输出使能引脚，以最快的速度运行
为6ns ，有地址的访问时间以最快的速度为12ns 。所有的双向输入和
在IDT71256SA的输出为TTL兼容和操作是从一个
单5V电源。全静态异步电路的情况下，不需要
时钟或刷新操作。
该IDT71256SA封装在28引脚300-和600 - MIL塑料DIP ，
28引脚300密耳的塑料SOJ和TSOP 。
◆
◆
◆
◆
◆
◆
32K ×8先进的高速CMOS静态RAM
商用（0 °至70° C）和工业级（-40°至85°C ）
温度选项
平等的机会和周期时间
- 商业和工业：12 /15/20 / 25ns的
一个片选加一输出使能引脚
双向数据输入和输出的直接
TTL兼容
通过芯片取消低功耗
28引脚300-和600万可用的商业产品
塑料DIP ， 300密耳的塑料SOJ以及TSOP封装
28引脚300密耳塑料SOJ提供工业产品
与TSOP封装
功能框图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
地址
解码器
262,144-BIT
内存
ARRAY
,
I / O
0 -
I / O
7
8
8
I / O控制
2948 DRW 01
CS
WE
OE
控制
逻辑
2004年9月
1
2004集成设备技术有限公司
DSC-2948/08
IDT71256SA
CMOS静态RAM 256K （ 32K ×8位）
商用和工业温度范围
销刀豆网络gurations
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
绝对最大额定值
(1)
符号
等级
电源电压
相对于GND
端电压
相对于GND
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
价值
-0.5到+7.0
-0.5到V
CC
+0.5
-55到+125
-55到+125
1.0
50
单位
V
V
o
SO28-5
P28-2
P28-1
V
CC
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CS
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
2948 DRW 02
V
CC
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
C
C
o
W
mA
2948 TBL 02
,
DIP / SOJ
顶视图
OE
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
V
CC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
注意：
1.强调超过绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的任何其他条件的功能操作
在本规范的业务部门所标明是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
SO28-8
A
10
CS
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
GND
I / O
2
I / O
1
I / O
0
A
0
A
1
A
2
真值表
(1,2)
CS
L
OE
L
X
H
X
X
WE
H
L
H
X
X
I / O
数据
OUT
数据
IN
高-Z
高-Z
高-Z
功能
读数据
写数据
输出禁用
Deselecte - 待机（我
SB
)
Deselecte - 待机（我
SB1
)
2948 TBL 03
,
L
L
H
V
HC
(3)
2948 DRW 02A
TSOP
顶视图
注意事项：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
2. V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
–0.2V.
3.其他投入
≥V
HC
or
≤V
LC
.
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
产业
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
VCC
4.5V ± 5.5V
4.5V ± 5.5V
2948 TBL 01
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
____
马克斯。
5.5
0
V
CC
+0.5
0.8
单位
V
V
V
V
2948 TBL 04
____
注意：
1. V
IL
（分） = -1.5V为脉冲宽度小于10ns的，每循环一次。
2
IDT71256SA
CMOS静态RAM 256K （ 32K ×8位）
商用和工业温度范围
DC电气特性
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
IDT71256SA
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
=最大，V
IN =
GND到V
CC
V
CC
=最大，
CS
= V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
I
OL
= 8毫安，V
CC
=最小值。
I
OH
= -4mA ，V
CC
=最小值。
分钟。
___
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
2948 TBL 05
___
2.4
DC电气特性
(1)
符号
I
CC
I
SB
I
SB1
参数
动态工作电流
CS
＆ LT ; V
IL
，输出打开，V
CC
=最大值，女= F
最大
(2)
待机电源电流（ TTL电平）
CS
＆ GT ; V
IH
，输出打开，V
CC
=最大值，女= F
最大
(2)
待机电源电流（ CMOS电平）
CS
＆ GT ; V
HC
，输出打开，V
CC
=最大值， F = 0
(2)
,
V
IN
＆ LT ; V
LC
或V
IN
＆ GT ; V
HC
(V
CC
= 5.0V ± 10%, V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
–0.2V)
71256SA12
160
50
15
71256SA15
150
40
15
71256SA20
145
40
15
71256SA25
145
40
15
单位
mA
mA
mA
注意事项：
1.所有值都最大限度地保证值。
2. f
最大
= 1/t
RC
（所有的地址输入骑自行车在f
最大
） ; F = 0表示无地址输入线正在发生变化。
2948 TBL 06
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
AC测试负载
GND到3.0V
3ns
1.5V
1.5V
参见图1和2
2948 TBL 07
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的， SOJ包装）
符号
C
IN
C
I / O
参数
(1)
输入电容
I / O容量
条件
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
7
7
单位
pF
pF
2948 TBL 08
电容
注意：
1.该参数由器件特性保证，但不生产
测试。
5V
480
数据
OUT
30pF*
255
2948 DRW 03
5V
480
数据
OUT
5pF*
255
,
.
2948 DRW 04
图1. AC测试负载
*包括夹具和范围电容。
图2.交流测试负载
（对于T
CLZ
, t
OLZ
, t
CHZ
, t
OHZ
, t
OW ，
和T
WHZ
)
6.42
3
IDT71256SA
CMOS静态RAM 256K （ 32K ×8位）
商用和工业温度范围
AC电气特性
符号
参数
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
71256SA12
分钟。
马克斯。
71256SA15
分钟。
马克斯。
71256SA20
分钟。
马克斯。
71256SA25
分钟。
马克斯。
单位
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
(1)
t
CHZ
(1)
t
OE
t
OLZ
(1)
t
OHZ
(1)
t
OH
t
PU
(1)
t
PD
(1)
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选在低Z输出
芯片塞莱克拉到输出的高阻
输出使能到输出有效
输出ENAB乐到输出中低Z
输出DISAB文件来输出高-Z
从地址变更输出保持
芯片塞莱CT上电时间
芯片取消到断电时间
12
____
____
15
____
____
20
____
____
25
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
12
12
____
15
15
____
20
20
____
25
25
____
____
____
____
____
4
0
____
4
0
____
4
0
____
4
0
____
6
6
____
7
7
____
10
10
____
11
11
____
0
0
3
0
____
0
0
3
0
____
0
0
3
0
____
0
0
3
0
____
6
____
6
____
8
____
10
____
____
____
____
____
12
15
20
25
写周期
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
(1)
t
WHZ
(1)
写周期时间
地址有效到结束时的写
芯片选择到结束时的写
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到结束时的写
数据保持时间
输出从主动结束了，写
写ENAB文件来输出高-Z
12
9
9
0
8
0
6
0
4
0
____
____
15
10
10
0
10
0
7
0
4
0
____
____
20
15
15
0
15
0
11
0
4
0
____
____
25
20
20
0
20
0
13
0
4
0
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2948 TBL 09
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
6
6
10
11
注意：
1.此参数是保证与交流负载（图2）器件特性，但不生产测试。
4
IDT71256SA
CMOS静态RAM 256K （ 32K ×8位）
商用和工业温度范围
读循环中没有时序波形。 1
(1)
t
RC
地址
t
AA
OE
t
OE
CS
t
OLZ
(5)
t
ACS
t
CLZ
数据
OUT
I
CC
I
SB
(5)
(3)
t
OHZ
t
CHZ
(5)
(5)
高阻抗
t
PU
数据
OUT
有效
t
PD
V
CC
供应
当前
2948 DRW 05
,
读循环中没有时序波形。 2
(1,2,4)
t
RC
地址
t
AA
t
OH
数据
OUT
以前的数据
OUT
有效
t
OH
数据
OUT
有效
2948 DRW 06
,
注意事项：
1.
WE
为高的读周期。
2.设备被连续地选择
CS
是低的。
3.地址必须是之前或重合有效用的后
CS
变为低电平;否则吨
AA
是限制参数。
4.
OE
是低的。
5.转变是从稳态测量± 200mV的。
6.42
5
QQ：2881677436 复制
