PD - 90673B
抗辐射
功率MOSFET
直通孔（ TO- 254AA ）
产品概述
产品型号
IRHM7450
IRHM3450
IRHM4450
IRHM8450
辐射水平
100K拉德（SI ）
300K拉德（SI ）
500K拉德（SI ）
1000K拉德（SI ）
R
DS （ ON）
0.45
0.45
0.45
0.45
I
D
11A
11A
11A
11A
IRHM7450
JANSR2N7270
500V N沟道
REF ： MIL -PRF-六百零三分之一万九千五百
抗辐射HEXFET
技术
QPL型号
JANSR2N7270
JANSF2N7270
JANSG2N7270
JANSH2N7270
TO-254AA
国际整流器公司的抗辐射
TM
HEXFET
技术提供高性能功率
MOSFET的空间应用。该技术
拥有超过十年的成熟的性能和
可靠性在卫星应用。这些器件具有
被定性为总剂量和单
事件效应（ SEE） 。低导通电阻的组合
和低门电荷降低的功率损耗
切换应用，如DC -DC转换器
和马达控制。这些设备保留所有井的
MOSFET的如电压建立优势
控制，快速切换，易于并联和
电参数的温度稳定性。
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
陶瓷鸡眼
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C连续漏电流
ID @ VGS = 12V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
PD @ T C = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
对于脚注参考最后一页
11
7.0
44
150
1.2
±20
500
11
15
3.5
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒）
9.3 （典型值）
g
www.irf.com
05/18/06
1
IRHM7450 ， JANSR2N7270
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源
导通状态电阻
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
500
—
—
—
2.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8.7
—
—
0.45
0.50
4.0
—
50
250
100
-100
150
30
75
45
190
190
130
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0 V ， ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 7.0A
VGS = 12V ，ID = 11A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 7.0A
VDS = 400V ， VGS = 0V
VDS = 400V
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 11A
VDS = 250V
VDD = 250V ， ID = 11A ，
VGS = 12V时， RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH
从测得的漏极引线（6毫米/ 0.25英寸从
包）源铅（6毫米/ 0.25英寸从
包）
西塞
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
4000
330
52
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
TRR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
11
44
1.6
1100
16
测试条件
A
V
ns
C
T
j
= 25 ℃， IS = 11A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 11A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthCS
RthJA
结到外壳
外壳到散热器
结到环境
最小典型最大
—
—
—
— 0.83
0.21 —
—
48
单位
° C / W
测试条件
典型的插座安装
注：对应的香料和军刀车型可在国际整流器公司的网站。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
辐射特性
预辐照
IRHM7450 ， JANSR2N7270
国际整流器抗辐射的MOSFET进行测试，以验证其抗辐射能力。
在国际整流器硬度保证计划包括两个辐射环境中。
每一个生产批次的总电离剂量测试（每个音符5和6）采用TO- 3封装。两
前和辐照后的性能进行了测试和指定的使用相同的驱动器电路和测试
为了条件下提供直接的比较。
表1.电气特性@ TJ = 25 ° C，邮政总剂量辐射
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
V
SD
漏极至源极击穿电压
栅极阈值电压
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
零栅极电压漏极电流
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 3 ）
静态漏 - 源
通态电阻（ TO- 254AA ）
二极管的正向电压
100K拉德（SI ）
1
300 K- 1000K拉德（SI ）
2
单位
V
nA
A
V
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
=80V, V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
= 7.0A
V
GS
= 12V，我
D
= 7.0A
V
GS
= 0V ， IS = 11A
民
500
2.0
—
—
—
—
—
—
最大
—
4.0
100
-100
50
0.45
0.45
1.6
民
500
1.25
—
—
—
—
—
—
最大
—
4.5
100
-100
50
0.6
0.6
1.6
1.产品型号IRHM7450 （ JANSR2N7270 ）
2.部件号IRHM3450 （ JANSF2N7270 ） ， IRHM4450 （ JANSG2N7270 ）和IRHM8450 （ JANSH2N7270 ）
国际整流器抗辐射的MOSFET已被鉴定为重离子环境
单粒子效应（ SEE ） 。单粒子效应特性示于图。一及表二。
表2.单粒子效应安全工作区
离子
Ni
LET
（兆电子伏/ （毫克/平方厘米） ）
28
2
能源
（兆电子伏）
265
范围
(m)
41
@ VGS = 0V
@VGS=-5V
V
DS
(V)
@ VGS = -10V @ VGS = -15V @ VGS = -20V
275
275
-
-
-
400
300
VDS
200
100
0
0
-5
-10
VGS
-15
-20
Ni
所示的。
单粒子效应，安全工作区
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
3
PD - 90673A
重复性雪崩和dv / dt评分
HEXFET
晶体管
500Volt ， 0.45Ω ， MEGA抗辐射HEXFET
国际整流器公司的抗辐射技术
HEXFETs表现出优异的阈值电压
在总的稳定性和击穿电压稳定
radiaition剂量高达1×10
6
拉德（SI ） 。下
相同
前和辐照后的测试条件下，在 -
ternational整流器的抗辐射HEXFETs保留
相同
电气规格可达1 ×10
5
拉德
（ Si）的总剂量。栅极驱动电路无补偿
是必须的。这些器件还能够surviv-
荷兰国际集团瞬态电离脉冲高达1× 10
12
拉德
（硅） /秒，并在数返回到正常操作
微秒。由于抗辐射工艺采用
国际整流器公司专利的HEXFET技术，
用户可以期望的最高质量和可靠性
在同行业中。
抗辐射HEXFET晶体管还具有所有
行之有效的MOSFET的优点，例如
作为电压控制，非常快速的切换，方便paral-的
电的PA的乐陵和温度稳定性
rameters 。它们非常适合于应用程序，例如
如开关电源，马达控制， invert-
器，砍砸器，音频放大器和高能量
在空间和武器环境下脉冲电路。
IRHM7450
IRHM8450
JANSR2N7270
JANSH2N7270
N沟道
MEGA抗辐射
产品概述
产品型号
IRHM7450
IRHM8450
BV
DSS
500V
500V
R
DS （ ON）
0.45
0.45
I
D
11A
11A
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
抗辐射可达1 ×10
6
拉德（SI ）
单粒子烧毁（ SEB ）硬化
单粒子栅穿（ SEGR ）硬化
伽玛点（闪光X射线）硬化
中子宽容
相同的预处理和后电气试验条件
重复雪崩额定值
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
电气隔离
陶瓷鸡眼
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
11
7.0
44
150
1.2
±20
500
11
15
3.5
-55到150
预辐照
IRHM7450 ， IRHM8450
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒）
9.3 （典型值）
g
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1
02/01/99
IRHM7450 ， IRHM8450 ， JANSR- ， JANSH- ， 2N7270设备
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔTJ温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
500
—
—
—
2.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8.7
8.7
—
—
0.45
0.50
4.0
—
50
250
100
-100
150
30
75
45
190
190
130
—
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 7.0A
VGS = 12V ，ID = 11A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 7.0A
VDS = 0.8×最大额定值， VGS = 0V
VDS = 0.8×最高评级
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 11A
VDS =最大额定值×0.5
VDD = 250V ， ID = 11A ，
RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LD
LS
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
nA
nC
ns
nH
从漏测
修改对称MOSFET
铅的6mm （ 0.25 ）
平原示出了内部
从包装到中心电感。
而死亡。
从源代码测
铅的6mm （ 0.25 ）
从包装到
源焊盘。
西塞
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
4000
330
52
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
TRR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
11
44
1.6
1100
16
测试条件
修改MOSFET符号
显示整体反转
p-n结整流器。
T
j
= 25 ℃， IS = 11A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 11A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
A
V
ns
C
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJA
RthCS
结到外壳
结到环境
外壳到散热器
最小典型最大
—
—
—
— 0.83
—
48
0.21 —
单位
° C / W
测试条件
典型的插座安装
2
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辐射
特征
IRHM7450 ， IRHM8450 ， JANSR- ， JANSH- ， 2N7270设备
抗辐射HEXFETs辐射性能
国际整流器抗辐射HEXFETs
进行测试，以验证其硬度的能力。该硬
内斯保证方案在国际整流器
包括三个辐射环境。
每个制造批在低剂量率测试
（总剂量），符合MIL -STD- 750的环境中，测试
方法1019条件A.国际整流器公司
征收12伏每一个标准门状态
注6和V
DS
偏压条件等于80％的
每注7.设备的额定电压前置和后置非理性
设备的diation限制照射到1×10
5
拉德
（Si）的是相同的，并在表1中给出，协作
UMN 1 ， IRHM7450 。在DE-后的照射范围
虎钳照射到1×10
6
拉德（SI ）的呈现
表1中，第2栏， IRHM8450 。在表1中的值
将满足这两条低剂量率测试
电路所使用。前和辐照后
性能进行了测试和指定的使用相同的
驱动电路和测试条件，以提供一
直接比较。
高剂量率测试可以在一个特殊的做
使用的剂量率高达1 ×10请求的基础
12
拉德
（硅） /秒（见表2）。
国际整流器抗辐射HEXFETs
已被鉴定的重离子单粒子
效应（ SEE ）的环境中。单粒子效应煤焦
acterization示于表3中。
表1.低剂量率
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)1
V
SD
IRHM7450 IRHM8450
100K拉德（ Si）的1000K拉德（SI ）
单位
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
= 0.8×最大额定值，V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
= 7.0A
TC = 25°C ， IS = 11A ，V
GS
= 0V
民
漏极至源极击穿电压500
栅极阈值电压
2.0
栅极 - 源极漏进
—
栅极 - 源极漏反
—
零栅极电压漏极电流
—
静态漏 - 源
—
导通状态电阻一
二极管的正向电压
—
最大
—
4.0
100
-100
50
0.45
1.6
民
500
1.25
—
—
—
—
—
最大
—
4.5
100
-100
50
0.6
1.6
V
nA
A
V
表2高剂量率
参数
V
DSS
IPP
的di / dt
L1
10
11
拉德（SI ） / 10秒
12
拉德（SI ） /秒
漏极至源极电压
最小值典型值最大值最小值典型值最大值
单位
测试条件
—
— 400 —
— 400
V
期间施加的漏极 - 源极电压
伽玛点
—
8
—
—
8
—
A
峰值辐射诱导的光电流
—
— 15 —
—
3 A /微秒光电流的上升率
27 —
— 133 —
—
H
所需的电路的电感，以限制di / dt的
表3.单粒子效应
离子
Ni
LET （SI ）
（兆电子伏/毫克/平方厘米
2
)
28
注量
（离子数/厘米
2
)
3x 10
5
范围
(m)
~41
V
DS
BIAS
(V)
275
V
GS
BIAS
(V)
-5
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3
IRHM7450 ， IRHM8450 ， JANSR- ， JANSH- ， 2N7270设备
辐照后
图1 。
门门限的典型响应
电压比。总剂量暴露
图2 。
导通状态电阻的典型响应
与总剂量暴露
图3 。
跨导的典型响应
与总剂量暴露
图4 。
流失的典型响应源
击穿比。总剂量暴露
4
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辐照后
IRHM7450 ， IRHM8450 ， JANSR- ， JANSH- ， 2N7270设备
图5 。
典型的零电压门漏
电流比。总剂量暴露
图6 。
典型导通电阻比。
中子注量水平
图8A 。
的门应力
V
GSS
等于12伏
在辐射
图7 。
典型的瞬态响应
的抗辐射HEXFET在
1x10
12
Rad公司（SI ） /秒曝光
图8B 。
V
DSS
应力
等于80 ％的B
VDSS
在辐射
图9 。
高剂量率
（伽马点）测试电路
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5
PD - 90673A
重复性雪崩和dv / dt评分
HEXFET
晶体管
500Volt ， 0.45Ω ， MEGA抗辐射HEXFET
国际整流器公司的抗辐射技术
HEXFETs表现出优异的阈值电压
在总的稳定性和击穿电压稳定
radiaition剂量高达1×10
6
拉德（SI ） 。下
相同
前和辐照后的测试条件下，在 -
ternational整流器的抗辐射HEXFETs保留
相同
电气规格可达1 ×10
5
拉德
（ Si）的总剂量。栅极驱动电路无补偿
是必须的。这些器件还能够surviv-
荷兰国际集团瞬态电离脉冲高达1× 10
12
拉德
（硅） /秒，并在数返回到正常操作
微秒。由于抗辐射工艺采用
国际整流器公司专利的HEXFET技术，
用户可以期望的最高质量和可靠性
在同行业中。
抗辐射HEXFET晶体管还具有所有
行之有效的MOSFET的优点，例如
作为电压控制，非常快速的切换，方便paral-的
电的PA的乐陵和温度稳定性
rameters 。它们非常适合于应用程序，例如
如开关电源，马达控制， invert-
器，砍砸器，音频放大器和高能量
在空间和武器环境下脉冲电路。
IRHM7450
IRHM8450
JANSR2N7270
JANSH2N7270
N沟道
MEGA抗辐射
产品概述
产品型号
IRHM7450
IRHM8450
BV
DSS
500V
500V
R
DS （ ON）
0.45
0.45
I
D
11A
11A
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
抗辐射可达1 ×10
6
拉德（SI ）
单粒子烧毁（ SEB ）硬化
单粒子栅穿（ SEGR ）硬化
伽玛点（闪光X射线）硬化
中子宽容
相同的预处理和后电气试验条件
重复雪崩额定值
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
电气隔离
陶瓷鸡眼
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 12V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 12V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
11
7.0
44
150
1.2
±20
500
11
15
3.5
-55到150
预辐照
IRHM7450 ， IRHM8450
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）从案例10秒）
9.3 （典型值）
g
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1
02/01/99
IRHM7450 ， IRHM8450 ， JANSR- ， JANSH- ， 2N7270设备
预辐照
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔTJ温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
克FS
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
500
—
—
—
2.0
4.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8.7
8.7
—
—
0.45
0.50
4.0
—
50
250
100
-100
150
30
75
45
190
190
130
—
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 1.0毫安
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 12V ，ID = 7.0A
VGS = 12V ，ID = 11A
VDS = VGS ，ID = 1.0毫安
VDS > 15V ， IDS = 7.0A
VDS = 0.8×最大额定值， VGS = 0V
VDS = 0.8×最高评级
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 12V ，ID = 11A
VDS =最大额定值×0.5
VDD = 250V ， ID = 11A ，
RG = 2.35Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LD
LS
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
nA
nC
ns
nH
从漏测
修改对称MOSFET
铅的6mm （ 0.25 ）
平原示出了内部
从包装到中心电感。
而死亡。
从源代码测
铅的6mm （ 0.25 ）
从包装到
源焊盘。
西塞
OSS
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
4000
330
52
—
—
—
pF
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
TRR
Q RR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
11
44
1.6
1100
16
测试条件
修改MOSFET符号
显示整体反转
p-n结整流器。
T
j
= 25 ℃， IS = 11A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 11A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
50V
A
V
ns
C
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
热阻
参数
RthJC
RthJA
RthCS
结到外壳
结到环境
外壳到散热器
最小典型最大
—
—
—
— 0.83
—
48
0.21 —
单位
° C / W
测试条件
典型的插座安装
2
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辐射
特征
IRHM7450 ， IRHM8450 ， JANSR- ， JANSH- ， 2N7270设备
抗辐射HEXFETs辐射性能
国际整流器抗辐射HEXFETs
进行测试，以验证其硬度的能力。该硬
内斯保证方案在国际整流器
包括三个辐射环境。
每个制造批在低剂量率测试
（总剂量），符合MIL -STD- 750的环境中，测试
方法1019条件A.国际整流器公司
征收12伏每一个标准门状态
注6和V
DS
偏压条件等于80％的
每注7.设备的额定电压前置和后置非理性
设备的diation限制照射到1×10
5
拉德
（Si）的是相同的，并在表1中给出，协作
UMN 1 ， IRHM7450 。在DE-后的照射范围
虎钳照射到1×10
6
拉德（SI ）的呈现
表1中，第2栏， IRHM8450 。在表1中的值
将满足这两条低剂量率测试
电路所使用。前和辐照后
性能进行了测试和指定的使用相同的
驱动电路和测试条件，以提供一
直接比较。
高剂量率测试可以在一个特殊的做
使用的剂量率高达1 ×10请求的基础
12
拉德
（硅） /秒（见表2）。
国际整流器抗辐射HEXFETs
已被鉴定的重离子单粒子
效应（ SEE ）的环境中。单粒子效应煤焦
acterization示于表3中。
表1.低剂量率
参数
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
GSS
I
DSS
R
DS(on)1
V
SD
IRHM7450 IRHM8450
100K拉德（ Si）的1000K拉德（SI ）
单位
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 1.0毫安
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 20V
V
GS
= -20 V
V
DS
= 0.8×最大额定值，V
GS
=0V
V
GS
= 12V，我
D
= 7.0A
TC = 25°C ， IS = 11A ，V
GS
= 0V
民
漏极至源极击穿电压500
栅极阈值电压
2.0
栅极 - 源极漏进
—
栅极 - 源极漏反
—
零栅极电压漏极电流
—
静态漏 - 源
—
导通状态电阻一
二极管的正向电压
—
最大
—
4.0
100
-100
50
0.45
1.6
民
500
1.25
—
—
—
—
—
最大
—
4.5
100
-100
50
0.6
1.6
V
nA
A
V
表2高剂量率
参数
V
DSS
IPP
的di / dt
L1
10
11
拉德（SI ） / 10秒
12
拉德（SI ） /秒
漏极至源极电压
最小值典型值最大值最小值典型值最大值
单位
测试条件
—
— 400 —
— 400
V
期间施加的漏极 - 源极电压
伽玛点
—
8
—
—
8
—
A
峰值辐射诱导的光电流
—
— 15 —
—
3 A /微秒光电流的上升率
27 —
— 133 —
—
H
所需的电路的电感，以限制di / dt的
表3.单粒子效应
离子
Ni
LET （SI ）
（兆电子伏/毫克/平方厘米
2
)
28
注量
（离子数/厘米
2
)
3x 10
5
范围
(m)
~41
V
DS
BIAS
(V)
275
V
GS
BIAS
(V)
-5
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3
IRHM7450 ， IRHM8450 ， JANSR- ， JANSH- ， 2N7270设备
辐照后
图1 。
门门限的典型响应
电压比。总剂量暴露
图2 。
导通状态电阻的典型响应
与总剂量暴露
图3 。
跨导的典型响应
与总剂量暴露
图4 。
流失的典型响应源
击穿比。总剂量暴露
4
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辐照后
IRHM7450 ， IRHM8450 ， JANSR- ， JANSH- ， 2N7270设备
图5 。
典型的零电压门漏
电流比。总剂量暴露
图6 。
典型导通电阻比。
中子注量水平
图8A 。
的门应力
V
GSS
等于12伏
在辐射
图7 。
典型的瞬态响应
的抗辐射HEXFET在
1x10
12
Rad公司（SI ） /秒曝光
图8B 。
V
DSS
应力
等于80 ％的B
VDSS
在辐射
图9 。
高剂量率
（伽马点）测试电路
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5
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