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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第273页 > IRGS4045DTRLPBF
IRGS4045DPbF
V
CES
= 600V
I
C
½
6.0A ,T
C
= 100°C
t
sc
>为5μs ,T
JMAX
= 175°C
V
CE ( ON) (典型值) 。
½
1.7V
应用
家电电机驱动器
逆变器
SMPS
特点
低V
CE (ON)的
和开关损耗
广场RBSOA和最高结温为175℃
正V
CE (ON)的
温度系数和更严格的
参数分布
5μs的短路SOA
超快速软恢复二极管copak
无铅,符合RoHS
G
E
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
C
C
E
N沟道
G
D
2
-PAK
IRGS4045DPbF
G
C
COLLETOR
E
辐射源
好处
高效率在宽范围的应用和
开关频率
改善由于崎岖的硬开关性能的可靠性
和更高的功率能力
优良的电流共享并联运行
使短路保护方案
高性能电机驱动操作优化
环保
基本零件编号
IRGS4045DPbF
套餐类型
D2Pak
标准包装
形式
磁带和卷轴左
磁带和卷轴权
订购型号
QUANTITY
50
800
800
IRGS4045DPbF
IRGS4045DTRLPbF
IRGS4045DTRRPbF
绝对最大额定值
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@T
C
=25°C
I
F
@T
C
=100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
=25°
P
D
@ T
C
=100°
T
J
T
英镑
热阻
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
参数
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲,V
GE
= 15V
钳位感性负载电流,V
GE
= 20V
二极管连续正向电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
连续的门极 - 发射极电压
短暂的门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
马克斯。
600
12
6.0
18
24
8.0
4.0
24
± 20
± 30
77
39
-55 + 175
300 ( 0.063英寸( 1.6毫米)的情况下)
分钟。
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.5
–––
马克斯。
1.9
6.3
–––
40
单位
° C / W
单位
V
c
A
d
V
W
°C
e
e
案件到水槽,平面,脂表面
结到环境(PCB Mountet ,稳态)
g
*资质
标准可以在http://www.irf.com/找到
1
www.irf.com
2012国际整流器
2012年10月10日
IRGS4045DPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
V
( BR ) CES
V
( BR ) CES
/T
J
V
CE (ON)的
V
GE (日)
V
GE (日)
/ ΔTJ
GFE
I
CES
V
FM
I
GES
集电极 - 发射极击穿电压
温度COEFF 。击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
阈值电压温度。系数
正向跨导
集电极 - 发射极漏电流
二极管的正向压降
门极 - 发射极漏电流
参数
Q
g
Q
ge
Q
gc
E
on
E
关闭
E
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
E
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
IES
C
OES
C
水库
RBSOA
总栅极电荷(导通)
门极 - 发射极电荷(导通)
栅极 - 集电极费(导通)
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
反向偏置安全工作区
分钟。
600
4.0
分钟。
典型值。
0.36
1.7
2.07
2.14
-13
5.8
1.60
1.30
典型值。
13
3.1
6.4
56
122
178
27
11
75
17
140
189
329
26
12
95
32
350
29
10
马克斯。
2.0
6.5
25
250
2.30
±100
马克斯。
单位
V
V /°C的
V
条件
V
GE
= 0V时,我
c
=100
μA
V
GE
= 0V时,我
c
= 250μA ( 25 -175
o
C )
I
C
= 6.0A ,V
GE
= 15V ,T
J
= 25°C
I
C
= 6.0A ,V
GE
= 15V ,T
J
= 150°C
I
C
= 6.0A ,V
GE
= 15V ,T
J
= 175°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 150μA
f
f
V
o
毫伏/°C, V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA ( 25 -175 ℃)
V
CE
= 25V ,我
C
= 6.0A , PW = 80
s
S
V
GE
= 0V,V
CE
= 600V
μA
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ,T
J
=175°C
V
nA
单位
nC
I
C
= 6.0A
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 6.0A ,V
CC
= 400V, V
GE
= 15V
R
G
= 47 ,L = 1MH ,L-
S
= 150nH ,T
J
= 25°C
nergy洛杉矶s ES包括尾巴和二极管REVERS 恢复
I
F
= 6.0A
I
F
= 6.0A ,T
J
= 175°C
V
GE
= ± 20 V
条件
开关特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
19.5
4.65
9.6
86
143
229
35
15
93
22
h
μJ
ns
I
C
= 6.0A ,V
CC
= 400V
R
G
= 47 ,L = 1MH ,L-
S
= 150nH
T
J
= 25°C
I
C
= 6.0A ,V
CC
= 400V, V
GE
= 15V
R
G
= 47 ,L = 1MH ,L-
S
= 150nH ,T
J
= 175°C
nergy洛杉矶s ES包括尾巴和二极管REVERS 恢复
μJ
ns
I
C
= 6.0A ,V
CC
= 400V
R
G
= 47 ,L = 1MH ,L-
S
= 150nH
T
J
= 175°C
V
GE
= 0V
pF
完整的正方形
SCSOA
EREC
TRR
IRR
短路安全工作区
二极管的反向恢复能量
二极管的反向恢复时间
峰值反向恢复电流
5
178
74
12
μs
μJ
ns
A
V
CC
= 30V
F = 1MHz的
T
J
= 175 ° C,I
C
= 24A
V
CC
= 500V , VP = 600V
R
G
= 100, V
GE
= + 20V至0V
V
CC
= 400V , VP = 600V
R
G
= 100, V
GE
= + 15V至0V
T
J
= 175
o
C
V
CC
= 400V ,我
F
= 6.0A
V
GE
= 15V中,R 9 = 47 ,L = 1MH ,L-
S
=150nH
注意事项:
V
CC
= 80% (V
CES
), V
GE
= 15V ,L = 1.0mH ,R
G
= 47
脉冲宽度有限的最大。结温。
R
测定在T
J
大约90℃。
请参阅AN -1086用于测量V指引
( BR ) CES
安全。
当安装在1"正方形板( FR-4或G- 10材料) 。对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记# AN- 994 。
最大的限制是基于统计样本大小的表征。
2
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2012国际整流器
2012年10月10日
IRGS4045DPbF
14
12
10
80
70
60
50
P合计(W)的
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
T C ( ° C)
IC ( A)
8
6
4
2
0
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
T C ( ° C)
图。 1
- 最大直流电集电极电流与
外壳温度
100
图。 2
- 功耗与案例
温度
100
10μsec
10
100μsec
10
IC ( A)
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
0.1
1
10
DC
IC A)
1
0
100
VCE ( V)
1000
10
100
VCE ( V)
1000
图。 3
- 正向SOA ,
T
C
= 25 ° C,T
J
175 ° C,V
GE
= 15V
20
20
图。 4
- 反向偏置SOA
T
J
= 175℃ ,V
GE
= 20V
15
顶部
ICE ( A)
ICE ( A)
10
V
= 10V
GE
底部VGE = 8.0V
V
= 18V
GE
V
= 15V
GE
VGE = 12V
15
顶部
10
底部
V
= 18V
GE
V
= 15V
GE
V
= 12V
GE
V
= 10V
GE
V
= 8.0V
GE
5
5
0
0
2
4
6
8
10
0
0
2
4
6
8
10
VCE ( V)
VCE ( V)
图。五
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= -40°C ; TP =为80μs
3
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2012国际整流器
图。 6
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= 25°C ; TP =为80μs
2012年10月10日
IRGS4045DPbF
20
顶部
V
= 18V
GE
V
= 15V
GE
V
= 12V
GE
V
= 10V
GE
V
= 8.0V
GE
20
18
16
14
12
如果( A)
15
底部
-40°C
25°C
175°C
ICE ( A)
10
10
8
5
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
0
0.0
1.0
VF ( V)
2.0
3.0
VCE ( V)
图。 7
- 典型。 IGBT的输出特性
T
J
= 175℃ ; TP =为80μs
10
图。 8
- 典型。二极管的正向特性
TP =为80μs
10
8
8
VCE ( V)
ICE = 6.0A
4
ICE = 12A
VCE ( V)
6
ICE = 3.0A
6
ICE = 3.0A
4
ICE = 6.0A
ICE = 12A
2
2
0
5
10
VGE ( V)
15
20
0
5
10
VGE ( V)
15
20
图。 9
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= -40°C
10
图。 10
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 25°C
20
IC ,集电极 - 发射极电流(A )
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
4
8
ICE = 3.0A
ICE = 6.0A
ICE = 12A
4
T J = 25°C
T J = 175℃
VCE ( V)
6
2
0
5
10
VGE ( V)
15
20
6
8
10
12
14
16
VGE ,门极 - 发射极电压(V )
图。 11
- 典型的V
CE
与V
GE
T
J
= 175°C
4
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图。 12
- 典型。传输特性
V
CE
= 50V ; TP = 10微秒
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IRGS4045DPbF
400
350
Swiching时间(纳秒)
1000
300
tdoff
100
tF
10
Tdon
tR
能量( μJ )
250
200
150
100
50
0
2
4
6
8
10
12
14
EOFF
1
2
4
6
8
IC ( A)
10
12
14
图。 13
- 典型。能量损失与我
C
T
J
= 175℃ ; L = 1MH ; V
CE
= 400V ,R
G
= 47; V
GE
= 15V.
220
200
180
EOFF
IC ( A)
图。 14
- 典型。开关时间与我
C
T
J
= 175℃ ; L = 1MH ; V
CE
= 400V
R
G
= 47; V
GE
= 15V
1000
Swiching时间(纳秒)
能量( μJ )
160
140
120
100
80
60
0
25
50
75
100
125
100
tdoff
tF
Tdon
tR
10
1
0
25
50
75
100
125
RG( Ω )
RG( Ω )
图。 15
- 典型。能量损失与
G
T
J
= 175℃ ; L = 1MH ; V
CE
= 400V ,我
CE
= 6.0A ; V
GE
= 15V
30
25
RG = 10Ω
20
22
20
18
16
图。 16
典型值。开关时间与
G
T
J
= 175℃ ; L = 1MH ; V
CE
= 400V
I
CE
= 6.0A ; V
GE
= 15V
IRR ( A)
IRR ( A)
15
10
5
0
2
4
6
8
如果( A)
RG = 22
RG = 47
RG = 100Ω
14
12
10
8
6
10
12
14
0
25
50
75
100
125
RG (
图。 17
- 典型的二极管我
RR
与我
F
T
J
= 175°C
5
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2012国际整流器
图。 18
- 典型的二极管我
RR
G
T
J
= 175℃ ;我
F
= 6.0A
2012年10月10日
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厂家
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数量
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IRGS4045DTRLPBF
    -
    -
    -
    -
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IRGS4045DTRLPBF
IR
最新环保批次
28500
TO-263
全新原装正品/质量有保证
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International Rectifier
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D2PAK
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Infineon Technologies
24+
10000
D2PAK
原厂一级代理,原装现货
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联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
IRGS4045DTRLPBF
IRF
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D2PAK
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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IRF
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联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
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联系人:卢小姐,171-4729-0036微信同号,无线联通更快捷
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IR
20+
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