初步
HIGH -SPEED 2.5V 8 / 4K ×18
同步PIPELINED
双口静态RAM
.EATURES ：
x
x
x
IDT70T9359/49L
x
x
x
x
真正的双端口存储器单元，可同步
相同的内存位置的访问
高速时钟对数据的访问
- 商业： 7.5 / 9 /为12ns （最大值）
- 工业： 9ns （最大）
低功耗工作
- IDT70T9359 / 49L
主动：为225mW （典型值）。
待机：为1.5mW （典型值）。
流过或流水线输出模式任一端口通过
该
FT /管
引脚
计数器使能和复位功能
双芯片能够允许深度扩展，而不
附加逻辑
x
x
x
x
在两个端口全同步操作
- 4.0ns设置时钟和0.5ns的持有所有控制，数据和
地址输入
- 数据输入，地址和控制寄存器
- 快速7.5ns的时钟到数据输出的流水线输出模式
- 自定时写允许快速循环时间
- 为12ns周期时间，在83MHz的流水线输出模式的操作
对于单独的上层字节和低字节控制
复用总线和总线匹配的兼容性
LVTTL-兼容，单2.5V （ ± 100mV的）电源
工业级温度范围（-40 ° C至+ 85°C ）是
适用于66MHz的
采用100引脚薄型四方扁平封装（ TQFP ）和100-
引脚细间距球栅阵列（引脚fpBGA ）封装。
.UNCTIONAL框图
R/
W
L
UB
L
CE
0L
R/
W
R
UB
R
CE
0R
CE
1L
LB
L
OE
L
1
0
0/1
1
0
0/1
CE
1R
LB
R
OE
R
FT
/ PIPE
L
0/1
1b 0b
B一
1a 0a
0a 1a
a
b
0b 1b
0/1
FT
/ PIPE
R
I / O
9L
-I / O
17L
I / O
0L
-I / O
8L
I / O
控制
I / O
9R
-I / O
17R
I / O
控制
I / O
0R
-I / O
8R
A
12L
(1)
A
0L
CLK
L
计数器/
地址
注册。
内存
ARRAY
计数器/
地址
注册。
A
12R
(1)
A
0R
CLK
R
ADS
L
CNTEN
L
CNTRST
L
ADS
R
CNTEN
R
CNTRST
R
5640 DRW 01
注意：
1. A
12
是NC的IDT70T9349 。
2002年7月
1
2002集成设备技术有限公司
DSC-5640/1
IDT70T9359/49L
高速2.5V 8 / 4K ×18双端口同步流水线静态RAM
初步
工业和商业温度范围
描述：
该IDT70T9359 / 49是一个高速8 / 4K ×18位同步
双口RAM 。存储器阵列采用双端口存储器单元
允许任何地址从两个端口同时访问。
在控制，数据和地址输入寄存器，提供最低限度的设置
时间和保持时间。由这种方法所提供的定时纬度允许
系统被设计成具有非常短的周期时间。
与输入数据寄存器， IDT70T9359 / 49进行了优化
对于具有单向或双向数据流的应用程序中的脉冲串。一
自动断电功能，通过控制
CE
0
和CE
1,
允许
芯片上的每个端口电路进入一个极低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为为225mW工作。
销刀豆网络gurations
(1,2,3,4)
06/07/02
指数
A
9L
A
10L
A
11L
A
12L
(1)
NC
NC
NC
LB
L
UB
L
CE
0L
CE
1L
CNTRST
L
读/写
L
OE
L
V
DD
FT /管
L
I / O
17L
I / O
16L
V
SS
I / O
15L
I / O
14L
I / O
13L
I / O
12L
I / O
11L
I / O
10L
100 99 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76
75
2
74
3
73
1
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
72
71
70
69
68
A
8L
A
7L
A
6L
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
CNTEN
L
CLK
L
ADS
L
V
SS
V
SS
ADS
R
CLK
R
CNTEN
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
70T9359/49PF
PN100-1
(5)
100引脚TQFP
顶视图
(6)
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
25
26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50
A
8R
A
9R
A
10R
A
11R
A
12R
(1)
NC
NC
NC
LB
R
UB
R
CE
0R
CE
1R
CNTRST
R
读/写
R
V
SS
OE
R
FT /管
R
I / O
17R
V
SS
I / O
16R
I / O
15R
I / O
14R
I / O
13R
I / O
12R
I / O
11R
5640 DRW 02
注意事项：
1. A
12
是NC的IDT70T9349 。
2.所有V
DD
引脚必须连接到电源。
3.所有V
SS
引脚必须连接到接地电源。
4.包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
5.这个包的代码来引用该包图。
6.本文并不表示实际的部分标记的方向。
I / O
9L
I / O
8L
V
DD
I / O
7L
I / O
6L
I / O
5L
I / O
4L
I / O
3L
I / O
2L
V
SS
I / O
1L
I / O
0L
V
SS
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
V
DD
I / O
7R
I / O
8R
I / O
9R
I / O
10R
.
6.42
2
IDT70T9359/49L
高速2.5V 8 / 4K ×18双端口同步流水线静态RAM
初步
工业和商业温度范围
引脚配置（续）
(1,2,3,4)
70T9359/49BF
BF100
(5)
100针引脚fpBGA
顶视图
(6)
A2
A3
A4
CNTRST
R
0 6/07/02
A1
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A
8R
B1
A
11R
B2
UB
R
B3
VSS
B5
VSS
B6
B7
VSS
I / O
13R
I / O
10R
I / O
17R
B8
B9
B10
B4
A
6R
C1
A
7R
C2
A
10R
C3
A
12R(1)
C4
读/写
R
C5
OE
R
PL / FT
R
I / O
12R
I / O
9R
I / O
6R
C6
C7
C8
C9
C10
A
3R
D1
A
4R
D2
A
5R
D3
A
9R
D4
CE
1R
I / O
16R
I / O
15R
I / O
11R
I / O
7R
I / O
3R
D5
D6
D7
D8
D9
D10
A
0R
E1
CLK
R
E2
A
1R
E3
CNTEN
R
F3
A
2R
E4
LB
R
E5
CE
0R
I / O
14R
I / O
8R
E6
E7
E8
I / O
5R
I / O
1R
E9
E10
VSS
F1
ADS
R
F2
A
1L
F4
ADS
L
F5
VSS
F6
I / O
4R
F7
I / O
2R
F8
I / O
0R
F9
V
DD
F10
VSS
G1
CNTEN
L
H1
CLK
L
G2
A
0L
G3
A
3L
G4
V
DD
G5
VSS
G6
V
DD
G7
I / O
2L
G8
I / O
1L
G9
I / O
0L
G10
A
4L
H2
A
7L
H3
UB
L
H4
H5
VSS
I / O
13L
H6
NC
H7
I / O
4L
H8
VSS
H9
I / O
3L
H10
,
A
2L
J1
A
6L
J2
A
11L
J3
CE
0L
J4
CNTRST
L
I / O
15L
I / O
9L
J6
J7
I / O
7L
J8
I / O
6L
J9
I / O
5L
J10
J5
A
5L
K1
A
9L
K2
A
12L(1)
K3
读/写
L
K4
OE
L
PL / FT
L
I / O
12L
I / O
10L
K5
K6
K7
K8
VSS
K9
I / O
8L
K10
A
8L
A
10L
LB
L
CE
1L
V
DD
V
DD
I / O
16L
I / O
14L
I / O
11L
I / O
17L
5 640 DRW 03
注意事项：
1. A
12
是NC的IDT70T9349 。
2.所有V
DD
引脚必须连接到电源。
3.所有V
SS
引脚必须连接到接地电源。
4.包体约为10x10公厘X 1.4毫米，具有0.8mm焊球间距。
5.这个包的代码来引用该包图。
6.本文并不表示实际的部分标记的方向。
6.42
3
IDT70T9359/49L
高速2.5V 8 / 4K ×18双端口同步流水线静态RAM
初步
工业和商业温度范围
引脚名称
左侧端口
CE
0L,
CE
1L
读/写
L
OE
L
A
0L
- A
12L
(1)
I / O
0L
- I / O
17L
CLK
L
UB
L
LB
L
ADS
L
CNTEN
L
CNTRST
L
FT /管
L
正确的端口
CE
0R,
CE
1R
读/写
R
OE
R
A
0R
- A
12R
(1)
I / O
0R
- I / O
17R
CLK
R
UB
R
LB
R
ADS
R
CNTEN
R
CNTRST
R
FT /管
R
V
DD
VSS
名字
芯片使
(3)
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
时钟
高字节选择
(2)
低字节选择
(2)
地址选通启用
柜台启用
计数器复位
流通/管道
电源（ 2.5V ）
地（ 0V ）
5640 TBL 01
注意事项：
1. A
12
是NC的IDT70T9349 。
2.
LB
和
UB
不管状态是单缓冲
FT / PIPE 。
3.
首席执行官
和CE
1
是单缓冲时，
FT /管
= V
IL
,
首席执行官
和CE
1
是双缓冲时，
FT /管
= V
IH
,
即信号需要两个周期，取消选择。
真值表我??读/写使能控制
(1,2,3)
OE
X
X
X
X
X
X
L
L
L
H
CLK
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
↑
X
CE
0
(5)
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
CE
1
(5)
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
UB
(4)
X
X
H
L
H
L
L
H
L
X
LB
(4)
X
X
H
H
L
L
H
L
L
X
读/写
X
X
X
L
L
L
H
H
H
X
高字节
I / O
9-17
高-Z
高-Z
高-Z
数据
IN
高-Z
数据
IN
数据
OUT
高-Z
数据
OUT
高-Z
低字节
I / O
0-8
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据
IN
数据
IN
高-Z
数据
OUT
数据
OUT
高-Z
取消选择，关机
取消选择，关机
两个字节取消选择
写字节上仅
写低字节只
写两个字节
读高字节只
读低字节只
阅读两个字节
输出禁用
5640 TBL 02
模式
注意事项：
1. "H" = V
IH ，
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ; = V
白细胞介素，
英寸× ＆ QUOT ; =不在乎。
2.
ADS ， CNTEN ， CNTRST
= X.
3.
OE
是一个异步输入信号。
4.
LB
和
UB
不管状态是单缓冲
FT / PIPE 。
5.
首席执行官
和CE
1
是单缓冲时，
FT /管
= V
IL
.
首席执行官
和CE
1
是双缓冲时，
FT /管
= V
IH
，即信号需要两个周期，取消选择。
6.42
4
IDT70T9359/49L
高速2.5V 8 / 4K ×18双端口同步流水线静态RAM
初步
工业和商业温度范围
事实表二??地址计数器控制
(1,2)
外
地址
An
X
X
X
前
国内
地址
X
An
一个+ 1
X
国内
地址
二手
An
一个+ 1
一个+ 1
A
0
CLK
↑
↑
↑
↑
ADS
L
(4)
H
H
X
CNTEN
X
L
(5)
H
X
CNTRST
H
H
H
L
(4)
I / O
(3)
D
I / O
(n)
D
I / O
(n+1)
D
I / O
(n+1)
D
I / O
(0)
EXTE RNAL广告DRE SS使用
台面板R启用对D-英特RNAL再添加SS GE NE口粮
XTE RNAL再添加SS β受体拮抗剂D-台面板RD ISAB乐D（ AN + 1再使用）
台面板R复位到广告的礼服0
5640 TBL 03
模式
注意事项：
1. "H" = V
IH ，
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ; = V
白细胞介素，
英寸× ＆ QUOT ; =不在乎。
2.
CE
0
,
LB ， UB ，
和
OE
= V
IL
; CE
1
和R / W = V
IH
.
3.输出配置在流通型输出方式：如果输出在流水线模式的数据输出将被延迟了一个周期。
4.
ADS
和
CNTRST
是独立于所有其他信号，包括
CE
0
，CE
1
,
UB
和
LB。
5.如果地址计数器进展
CNTEN
= V
IL
在CLK的上升沿，而不管所有其他信号，包括
CE
0
，CE
1
,
UB
和
LB。
推荐工作
温度和电源电压
GRADE
广告
产业
环境
温度
(1)
0
O
C至+70
O
C
-40°C至+ 85°C
O
O
建议的直流工作
条件
符号
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
2.4
0
1.7
-0.3
(1)
典型值。
2.5
0
____
马克斯。
2.6
0
V
DD
+0.3V
(2)
0.7
单位
V
V
V
V
5640 TBL 05
GND
0V
0V
V
DD
V
DD
2.5V
+
100mV
2.5V
+
100mV
5640 TBL 04
V
SS
V
IH
V
IL
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
____
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10纳秒。
2. V
TERM
一定不能超过V
DD
+0.3V.
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
电容
(1)
单位
V
等级
端电压
关于
GND
温度
在偏置
存储
温度
直流输出电流
广告
＆放大器;产业
-0.5到+3.6
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MH
Z
)
符号
C
IN
C
OUT
(3)
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
5640 TBL 07
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-65到+150
50
o
C
C
o
mA
5640 TBL 06
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作说明
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
一定不能超过V
DD
+ 0.3V为周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ GT ; V
DD
+ 0.3V.
注意事项：
1.这些参数由器件特性决定的，但不
生产测试。
2. 3DV引用插电容时的输入和输出开关
从0V到3V或3V至0V 。
3. C
OUT
还引用
I / O
.
6.42
5
QQ：2881677436 复制
