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指数
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PD - 9.764
IRGPH40F
绝缘栅双极晶体管
特点
开关损耗额定值包括所有"tail"损失
优化中的工作频率（ 1
为10kHz ），见图。 1电流 - 频率曲线
G
E
C
速度快IGBT
V
CES
= 1200V
V
CE （ SAT ）
≤
3.3V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 17A
N沟道
描述
绝缘栅双极晶体管（IGBT ），国际整流器有
更高的可用电流密度比可比的双极型晶体管，而在
有熟悉的电源简单的栅极驱动要求的同时，
MOSFET。它们提供了大量的好处到主机的高电压，高
当前的应用程序。
TO-247AC
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
门极 - 发射极电压
反向电压雪崩能量
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
1200
29
17
58
58
±20
15
160
65
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
V
A
V
mJ
W
°C
热阻
参数
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Wt
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
分钟。
—
—
—
—
典型值。
—
0.24
—
6 (0.21)
马克斯。
0.77
—
40
—
单位
° C / W
克（盎司）
C-273
修订版0
TO ORDER
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指数
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IRGPH40F
40
对于博日：
特里亚ngular瓦特AVE ：
见有D C ü RE NT （ A）
30
UTY CYC乐： 50 ％
TJ = 12 5℃
牛逼水墨= 90℃
摹吃了驱动器规格ifie
POW ER issipation = 35W
林郑月娥P电压：
80 ％的额定
平uare瓦特AVE ：
20
额定的60 ％
电压
10
身份证电子一l D同时IOD （E S）
0
0.1
1
10
100
F，F重新昆西（馀Z）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（方波， I = I
RMS
的根本;为三角波， I = I
PK
)
100
1000
I
C
，C LLE构造函数对-E米伊特尔 urre NT （A ）
I
C
，C ollector到-E米特光凭目前 （A ）
T
J
= 2 5°C
T
J
= 15 0 °C
100
T
J
= 15 0°C
10
10
T
J
= 25 °C
1
0.1
1
1
V
摹ê
= 15 V
20微秒P UL南东西TH ID
10
0.01
5
10
V
C C
= 10 0 V
5微秒P ü L南东西TH ID
15
20
V
权证
，C llector到EM伊特尔V oltage （ V）
V
摹ê
，G吃了对-E米伊特尔V LTA GE （ V）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
C-275
TO ORDER
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IRGPH40F
30
V
摹ê
= 15 V
5.0
V
摹ê
= 1 5V
8 0μ S·P ü LS东西ID
I
C
= 3 4A
V
权证
，C ollec器到-E米itte诉 LTA GE （ V）
M的Axim嗯DC ollector光凭目前 （A ）
20
4.0
10
3.0
I
C
= 1 7A
I
C
= 8.5 A
2.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 14 0 160
0
25
50
75
100
125
150
T
C
，C ASE tem温度（ ° C）
T
C
，C为（E T） EM PE RA TURE （ ° C）
图。 4
- 最大集电极电流 -
外壳温度
图。五
- 集电极 - 发射极电压 -
外壳温度
1
牛逼赫姆人响应（Z
日JC
)
D = 0 .5 0
0.2 0
0.1
0.1 0
0 .05
单摹LE P UL SE
（ TH ER MA L R é SP NS E）
释：
1 。 ü TY前言与r D =吨
1
/ t
2
P
D M
t
1
t2
0.0 2
0.0 1
0.01
0.00001
2 。 P·E A K牛逼
J
= P
D M
X Z
THJ
+ T C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t
1
中，R ectangular脉冲 uration （秒）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
C-276
TO ORDER
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IRGPH40F
24 0 0
20 0 0
16 0 0
C
IES
12 0 0
C
OES
V
摹ê
，G一TE-到-E米itte诉 LTAG E（ V）
100
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
gc
, C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20
V
权证
= 40 0V
I
C
= 17 A
16
C，C apacitance （PF ）
12
8
800
C
水库
400
4
0
1
10
0
0
10
20
30
40
50
V
权证
，C llector到EM伊特尔V oltage （ V）
Q
g
，T TAL G A TE建华一RG E（N C）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
4 .8
为了TA升S瓦特ITC兴芦SS ES （ M·J ）
全S瓦特瘙痒损失（ M·J ）
V
C C
V
摹ê
T
C
I
C
= 9 60 V
= 15 V
= 25°C
= 1 7A
100
R
G
= 10
V
摹ê
= 1 5V
V
C C
= 96 0V
I
C
= 34 A
4 .6
10
I
C
= 17 A
I
C
= 8.5 A
4 .4
1
4 .2
4 .0
0
10
20
30
40
50
60
0.1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
R
G
，G吃 ES istance （
)
W
T
C
，C ASE tem温度（ ° C）
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
外壳温度
C-277
TO ORDER
介绍
可靠性报告是由于整理的试验数据的汇总
实施可靠性程序。这份报告将定期
通常更新每季。这份报告对未来出版物将
也包括适当的其他信息，以帮助用户在
解释提供的数据。该计划仅涵盖IGBT /
CoPack制造的产品在IRGB ，荷兰路， Oxted 。该
本报告所提供的可靠性数据的封装类型和TO247
TO220.
在红外数据手册提供有关可靠性数据的详细信息
IGBT - 3 ，页E- 65 -E - 72 。这也可从Oxted办公室。
可靠性工程_____________________________________
质量经理
日期
_____________________________________
_____________________________________
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 3
FIT率/等效器件小时
传统上，结果的可靠性已经在平均时间对故障方面介绍
或中位数，时间到失败。虽然这些结果有其价值，他们不
一定告诉他最需要知道的设计师。例如， Median-
时间到失败告诉工程师也需要多长时间半特定不少
设备出现故障。显然，没有设计师希望有一个内有50 ％的失败率
合理的设备的使用寿命。的更大的兴趣，因此，是时候的故障
设备的比例要小得多说的1 ％或0.1 ％ 。例如，在一个给定的
每百单位申请一次失败在五年内是可以接受的失败率
对于设备，设计者知道时间积累的一个1 ％的失败
每单元组件，则组件的不超过0.1 ％，可以在5失败
年。因此，在IGBT / CoPack可靠性或操作寿命的数据被呈现在
的时间上，将采取产生故障的规定数量下给出
操作条件。
以获得的故障率从一个例子的透视，让我们假设一个
电子系统包含1000半导体器件，并能耐受1％
每月的系统故障。该方程为设备故障是：
λ
=允许的比例系统故障
时间段
在该示例的情况下，
λ
=
0.01故障
720小时
X
1
设备号
X
10
9
=
FITS
X
1
1000设备
=
10
9
=
14 FITS
或14或适合每10 14失败
9
设备的时间。
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 5
QQ：2881677436 复制
