PD - 95483
汽车MOSFET
特点
先进的工艺技术
超低导通电阻
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
LEAD -FREE
G
IRF1010EZPbF
IRF1010EZSPbF
IRF1010EZLPbF
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= 60V
R
DS （ ON）
= 8.5m
S
描述
专为汽车应用，
这HEXFET
功率MOSFET采用了最新的
加工技术，以实现极低
导通电阻每硅片面积。其他为特色的
这种设计的Tures的是175 ° C的结operat-
荷兰国际集团的温度，开关速度快， im-
事实证明重复雪崩额定值。这些特点
Tures的结合起来，使这个设计非常
高效，可靠的装置，用于在汽车用途
应用程序和各种各样的其它应用
系统蒸发散。
I
D
= 75A
TO-220AB
IRF1010EZ
D
2
PAK
IRF1010EZS
TO-262
IRF1010EZL
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （参见图9）中
连续漏电流， V
GS
@ 10V
（包装有限公司）
漏电流脉冲
马克斯。
84
60
75
340
140
0.90
± 20
99
180
看到图12a ， 12b中， 15,16
-55 + 175
单位
A
c
最大功率耗散
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量（热有限公司）
单脉冲雪崩能量测试值
雪崩电流
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
°C
c
i
d
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
h
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
结到环境（ PCB安装，稳态）
典型值。
–––
0.50
–––
–––
马克斯。
1.11
–––
62
40
单位
° C / W
j
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
www.irf.com
1
06/29/04
IRF1010EZ/S/LPbF
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
ΒV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
60
–––
–––
2.0
200
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.058 –––
6.8
8.5
–––
4.0
–––
–––
–––
20
–––
250
–––
200
––– -200
58
86
19
28
21
32
19
–––
90
–––
38
–––
54
–––
4.5
–––
7.5
2810
420
200
1440
320
510
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
V
V /°C的
m
V
S
A
nA
nC
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
GS
= 10V ，我
D
= 51A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 25V ，我
D
= 51A
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 51A
V
DS
= 48V
V
GS
= 10V
V
DD
= 30V
I
D
= 51A
R
G
= 7.95
V
GS
= 10V
D
铅之间，
f
f
f
ns
nH
6毫米（0.25英寸）。
从包
G
S
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的，见图。五
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 48V ， = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至48V
二极管的特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
41
54
84
A
340
1.3
62
81
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
G
D
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 51A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= 51A ，V
DD
= 30V
的di / dt = 100A / μs的
f
S
f
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （见图11）。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25 ° C，L = 0.077mH ，
R
G
= 25, I
AS
= 51A ，V
GS
= 10V 。不属于
推荐使用高于此值。
I
SD
≤
51A ， di / dt的
≤
260A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
1.0ms的;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
限制T
JMAX
，参见图12a和12b ，15，16为典型的重复
雪崩性能。
从样品失效人口这个值来决定。 100 ％
测试，在生产该值。
这个被施加到D
2
白，装在1"方形PCB时
（FR-4或G- 10材料） 。对于推荐的足迹，
焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
2
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IRF1010EZ/S/LPbF
100000
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
ISS = C GS + C GD ，C DS短路
RSS = C GD
OSS = C DS + C GD
12.0
ID = 51A
10.0
VDS = 48V
VDS = 30V
VDS = 12V
C，电容（pF ）
10000
8.0
6.0
西塞
1000
4.0
科斯
CRSS
100
1
10
100
2.0
0.0
0
10
20
30
40
50
60
VDS ，漏极至源极电压（ V）
QG总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.00
10000
在这一领域
限于由R DS （ ON）
100.00
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
1000
100
100sec
1msec
10.00
T J = 175℃
10
1.00
T J = 25°C
1
10msec
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
VGS = 0V
0.10
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
VSD ，源极到漏极电压（V ）
0.1
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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100
RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻
（归一化）
2.5
90
80
ID ，漏电流（ A）
不限按包
ID = 84A
VGS = 10V
2.0
70
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
175
T C ，外壳温度（ ° C）
1.5
1.0
0.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J ，结温（ ° C）
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
10
热响应（Z thJC ）
1
D = 0.50
0.20
0.1
R
1
R
1
τ
J
τ
1
τ
2
R
2
R
2
R
3
R
3
τ
3
τ
C
τ
τ
3
0.10
0.05
0.02
0.01
τ
J
τ
1
τ
2
RI（ ° C / W）
τi
（秒）
0.415
0.000246
0.410
0.000898
0.285
0.009546
0.01
CI-
τi /日
CI = I /日
单脉冲
（热反应）
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
注意事项：
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.01
0.1
T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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5
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