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指数
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PD - 9.1145A
IRGPC50MD2
绝缘栅双极晶体管
超快软恢复
二极管
特点
短路额定-10μs @ 125°C ，V
GE
= 15V
开关损耗额定值包括所有"tail"损失
TM
HEXFRED软超快二极管
优化中的工作频率（ 1
为10kHz ），见图。 1电流 - 频率曲线
C
额定短路
快CoPack IGBT
V
CES
= 600V
V
CE （ SAT ）
≤
2.0V
G
@V
GE
= 15V ，我
C
= 35A
E
N沟道
描述
共同封装的IGBT是国际整流器公司的良好的自然延伸
众所周知IGBT线。他们提供了一个IGBT和超快的便利
在一个包中恢复二极管，造成很大的好处到主机的
高电压，大电流，应用。
这些新的短路额定值器件特别适用于电机控制
和其他应用程序需要的短路耐受能力。
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
t
sc
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
短路承受时间
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
TO-247AC
马克斯。
600
60
35
120
120
25
120
10
± 20
200
78
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
单位
V
A
s
V
W
°C
热阻
参数
R
θ
JC
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
分钟。
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
0.24
—
6 (0.21)
马克斯。
0.64
0.83
—
40
—
单位
° C / W
克（盎司）
修订版2
C-399
TO ORDER
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指数
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IRGPC50MD2
40
ü TY周期： 5 0 ％
TJ = 12 5℃
牛逼S IN K = 90℃
摹，在E盘A S SP é CIF例如，d
30
牛逼瓮-on罗小规模企业在clud ê
的亮采RSE RECO é FF学分已经RY
POW ER迪斯IPA化= 40瓦
20
10
0
0.1
1
10
100
F，F重新昆西（馀Z）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
1000
10 00
I
C
，共llector到-E米伊特尔光凭目前 （A ）
100
I
C
，C ollector到-E米itte R C光凭目前（ A）
2 5 °C
1 50°C
1 00
15 0°C
2 5°C
10
10
1
0.1
1
V
GE
= 15 V
2 0 μ S·P ü L南东西ID牛逼
10
1
5
10
V
CC
= 1 0 0V
5μ S·P ü L南东西TH ID
15
20
V
权证
，C欧莱构造函数对EM伊特尔电压（V ）
V
摹ê
，G一TE-到-E米伊特尔V ltage （ V）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
C-401
TO ORDER
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指数
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IRGPC50MD2
60
V
GE
= 1 5 V
3.5
V
权证
，共llector到-E米伊特尔V oltag E（ V）
M的Axim嗯 C C ollector光凭目前 （A ）
V
GE
= 1 5V
8 0 μ S·P ü L南东西TH ID
50
I
C
= 7 0A
3.0
40
2.5
30
2.0
I
C
= 3 5A
20
10
1.5
I
C
= 17A
0
25
50
75
100
125
150
1.0
-60
-4 0
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
C
，C ASE tem温度（ ° C）
T
C
，C ASE TEM PE叉涂抹（ ° C）
图。 4
- 最大集电极电流 -
外壳温度
图。五
- 集电极 - 发射极电压 -
外壳温度
1
牛逼HERMA l研究ESPO NSE （Z
THJ
)
D = 0 .5 0
0.2 0
0.1
0.1 0
0 .05
S IN摹乐普L SE
（ TH ER MA L R ES PO北南E）
N 2 O TE S：
1 。 ü TY F交流吨或D = T
1
/ t
2
P
D M
t
1
t2
0.0 2
0.0 1
0.01
0.00001
2 。 P·E A K牛逼
J
= P
D M
X Z
日J·C
+ T C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t
1
中，R ectangular脉冲 uration （秒）
图。 6
- 最大IGBT有效的瞬态热阻抗，结至外壳
C-402
TO ORDER
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指数
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IRGPC50MD2
6 0 00
20
5 0 00
V
摹ê
，G吃了对-E米伊特尔Voltag E（ V）
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
gc
, C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
V
CE
= 4 00 V
I
C
= 3 5A
16
C，C在PA citan CE （PF ）
C
IES
4 0 00
C
OES
3 0 00
12
8
2 0 00
C
水库
1 0 00
4
0
1
10
100
0
0
30
60
90
1 20
V
权证
，C ollector到EM伊特尔V oltage （ V）
Q
G
，共有摹吃哈耶（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
6 .6
6 .5
T O服务TAL S瓦特ITC兴洛SE S（ M·J ）
牛逼otal S瓦特瘙痒损失（ M·J ）
V
C C
V
摹ê
T
C
I
C
= 48 0V
= 15V
= 25 °C
= 3 5A
100
R
G
= 5
V
摹ê
= 15 V
V
C C
= 4 80 V
I
C
= 70 A
6 .4
6 .3
10
I
C
= 3 5A
6 .2
I
C
= 1 7A
6 .1
6 .0
0
10
20
30
40
50
60
1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
A
100 120 140 160
R
G
，G吃 esistance （
)
W
T
C
，C ASE tem温度（ ° C）
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
外壳温度
C-403
TO ORDER
介绍
可靠性报告是由于整理的试验数据的汇总
实施可靠性程序。这份报告将定期
通常更新每季。这份报告对未来出版物将
也包括适当的其他信息，以帮助用户在
解释提供的数据。该计划仅涵盖IGBT /
CoPack制造的产品在IRGB ，荷兰路， Oxted 。该
本报告所提供的可靠性数据的封装类型和TO247
TO220.
在红外数据手册提供有关可靠性数据的详细信息
IGBT - 3 ，页E- 65 -E - 72 。这也可从Oxted办公室。
可靠性工程_____________________________________
质量经理
日期
_____________________________________
_____________________________________
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 3
FIT率/等效器件小时
传统上，结果的可靠性已经在平均时间对故障方面介绍
或中位数，时间到失败。虽然这些结果有其价值，他们不
一定告诉他最需要知道的设计师。例如， Median-
时间到失败告诉工程师也需要多长时间半特定不少
设备出现故障。显然，没有设计师希望有一个内有50 ％的失败率
合理的设备的使用寿命。的更大的兴趣，因此，是时候的故障
设备的比例要小得多说的1 ％或0.1 ％ 。例如，在一个给定的
每百单位申请一次失败在五年内是可以接受的失败率
对于设备，设计者知道时间积累的一个1 ％的失败
每单元组件，则组件的不超过0.1 ％，可以在5失败
年。因此，在IGBT / CoPack可靠性或操作寿命的数据被呈现在
的时间上，将采取产生故障的规定数量下给出
操作条件。
以获得的故障率从一个例子的透视，让我们假设一个
电子系统包含1000半导体器件，并能耐受1％
每月的系统故障。该方程为设备故障是：
λ
=允许的比例系统故障
时间段
在该示例的情况下，
λ
=
0.01故障
720小时
X
1
设备号
X
10
9
=
FITS
X
1
1000设备
=
10
9
=
14 FITS
或14或适合每10 14失败
9
设备的时间。
IGBT / CoPack
季报可靠性报告
第35 5
QQ：2880707522 复制
