PD - 93871
IRGC75B120UB
死在晶圆表
特点
GEN5非穿通（ NPT ）技术
超快
10
短篇小说电路能力
广场RBSOA
正V
CE （ON）的
温度COEF网络cient
基准效率高于20KHz的
优化焊接，UPS和感应加热
坚固与超快的性能
优良的电流共享并联运行
C
好处
G
E
1200V
I
C（ NOM ）
=75A
V
CE （ ON） （典型值） 。
= 3.1V @
I
C（ NOM ）
@ 25°C
超快IGBT
额定短路
150毫米晶圆
电气特性（晶圆表）
参数
V
CE （上）
V
（ BR ） CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
描述
保证（ MIN，MAX ）
集电极 - 发射极饱和电压1.54V分钟， 1.78V最大
集电极 - 发射极击穿电压
1200V分钟
栅极阈值电压
4.4V min时，最大6.0V
零栅极电压集电极电流
最大30μA
门极 - 发射极漏电流
± 2 μA（最大值）
测试条件
I
C
= 10A ，T
J
= 25 ° C，V
GE
= 15V
T
J
= 25 ° C，I
CES
= 750μA ，V
GE
= 0V
V
GE
= V
CE
, T
J
= 25 ° C，I
C
= 750A
T
J
= 25 ° C，V
CE
= 1200V
T
J
= 25 ° C，V
GE
= +/-20V
机械数据
标称Backmetal组成， （厚度）
标称正面金属成分， （厚度）
尺寸
晶圆直径
晶圆厚度，公差
相关模具机械的Dwg 。数
最低街宽
拒绝墨点尺寸
墨点位置
推荐的存储环境
推荐模具附加条件
铝 - 钛 - 镍/ V - 银（ 1kA的 - 为1kA - 4KA - 6KA ）
99 ％的Al / 1 ％的Si ， （ 4微米）
0.443" X 0.443"
150毫米，性病。 < 100 >平
185m, +/-15m
01-5378
100m
0.25毫米直径最小
全相同晶片一致
储存于原装容器中，在dessicated
氮气，没有污染
为了获得最佳的电气结果，芯片粘接
温度不应超过300℃
模具大纲
11.25
[.443]
9.854
[.388]
注意事项：
1.所有梦诗离子为S HOWN在MILLIMET ERS [英寸] 。
2.控制梦诗ION： [英寸] 。
3. LETTE DES伊格纳特ION ：
S = S环境允许
G = GAT ê
S K = S环境允许KELVIN
IS = CURRENTS ENS
= E ER MITT
4. DIME NS有理牛逼OLERANCES ：
焊盘：
＆ LT ; 0.635牛逼OLERANCE = + / - 0.013
< [ 0.0250 ]公差= + / - [ 0.0005 ]
＆ GT ; 0.635牛逼OLERANCE = + / - 0.025
> [ 0.0250 ]公差= + / - [ 0.0010 ]
＆ LT ; 1.270牛逼OLERANCE = + / - 0.102
＆ LT ; [ 0.050 ]公差= + / - [ 0.004 ]
＆ GT ; 1.270牛逼OLERANCE = + / - 0.203
＆ GT ; [ 0.050 ]公差= + / - [ 0.008 ]
9.773
[.385]
EMITT ER
1.32
[.052]
G
1.99
[.078]
宽度
＆放大器;
长
OVE RALL DIE ：
宽度
＆放大器;
长
01-5378
www.irf.com
2/14/2000
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