以前的数据表
指数
下一页数据表
PD - 9.784A
IRGB420U
绝缘栅双极晶体管
特点
开关损耗额定值包括所有"tail"损失
优化高工作频率（超过5kHz时）
参见图。 1电流 - 频率曲线
G
E
C
超快IGBT
V
CES
= 500V
V
CE （ SAT ）
≤
3.0V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 7.5A
N沟道
描述
绝缘栅双极晶体管（IGBT ），国际整流器有
更高的可用电流密度比可比的双极型晶体管，而在
有熟悉的电源简单的栅极驱动要求的同时，
MOSFET。它们提供了大量的好处到主机的高电压，高
当前的应用程序。
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
门极 - 发射极电压
反向电压雪崩能量
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
500
14
7.5
28
28
±20
5.0
60
24
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
V
A
V
mJ
W
°C
热阻
参数
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Wt
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
分钟。
—
—
—
—
典型值。
—
0.50
—
2.0 (0.07)
马克斯。
2.1
—
80
—
单位
° C / W
克（盎司）
修订版0
C-575
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
IRGB420U
20
对于这两种：
三角瓦特AV E：
16
见有D C ü RE NT （ A）
UTY CLE ： 50 ％
TJ = 125°C
牛逼水槽= 90
摹吃DRIV E上SPE 后指定
P 2 O宽E 迪斯IPA TIO N = 1 4W
S单方瓦特AVE ：
额定的60 ％
电压
林郑月娥P电压：
80 ％的额定
12
8
4
理想二极管
0
0.1
1
10
100
F，F重新昆西（馀Z）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（方波， I = I
RMS
的根本;为三角波， I = I
PK
)
100
100
I
C
，C ollector到-E米特光凭目前 （A ）
I
C
，C欧莱构造函数对-E米itte R C urren T（A ）
10
T
J
= 2 5°C
T
J
= 1 50 °C
T
J
= 1 5 0°C
10
1
T
J
= 2 5°C
0 .1
1
1
V
摹ê
= 15 V
20微秒P UL南东西TH ID
10
0.01
5
10
V
C C
= 1 0 0V
5μ S·P ü LS东西ID
15
20
V
权证
，C llector到EM伊特尔V oltage （ V）
V
摹ê
，G吃了对-E米itte诉 LTA GE （ V）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
C-577
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
IRGB420U
15
V
摹ê
= 15 V
4.5
马XIM UM DC ollector urre NT （A ）
V
摹ê
= 15 V
80微秒P UL南东西TH ID
I
C
= 1 5A
V
权证
，C llec到R-到-E米伊特尔V oltage （ V）
4.0
12
3.5
9
3.0
6
2.5
I
C
= 7.5A
2.0
3
I
C
= 4.0 A
1.5
0
25
50
75
100
125
150
1.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
C
，C ASE tem温度（ ° C）
T
C
，C A S éテ米P·EラTURE （ ° C）
图。 4
- 最大集电极电流 -
外壳温度
图。五
- 集电极 - 发射极电压 -
外壳温度
10
牛逼赫姆人响应（Z
日JC
)
1
D = 0.50
0 .2 0
0 .10
0.0 5
P
D M
0.1
0.0 2
0 .01
t
单摹LE P ü LS ê
（ TH ER M AL SP 0：N SE ）
N 2 O TE S：
1 。 ü TY前言与r D =吨
1
/ t
2
1
t2
0.01
0.00001
2 。 P·E A K牛逼
J
= P
D M
X Z
日J·C
+ T C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t
1
中，R ectangular脉冲 uration （秒）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
C-578
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
IRGB420U
700
V
摹ê
，门到-E米伊特尔V oltage （ V）
1 00
600
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
gc
, C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20
V
权证
= 4 00 V
I
C
= 7.5 A
16
C，C apacitance （PF ）
500
C
IES
400
12
C
OES
300
8
200
C
水库
100
4
0
1
10
0
0
4
8
12
16
V
权证
，C ollector到-E米伊特尔V oltage （ V）
Q
G
，共有摹吃哈耶（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
0 .2 2
为了塔尔S瓦特瘙痒L奥赛斯（兆焦耳）
0 .2 1
要以g损失た升S瓦特痒（ M·J ）
V
C C
V
摹ê
T
C
I
C
= 4 00 V
= 15 V
= 25 °C
= 7.5 A
10
R
G
= 50
V
摹ê
= 1 5V
V
C C
= 40 0V
1
0 .2 0
I
C
= 15 A
I
C
= 7.5 A
0.1
0 .1 9
I
C
= 4.0A
0 .1 8
0 .1 7
20
30
40
50
60
0.01
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
R
G
，G吃 ES istance （
)
W
T
C
，C ASE tem温度（ ° C）
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
外壳温度
C-579
TO ORDER
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指数
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PD - 9.784A
IRGB420U
绝缘栅双极晶体管
特点
开关损耗额定值包括所有"tail"损失
优化高工作频率（超过5kHz时）
参见图。 1电流 - 频率曲线
G
E
C
超快IGBT
V
CES
= 500V
V
CE （ SAT ）
≤
3.0V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 7.5A
N沟道
描述
绝缘栅双极晶体管（IGBT ），国际整流器有
更高的可用电流密度比可比的双极型晶体管，而在
有熟悉的电源简单的栅极驱动要求的同时，
MOSFET。它们提供了大量的好处到主机的高电压，高
当前的应用程序。
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
门极 - 发射极电压
反向电压雪崩能量
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
500
14
7.5
28
28
±20
5.0
60
24
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
V
A
V
mJ
W
°C
热阻
参数
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Wt
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
分钟。
—
—
—
—
典型值。
—
0.50
—
2.0 (0.07)
马克斯。
2.1
—
80
—
单位
° C / W
克（盎司）
修订版0
C-575
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
IRGB420U
20
对于这两种：
三角瓦特AV E：
16
见有D C ü RE NT （ A）
UTY CLE ： 50 ％
TJ = 125°C
牛逼水槽= 90
摹吃DRIV E上SPE 后指定
P 2 O宽E 迪斯IPA TIO N = 1 4W
S单方瓦特AVE ：
额定的60 ％
电压
林郑月娥P电压：
80 ％的额定
12
8
4
理想二极管
0
0.1
1
10
100
F，F重新昆西（馀Z）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（方波， I = I
RMS
的根本;为三角波， I = I
PK
)
100
100
I
C
，C ollector到-E米特光凭目前 （A ）
I
C
，C欧莱构造函数对-E米itte R C urren T（A ）
10
T
J
= 2 5°C
T
J
= 1 50 °C
T
J
= 1 5 0°C
10
1
T
J
= 2 5°C
0 .1
1
1
V
摹ê
= 15 V
20微秒P UL南东西TH ID
10
0.01
5
10
V
C C
= 1 0 0V
5μ S·P ü LS东西ID
15
20
V
权证
，C llector到EM伊特尔V oltage （ V）
V
摹ê
，G吃了对-E米itte诉 LTA GE （ V）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
C-577
TO ORDER
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指数
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IRGB420U
15
V
摹ê
= 15 V
4.5
马XIM UM DC ollector urre NT （A ）
V
摹ê
= 15 V
80微秒P UL南东西TH ID
I
C
= 1 5A
V
权证
，C llec到R-到-E米伊特尔V oltage （ V）
4.0
12
3.5
9
3.0
6
2.5
I
C
= 7.5A
2.0
3
I
C
= 4.0 A
1.5
0
25
50
75
100
125
150
1.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
C
，C ASE tem温度（ ° C）
T
C
，C A S éテ米P·EラTURE （ ° C）
图。 4
- 最大集电极电流 -
外壳温度
图。五
- 集电极 - 发射极电压 -
外壳温度
10
牛逼赫姆人响应（Z
日JC
)
1
D = 0.50
0 .2 0
0 .10
0.0 5
P
D M
0.1
0.0 2
0 .01
t
单摹LE P ü LS ê
（ TH ER M AL SP 0：N SE ）
N 2 O TE S：
1 。 ü TY前言与r D =吨
1
/ t
2
1
t2
0.01
0.00001
2 。 P·E A K牛逼
J
= P
D M
X Z
日J·C
+ T C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t
1
中，R ectangular脉冲 uration （秒）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
C-578
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
IRGB420U
700
V
摹ê
，门到-E米伊特尔V oltage （ V）
1 00
600
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
gc
, C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20
V
权证
= 4 00 V
I
C
= 7.5 A
16
C，C apacitance （PF ）
500
C
IES
400
12
C
OES
300
8
200
C
水库
100
4
0
1
10
0
0
4
8
12
16
V
权证
，C ollector到-E米伊特尔V oltage （ V）
Q
G
，共有摹吃哈耶（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
0 .2 2
为了塔尔S瓦特瘙痒L奥赛斯（兆焦耳）
0 .2 1
要以g损失た升S瓦特痒（ M·J ）
V
C C
V
摹ê
T
C
I
C
= 4 00 V
= 15 V
= 25 °C
= 7.5 A
10
R
G
= 50
V
摹ê
= 1 5V
V
C C
= 40 0V
1
0 .2 0
I
C
= 15 A
I
C
= 7.5 A
0.1
0 .1 9
I
C
= 4.0A
0 .1 8
0 .1 7
20
30
40
50
60
0.01
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
R
G
，G吃 ES istance （
)
W
T
C
，C ASE tem温度（ ° C）
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
外壳温度
C-579
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