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PD-94526A
汽车MOSFET
典型应用
●
●
IRF1503
D
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
= 30V
G
S
14V汽车电器系统
14V电动助力转向系统
先进的工艺技术
超低导通电阻
175 ° C工作温度
快速开关
重复性雪崩中允许多达TJMAX
特点
●
●
●
●
●
R
DS （ ON）
= 3.3m
I
D
= 75A
描述
专为汽车应用，这
HEXFET设计
功率MOSFET采用了最新
加工技术，以实现极低的导通
每硅片面积的阻力。这个额外的功能
HEXFET功率MOSFET是175 ° C的结工作
温度，开关速度快，提高了重复
雪崩额定值。这些结合起来，使这个设计的
非常高效，在汽车使用可靠的设备
应用程序和各种各样的其它应用。
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
E
AS
（测试）
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V （硅有限公司）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （见图9 ）
连续漏电流， V
GS
@ 10V （包装有限公司）
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量？
单脉冲雪崩能量测试的价值？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
240
170
75
960
330
2.2
± 20
510
980
看到图12a ， 12b中，15，16
-55 + 175
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
°C
300 （ 1.6毫米从案例）
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
0.45
–––
62
单位
° C / W
www.irf.com
1
12/11/02
IRF1503
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
30
–––
–––
2.0
75
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.028
2.6
–––
–––
–––
–––
–––
–––
130
36
41
17
130
59
48
5.0
13
5730
2250
290
7580
2290
3420
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
3.3
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 140A
4.0
V
V
DS
= 10V ，我
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 140A
20
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
200
V
GS
= 20V
nA
-200
V
GS
= -20V
200
I
D
= 140A
54
NC V
DS
= 24V
62
V
GS
= 10V
–––
V
DD
= 15V
–––
I
D
= 140A
ns
–––
R
G
= 2.5
–––
V
GS
= 10V
D
铅之间，
–––
6毫米（0.25英寸）。
nH
G
从包
–––
而中心的模具接触
S
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= 25V
–––
= 1.0MHz的，见图。五
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 24V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至24V
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
注意事项：
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– 240
展示
A
G
整体反转
––– ––– 960
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 140A ，V
GS
= 0V
––– 71 110
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 140A ，V
DD
= 15V
––– 110 170
NC的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （见图11）。
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.049mH
R
G
= 25, I
AS
= 140A 。 （参见图12）。
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
限制T
JMAX
，参见图12a和12b ，15，16为典型的重复
雪崩性能。
从样品失效人口这个值来决定。 100 ％
测试，在生产该值。
2
www.irf.com
IRF1503
1000
VGS
顶部
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
1000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
4.5V
10
4.5V
20μs的脉冲宽度
TJ = 25°C
1
0.1
1
10
100
10
0.1
1
20μs的脉冲宽度
TJ = 175℃
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
200
T J = 25°C
T J = 175℃
政府飞行服务队，正向跨导（ S）
T J = 175℃
160
ID ，漏 - 源电流
(Α
)
120
100
TJ = 25°C
80
40
VDS = 25V
20μs的脉冲宽度
0
0
40
80
120
160
200
10
4.0
5.0
6.0
VDS = 25V
20μs的脉冲宽度
7.0
8.0
9.0
10.0
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
典型正向跨导
与漏电流
www.irf.com
3
IRF1503
10000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
国际空间站
= C GS + C GD ，C DS
短
CRSS
科斯
= Cgd的
= C + Cgd的
ds
20
ID = 140A
8000
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
VDS = 24V
16
C，电容（pF ）
6000
西塞
12
4000
8
科斯
2000
4
CRSS
0
1
10
100
0
0
40
80
120
160
200
Q g总栅极电荷（ NC）
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.0
10000
在这一领域
限制根据RDS （ ON）
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
ISD ，反向漏电流（ A）
100.0
T J = 175℃
10.0
1000
100
100sec
1msec
1.0
T J = 25°C
VGS = 0V
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
10
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
1
10
10msec
0.1
100
VSD ，源toDrain电压（ V）
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRF1503
240
2.0
I
D
= 240A
不限按包
200
I
D
，漏电流（ A）
160
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
1.5
（归一化）
120
1.0
80
0.5
40
V
GS
= 10V
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度
( °C)
T
J
，结温
(
°
C)
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
1
(Z
thJC
)
D = 0.50
0.1
0.20
0.10
热响应
0.05
0.02
0.01
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.占空比系数D =
2.峰值牛逼
t
1
/ t
2
+T
C
0.1
J
= P
DM
X Z
thJC
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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    -
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IRF1503
IR
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IRF1503
IR
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15372
TO-220..
全新原装正品现货热卖
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IR
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ir
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IR
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