PD -
97406A
绝缘栅双极晶体管
特点
低V
CE （上）
沟道IGBT技术
低开关损耗
最高结温为175℃
10
μS
短路SOA
广场RBSOA
各部分的100 ％测试我
LM
正V
CE （上）
温度COEF网络cient
紧张的参数分布
无铅封装
IRG7PSH73K10PbF
C
V
CES
= 1200V
I
C（标称）
= 75A
G
E
t
SC
≥
为10μs ，T
J（下最大）
=175°C
N沟道
V
CE （ON）的
（典型值） 。 = 2.0V
C
E
C
G
Super-247
好处
高效率在宽的应用范围
适用于范围广泛，由于开关频率
低V
CE （上）
和低开关损耗
为提高可靠性坚固的瞬态性能
卓越的均流并联运行
G
克忒
C
C 0 LLE 于r
E
ê米itte
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
公称
I
CM
I
LM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
额定电流
脉冲集电极电流，V
GE
=15V
钳位感性负载电流，V
GE
=20V
连续的门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
马克斯。
1200
220
130
75
单位
V
c
A
d
225
300
±30
1150
580
-55到+175
°C
V
W
热阻
参数
R
θJC
（IGBT）
R
θCS
R
θJA
热阻结到案例 - （每个IGBT ）
热电阻，凯斯到水槽（平，润滑表面）
g
分钟。
典型值。
–––
0.24
40
马克斯。
0.13
–––
–––
单位
° C / W
g
–––
–––
–––
热阻，结到环境（典型的插座安装）
1
www.irf.com
9/8/10
IRG7PSH73K10PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿电压
ΔV
（ BR ） CES
/ΔT
J
温度COEFF 。击穿电压
V
CE （ON）的
V
GE （日）
ΔV
GE （日）
/ ΔTJ
GFE
I
CES
I
GES
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
阈值电压温度。系数
正向跨导
集电极 - 发射极漏电流
门极 - 发射极漏电流
分钟。
1200
—
—
—
—
5.0
—
—
—
—
—
典型值。
—
1.58
2.0
2.50
2.60
—
-18
53
1.0
2340
—
MAX 。单位
条件
—
V V
GE
= 0V时，我
C
= 250μA
—
V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 5.0毫安（ 25 ° C- 175 ° C）
2.3
I
C
= 75A ，V
GE
= 15V ，T
J
= 25°C
—
V I
C
= 75A ，V
GE
= 15V ，T
J
= 150°C
—
I
C
= 75A ，V
GE
= 15V ，T
J
= 175°C
7.5
V V
CE
= V
GE
, I
C
= 3.5毫安
—
毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 3.5毫安（ 25 °C - 175 ° C）
—
s V
CE
= 50V ，我
C
= 75A ， PW =为80μs
25
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V ，T
J
= 25°C
μA
—
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V ，T
J
= 175°C
±400
nA的V
GE
= ±30V
f
e
e
e
f
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
Q
ge
Q
gc
E
on
E
关闭
E
总
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
总
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
IES
C
OES
C
水库
RBSOA
SCSOA
总栅极电荷（导通）
门极 - 发射极电荷（导通）
栅极 - 集电极费（导通）
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
反向偏置安全工作区
短路安全工作区
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
360
87
180
7.7
4.6
12.3
63
118
267
114
11
7.4
18.4
62
110
330
237
9450
340
230
MAX 。单位
540
130
270
8.7
5.6
14.3
81
138
291
134
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
nC
mJ
I
C
= 75A
V
GE
= 15V
V
CC
= 600V
I
C
= 75A ，V
CC
= 600V, V
GE
= 15V
R
G
= 4.7Ω ， L = 200μH ，T
J
= 25°C
I
C
= 75A ，V
CC
= 600V, V
GE
= 15V
R
G
= 4.7Ω ， L = 200μH ，T
J
= 25°C
e
条件
e
能量损失包括尾&二极管的反向恢复
ns
e
mJ
I
C
= 75A ，V
CC
= 600V, V
GE
=15V
R
G
= 4.7Ω ， L = 200μH ，T
J
= 175°C
I
C
= 75A ，V
CC
= 600V, V
GE
=15V
R
G
= 4.7Ω ，L = 200μH
T
J
= 175°C
e
e
能量损失包括尾&二极管的反向恢复
ns
pF
完整的正方形
10
—
—
μs
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
F = 1.0MHz的
I
C
= 300A
V
CC
= 960V ， VP = 1200V
RG = 4.7Ω ，V
GE
= + 20V为0V ，T
J
=175°C
V
CC
= 600V ， VP = 1200V ，T
J
= 150°C
RG = 4.7Ω ，V
GE
= + 15V至0V
注意事项：
基于最大允许结计算的连续电流
温度。键合线限流是195A 。需要注意的是电流
从可能发生的设备引线加热所产生的局限性
一些导致安装布置。
（参见AN- 1140 ）
V
CC
= 80% (V
CES
), V
GE
= 20V ， L = 20μH ，R
G
= 5.0Ω.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
请参阅AN -1086用于测量V指引
（ BR ） CES
安全。
R
θ
测定在T
J
大约90 ℃。
2
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