PD - 91732A
IRG4RC10S
绝缘栅双极晶体管
特点
极低的电压降; 1.0V典型为2A ， 100℃
标准：针对饱和度最低
电压和低的工作频率（ < 1kHz时）
第四代IGBT设计提供了更严格
参数分布和更高的效率比
上一代产品
行业标准的TO- 252AA封装
C
标准速度IGBT
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
= 1.10V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 2.0A
N沟道
好处
第四代IGBT的报价最高的效率提供
IGBT的用于特定应用条件优化
D- PAK
TO-252AA
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
门极 - 发射极电压
反向电压雪崩能量
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
600
14
8.0
18
18
± 20
110
38
15
-55到+ 150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
单位
V
A
V
mJ
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
Wt
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装） *
重量
典型值。
–––
–––
0.3 (0.01)
马克斯。
3.3
50
–––
单位
° C / W
克（盎司）
*当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
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电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） CES
V
（ BR ）， ECS
V
（ BR ） CES
/T
J
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
g
fe
I
CES
I
GES
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
集电极 - 发射极击穿电压
600
—
—
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
发射极 - 集电极击穿电压
18
—
—
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0A
温度COEFF 。的击穿电压 - 0.64 -
V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
V
GE
= 15V
— 1.58 1.7
I
C
= 8.0A
集电极 - 发射极饱和电压
— 2.05 —
I
C
= 14A
参照图2 ， 5
V
— 1.68 —
I
C
= 8.0A ，T
J
= 150°C
栅极阈值电压
3.0
—
6.0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
温度COEFF 。阈值电压
—
-9.5
- 毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
正向跨导
3.7
5.5
—
S
V
CE
= 100V ，我
C
= 8.0A
—
—
250
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
零栅极电压集电极电流
A
—
—
2.0
V
GE
= 0V, V
CE
= 10V ，T
J
= 25°C
—
— 1000
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
门极 - 发射极漏电流
—
- ±100 nA的
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
注意事项：
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
TYP 。 MAX 。单位
条件
15
22
I
C
= 8.0A
2.4 3.6
nC
V
CC
= 400V
参见图。 8
6.5 9.8
V
GE
= 15V
25
—
28
—
T
J
= 25°C
ns
630 950
I
C
= 8.0A ，V
CC
= 480V
710 1100
V
GE
= 15V ，R
G
= 100
0.14 —
能量损失包括"tail"
2.58 —
毫焦耳参见图。 9，10， 14
2.72 4.3
24
—
T
J
= 150°C,
31
—
I
C
= 8.0A ，V
CC
= 480V
ns
810 —
V
GE
= 15V ，R
G
= 100
1300 —
能量损失包括"tail"
3.94 —
毫焦耳参见图。 11，14
7.5
—
nH
从包装测量5毫米
280 —
V
GE
= 0V
30
—
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
4.0
—
= 1.0MHz的
重复评价; V
GE
= 20V ，脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图13b）的
脉冲宽度
≤
为80μs ;占空比
≤
0.1%.
脉冲宽度5.0μs ，单发射击。
V
CC
= 80%(V
CES
), V
GE
= 20V ， L = 10μH ，R
G
= 100,
（参见图13A ）
重复评价;脉冲宽度有限的最大
结温。
2
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3.0
对于这两种：
三角波：
负载电流（A ）
占空比： 50 ％
TJ = 125°C
Tsink 90C
=
作为指定的栅极驱动
功耗= 0.70W
2.0
钳位电压：
80 ％的额定
方波：
额定的60 ％
电压
1.0
理想二极管
0.0
0.1
1
10
)
100
男，频率（KHz ）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
100
100
T
J
= 25
°
C
10
T = 150
°
C
J
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
I
C
，集电极电流（ A）
10
T
J
= 150
°
C
T
J
= 25
°
C
V
CC
= 50V
5s
脉冲宽度
脉冲宽度
6
8
10
12
1
0.8
V
GE
= 15V
20μs的脉冲宽度
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
1
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
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16
3.00
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
= 15V
80我们脉宽
I
C
= 16 A
最大直流电集电极电流（ A）
12
2.50
8
2.00
I
C
=
8A
4
1.50
I
C
=
4A
0
25
50
75
100
125
150
1.00
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
C
，外壳温度（
°
C)
T
J
，结温（
°
C)
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
10
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
单脉冲
（热反应）
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.1
0.01
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
4
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500
400
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
气相色谱法，
C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20
V
CC
= 400V
I
C
= 8A
C，电容（pF ）
资本投资者入境计划
300
15
卓越中心
200
10
100
CRES
5
0
1
10
100
0
0
5
10
15
20
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
2.8
总的开关损耗（兆焦耳）
总的开关损耗（兆焦耳）
V
CC
= 480V
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
I
C
= 8.0A
100
R
G
=欧姆
100
V
GE
= 15V
V
CC
= 480V
I
C
=
16
A
I
C
=
I
C
=
8
A
4
A
10
2.7
1
2.6
0
20
40
60
80
100
0.1
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
R
G
,
,
栅极电阻（欧姆）
R
G
栅极电阻（
)
T
J
，结温（
°
C )
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
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