PD 91736A
IRG4RC10KD
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
额定短路超快：优化
高工作频率>5.0 kHz和短
电路额定为10μs @ 125°C ，V
GE
= 15V
第四代IGBT设计提供了更严格
参数分布和更高的效率比
上一代产品
IGBT共同封装与HEXFRED
TM
超快，
超软恢复反并联二极管以用于
桥配置
行业标准的TO- 252AA封装
C
额定短路
超快IGBT
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
= 2.39V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 5.0A
N-CH的NEL
好处
最新的第4代IGBT的报价最高的功率密度
电机控制可能
HEXFRED
TM
二极管与IGBT的性能进行了优化。
最小化的恢复特性降低噪声， EMI和
开关损耗
有关提示请参阅设计技巧97003
D- PAK
TO-252AA
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
t
sc
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲？ Q
钳位感性负载电流
R
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
短路承受时间
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
马克斯。
600
9.0
5.0
18
18
4.0
16
10
± 20
38
15
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
单位
V
A
s
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
结到环境（印刷电路板安装） *
重量
典型值。
–––
–––
–––
0.3 (0.01)
马克斯。
3.3
7.0
50
–––
单位
° C / W
克（盎司）
*当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994
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1
12/30/00
IRG4RC10KD
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
参数
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
集电极 - 发射极击穿Voltage
600 —
—
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
温度COEFF 。的击穿电压 - 0.58 - V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
集电极 - 发射极饱和电压
— 2.39 2.62
I
C
= 5.0A
V
GE
= 15V
参见图。 2,5
— 3.25 —
V
I
C
= 9.0A
— 2.63 —
I
C
= 5.0A ，T
J
= 150°C
栅极阈值电压
3.0
—
6.5
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
温度COEFF 。阈值电压
—
-11
- 毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
正向跨导“
1.2 1.8
—
S
V
CE
= 50V ，我
C
= 5.0A
零栅极电压集电极电流
—
—
250
A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
—
— 1000
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
二极管的正向压降
—
1.5 1.8
V
I
C
= 4.0A
参见图。 13
—
1.4 1.7
I
C
= 4.0A ，T
J
= 150°C
门极 - 发射极漏电流
—
- ±100 nA的
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
sc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
19
2.9
9.8
49
28
97
140
0.25
0.14
0.39
—
46
32
100
310
0.56
7.5
220
29
7.5
28
38
2.9
3.7
40
70
280
235
MAX 。单位
条件
29
I
C
= 5.0A
4.3
nC
V
CC
= 400V
参见图8
15
V
GE
= 15V
—
—
T
J
= 25°C
ns
150
I
C
= 5.0A ，V
CC
= 480V
210
V
GE
= 15V ，R
G
= 100
—
能量损失包括"tail"
—
兆焦耳和二极管反向恢复
0.48
参见图。 9,10,14
—
s
V
CC
= 360V ，T
J
= 125°C
V
GE
= 15V ，R
G
= 100 , V
CPK
< 500V
—
T
J
= 150°C,
参见图。 10,11,14
—
I
C
= 5.0A ，V
CC
= 480V
ns
—
V
GE
= 15V ，R
G
= 100
—
能量损失包括"tail"
—
兆焦耳和二极管反向恢复
—
nH
从包装测量5毫米
—
V
GE
= 0V
—
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
—
= 1.0MHz的
42
ns
T
J
= 25°C见图
57
T
J
= 125°C
14
I
F
= 4.0A
5.2
A
T
J
= 25°C见图
6.7
T
J
= 125°C
15
V
R
= 200V
60
nC
T
J
= 25°C见图
105
T
J
= 125°C
16
的di / dt = 200A / μs的
—
A / μs的牛逼
J
= 25°C见图
—
T
J
= 125°C
17
2
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