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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第586页 > IRG4PH50KD
PD- 91575B
IRG4PH50KD
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
用于电机控制的高短路额定值优化，
t
sc
= 10μs的，V
CC
= 720V ，T
J
= 125°C,
V
GE
= 15V
结合了低导通损耗高
开关速度
严格的参数分布和更高的效率
比上一代
IGBT共同封装与HEXFRED
TM
超快，
超软恢复反并联二极管
C
额定短路
超快IGBT
V
CES
= 1200V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
=
2.77V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 24A
N-CH的NEL
好处
最新的第4代IGBT的报价最高的功率密度
电机控制可能
HEXFRED
TM
二极管与IGBT的性能进行了优化。
最小化的恢复特性降低噪声， EMI和
开关损耗
这部分取代了IRGPH50KD2和IRGPH50MD2
制品
有关提示请参阅设计技巧97003
TO-247AC
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
t
sc
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
Q
钳位感性负载电流
R
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
短路承受时间
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
1200
45
24
90
90
16
90
10
± 20
200
78
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
单位
V
A
s
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.24
–––
6 (0.21)
马克斯。
0.64
0.83
–––
40
–––
单位
° C / W
克（盎司）
www.irf.com
1
7/7/2000
IRG4PH50KD
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
参数
MIN 。 TYP 。
集电极 - 发射极击穿电压1200 -
温度COEFF 。的击穿电压 - 0.91
集电极 - 发射极饱和电压
— 2.77
— 3.28
— 2.54
栅极阈值电压
3.0
—
温度COEFF 。阈值电压
—
-10
正向跨导
T
13
19
零栅极电压集电极电流
—
—
—
—
二极管的正向压降
—
2.5
—
2.1
门极 - 发射极漏电流
—
—
MAX 。单位
条件
—
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
- V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
3.5
I
C
= 24A
V
GE
= 15V
—
V
I
C
= 45A
参见图。 2,5
—
I
C
= 24A ，T
J
= 150°C
6.0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
- 毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
—
S
V
CE
= 100V ，我
C
= 24A
250
A
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V
6500
V
GE
= 0V, V
CE
= 1200V ，T
J
= 150°C
3.5
V
I
C
= 16A
参见图。 13
3.0
I
C
= 16A ，T
J
= 150°C
±100 nA的
V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
sc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
180
25
70
87
100
140
200
3.83
1.90
5.73
—
67
72
310
390
8.36
13
2800
140
53
90
164
5.8
8.3
260
680
120
76
MAX 。单位
条件
270
I
C
= 24A
38
NC V
CC
= 400V
参见图8
110
V
GE
= 15V
—
—
T
J
= 25°C
ns
300
I
C
= 24A ，V
CC
= 800V
300
V
GE
= 15V ，R
G
= 5.0
—
能量损失包括"tail"
—
兆焦耳和二极管反向恢复
7.9
参见图。 9,10,18
—
s
V
CC
= 720V ，T
J
= 125°C
V
GE
= 15V ，R
G
= 5.0
—
T
J
= 150°C,
参见图。 10,11,18
—
I
C
= 24A ，V
CC
= 800V
ns
—
V
GE
= 15V ，R
G
= 5.0,
—
能量损失包括"tail"
—
兆焦耳和二极管反向恢复
—
nH的测量5毫米从包
—
V
GE
= 0V
—
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
—
= 1.0MHz的
135
ns
T
J
= 25°C见图
245
T
J
= 125°C
14
I
F
= 16A
10
A
T
J
= 25°C见图
15
T
J
= 125°C
15
V
R
= 200V
675
nC
T
J
= 25°C见图
1838
T
J
= 125°C
16
的di / dt = 200A / μs的
—
A / μs的牛逼
J
= 25°C见图
—
T
J
= 125°C
17
2
www.irf.com
IRG4PH50KD
30
F R B 日：
25
负载电流（A ）
20
S Q U A重新W A V E：
ü TY 乐： 5 0 ％
TJ = 1 2 5℃
牛逼片= 9 0 ℃，
克忒 RIV E A S S小P权证ifie
P 2 O宽E R d为的IP一个TIO N =
40
W
率的D 6 0 ％
沃尔特GE
I
15
10
5
身份证电子一升 IO （E S）
0
0.1
1
10
100
男，频率（KHz ）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
100
100
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
T
J
= 150
°
C

10
T = 150
°
C

J
10
T
J
= 25
°
C

T
J
= 25
°
C

1
1
V
= 15V

20μs的脉冲宽度
GE
10
1
5
6
7
8
V
= 50V

5μs脉宽
CC
9
10
11
12
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
www.irf.com
3
IRG4PH50KD
50
4.0
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
= 15V

80我们脉宽
GE
最大直流电集电极电流（ A）
40
3.5

I
C
= 48A
30
3.0

I
C
= 24A
2.5
20

I
C
= 12A
2.0
10
0
25
50
75
100
125
150
1.5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
C
，外壳温度（
°
C)
T
J
，结温（
°
C)
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
1
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲

（热反应）
0.01
0.001
0.00001

注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
0.0001
0.001
0.01

P
DM
t
1
t
2
1
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
4
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IRG4PH50KD
4000
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
C，电容（pF ）
3000

V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
气相色谱法，
C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20

V
CC
= 400V
I
C
= 24A
16
C
IES

12
2000
8
1000
4
0
1
C

OES
C

水库
10
100
0
0
40
80
120
160
200
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
7.0
总的开关损耗（兆焦耳）
6.6
总的开关损耗（兆焦耳）

V
CC
=
800V
960V
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
I
C
= 24A
100

5.0
R
G
=欧姆
V
GE
= 15V
800V
V
CC
= 960V

I
C
=
48
A
10
6.2

I
C
=
24
A

I
C
=
12
A
5.8
5.4
0
10
20
30
40
50
1
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
R
G
R
G
，栅极电阻（
)
，栅极电阻（欧姆）
T
J
，结温（
°
C )
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
www.irf.com
5
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IRKL230-04
IRFY220SM
IDT71V35781S183BQI
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IDT7027S35PFB
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