PD - 97316
IRG4PC50SDPbF
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
??标准：针对最低饱和电压
和低的工作频率（ <1kHz ）
IGBT共同封装与HEXFRED
TM
超快，
超软恢复的反并联二极管的使用
桥配置
行业标准的TO- 247AC封装
标准速度IGBT CoPack
特点
C
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
=
1.28V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 41A
好处
N沟道
代-4 IGBT的报价最高效率
可用的
IGBT的具体应用条件优化
HEXFRED二极管与性能优化
IGBT的。最小化的恢复特性要求
少/没有冷落
C
E
C
G
TO-247AC
G
门
C
集热器
E
辐射源
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
马克斯。
600
70
41
140
140
25
280
±20
200
78
-55到+150
单位
V
c
钳位感性负载电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
d
e
A
连续的门极 - 发射极电压
V
W
°C
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝
热阻
参数
R
θJC
（IGBT）
R
θJC
（二极管）
R
θCS
R
θJA
热阻结到案例 - （每个IGBT ）
热阻结到案例 - （每个二极管）
热电阻，凯斯到水槽（平，润滑表面）
热阻，结到环境（典型的插座安装）
分钟。
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
–––
0.24
–––
马克斯。
0.64
0.83
–––
40
单位
° C / W
1
www.irf.com
04/16/08
IRG4PC50SDPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CES
/T
J
分钟。
600
—
—
—
—
3.0
—
17
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
0.75
1.28
1.62
1.25
—
-9.3
34
—
—
—
1.3
1.2
—
MAX 。单位
—
—
1.36
—
—
6.0
—
—
250
2.0
1000
1.7
1.5
±100
nA
V
A
V
V
条件
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
Ref.Fig
集电极 - 发射极击穿电压
温度COEFF 。击穿电压
V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1毫安（ 25 ° C- 150 ° C）
I
C
= 41A ，V
GE
= 15V ，T
J
= 25°C
V
I
C
= 80A ，V
GE
= 15V ，T
J
= 25°C
I
C
= 41A ，V
GE
= 15V ，T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
2
V
CE （ON）的
V
GE （日）
V
GE （日）
/ ΔTJ
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
阈值电压温度。系数
正向跨导
集电极 - 发射极漏电流
二极管的正向压降
门极 - 发射极漏电流
3
GFE
I
CES
V
FM
I
GES
毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA （ 25 °C - 150 ° C）
s V
CE
= 100V ，我
C
= 41A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 10V ，T
J
= 25°C
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
I
F
= 25A
I
F
= 25A ，T
J
= 150°C
V
GE
= ±20V
13
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
Q
g
Q
ge
Q
gc
E
on
E
关闭
E
总
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
总
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
总栅极电荷（导通）
门极 - 发射极电荷（导通）
栅极 - 集电极费（导通）
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
峰值反向恢复电流
峰值反向恢复电流
回收秋季的峰值速率在t
b
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
180
24
61
0.72
8.27
8.99
33
30
650
400
15
31
31
1080
620
4100
250
48
50
105
4.5
8.0
112
420
250
160
MAX 。单位
280
37
92
—
—
13
—
—
980
600
—
—
—
—
—
—
—
—
75
160
10
15
375
1200
—
—
nC
A
ns
pF
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
ns
mJ
ns
mJ
nC
I
C
= 41A
V
GE
= 15V
V
CC
= 400V
条件
Ref.Fig
8
I
C
= 41A ，V
CC
= 480V, V
GE
= 15V
R
G
= 5.0, T
J
= 25°C
能量损失包括尾&二极管的反向恢复
部18a ， 18b的
18c
I
C
= 41A ，V
CC
= 480V, V
GE
= 15V
R
G
= 5.0Ω ， L = 200μH ，T
J
= 25°C
部18a ， 18b的
18c
I
C
= 41A ，V
CC
= 480V, V
GE
= 15V
R
G
= 5.0Ω ，L = 200μH
T
J
= 150°C
部18a ， 18b的
18c
7
F = 1.0MHz的
T
J
= 25 ° C，V
R
= 200V ，我
F
= 25A ，的di / dt = 200A / μs的
T
J
= 125°C ，V
R
= 200V ，我
F
= 25A ，的di / dt = 200A / μs的
T
J
= 25 ° C，V
R
= 200V ，我
F
= 25A ，的di / dt = 200A / μs的
T
J
= 125°C ，V
R
= 200V ，我
F
= 25A ，的di / dt = 200A / μs的
T
J
= 25 ° C，V
R
= 200V ，我
F
= 25A ，的di / dt = 200A / μs的
T
J
= 125°C ，V
R
= 200V ，我
F
= 25A ，的di / dt = 200A / μs的
14
18A ， 18D
15
18A ， 18D
16
18A ， 18D
17
A / μs的牛逼
J
= 25 ° C，V
R
= 200V ，我
F
= 25A ，的di / dt = 200A / μs的
T
J
= 125°C ，V
R
= 200V ，我
F
= 25A ，的di / dt = 200A / μs的
注意事项：
*重复
评价： V
GE
= 15V ;脉冲宽度有限的最高结温。 （见图20）
V
CC
=80%(V
CES
), V
GE
= 15V ，R
G
= 5.0Ω 。 （见图19）
*脉冲
宽度
≤
为80μs ;占空比
≤
0.1%.
2
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QQ：2881677436 复制
