IXFJ 36N30
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
12
22
2970
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
530
180
29
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
（外部）
130
110
98
106 140
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
24
43
40
74
0.65
0.24
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
含铅TO- 268封装外形
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
36
144
1.8
200
350
A
A
V
ns
ns
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，
V
R
= 100 V
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
艾赛斯的MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利： 4835592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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