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PD - 95647
IRG4PC50KPbF
绝缘栅双极晶体管
额定短路
超快IGBT
V
CES
= 600V
特点
用于电机控制的高短路额定值优化，
t
sc
= 10μs的， @ 360V V
CE
（开始） ，T
J
= 125°C,
V
GE
= 15V
结合了低导通损耗高
开关速度
最新一代的设计提供了更严格的参数
分布和更高的效率比以往的
代
无铅
C
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
=
1.84V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 30A
N沟道
好处
作为一个续流二极管，我们推荐我们
HEXFRED
TM
超快，超软恢复二极管
最小的EMI /噪声和开关损耗
二极管和IGBT
最新的第4代的IGBT提供最高的功率
密度电机控制可能
??该部分取代了IRGPC50K和IRGPC50M
器件
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
t
sc
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
短路承受时间
门极 - 发射极电压
反向电压雪崩能量
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
TO-247AC
马克斯。
600
52
30
104
104
10
±20
170
200
78
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
V
A
s
V
mJ
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
典型值。
0.24
6 (0.21)
马克斯。
0.64
40
单位
° C / W
克（盎司）
www.irf.com
7/26/04
1
IRG4PC50KPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
MIN 。 TYP 。
集电极 - 发射极击穿电压
600
发射极 - 集电极击穿电压
18
V
（ BR ） CES
/T
J
温度COEFF 。击穿电压
0.47
1.84
集电极 - 发射极饱和电压
2.19
V
CE （ON）的
1.79
V
GE （日）
栅极阈值电压
3.0
V
GE （日）
/T
J
温度COEFF 。阈值电压
-12
g
fe
正向跨导
17
24
I
CES
零栅极电压集电极电流
I
GES
门极 - 发射极漏电流
V
（ BR ） CES
V
（ BR ）， ECS
MAX 。单位
条件
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0A
V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
2.2
I
C
= 30A
V
GE
= 15V
I
C
= 52A
参照图2 ， 5
V
I
C
= 30A ，T
J
= 150°C
6.0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
- 毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
S
V
CE
=
100 V，I
C
= 30A
250
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
A
2.0
V
GE
= 0V, V
CE
= 10V ，T
J
= 25°C
5000
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
±100 N A V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
sc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
注意事项：
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
短路承受时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
10
典型值。
200
25
85
38
34
160
79
0.49
0.68
1.12
37
35
260
170
2.34
13
3200
370
95
MAX 。单位
条件
300
I
C
= 30A
38
nC
V
CC
= 400V
参见图8
130
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
ns
240
I
C
= 30A ，V
CC
= 480V
120
V
GE
= 15V ，R
G
= 5.0
能量损失包括"tail"
mJ
参见图。 9,10,14
1.4
s
V
CC
= 400V ，T
J
= 125°C
V
GE
= 15V ，R
G
= 10 , V
CPK
< 500V
T
J
= 150°C,
I
C
= 30A ，V
CC
= 480V
ns
V
GE
= 15V ，R
G
= 5.0
能量损失包括"tail"
mJ
参见图。 11,14
nH
从包装测量5毫米
V
GE
= 0V
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
= 1.0MHz的
重复评价; V
GE
= 20V ，脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图13b）的
重复评价;脉冲宽度有限的最大
结温。
V
CC
= 80%(V
CES
), V
GE
= 20V ， L = 10μH ，R
G
= 5.0
脉冲宽度
≤
为80μs ;占空比
≤
0.1%.
脉冲宽度5.0μs ，单发射击。
2
www.irf.com
IRG4PC50KPbF
70
对于这两种：
60
三角波：
50
占空比： 50 ％
TJ = 125°C
Tsink = 90℃
作为指定的栅极驱动
功耗= 40W
钳位电压：
80 ％的额定
40
方波：
额定的60 ％
电压
I
30
20
10
理想二极管
0
0.1
1
10
A
100
男，频率（KHz ）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
1000
1000
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
100
T
J
= 25
°
C
T
J
= 150
°
C
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
100
T
J
= 150
°
C
10
10
T
J
= 25
°
C
V
CC
= 50V
5μs脉宽
5
6
7
8
9
10
11
12
1
V
GE
= 15V
20μs的脉冲宽度
1
10
1
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
www.irf.com
3
IRG4PC50KPbF
60
3.0
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
= 15V
80我们脉宽
I
C
= 60 A
最大直流电集电极电流（ A）
40
30
2.0
I
C
= 30 A
20
I
C
= 15 A
10
0
25
50
75
100
125
150
1.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
C
，外壳温度（
°
C)
T
J
，结温（
°
C)
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
1
热响应（Z
thJC
)
0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.001
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
4
www.irf.com
IRG4PC50KPbF
5000
4000
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
V
GE
= 0V,
F = 1MHz的
C
IES
= C
ge
+ C
气相色谱法，
C
ce
短
C
水库
= C
gc
C
OES
= C
ce
+ C
gc
20
V
CC
= 400V
I
C
= 30A
16
C，电容（pF ）
资本投资者入境计划
3000
12
2000
8
1000
4
0
1
10
卓越中心
CRES
100
0
0
40
80
120
160
200
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
4.0
总的开关损耗（兆焦耳）
3.0
总的开关损耗（兆焦耳）
V
CC
= 480V
V
GE
= 15V
T
J
= 25
°
C
I
C
= 30A
100
R
G
=
5.0
欧姆
V
GE
= 15V
V
CC
= 480V
10
I
C
=
60
A
I
C
=
30
A
2.0
1
I
C
=
15
A
1.0
0.0
0
R
G
，栅极电阻（欧姆）
()
10
20
30
40
50
0.1
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
J
，结温（
°
C )
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
www.irf.com
5
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