PD- 91751A
IRG4IBC30FD
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
极低的1.59V votage降
2.5kV的， 60年代绝缘电压
4.8毫米爬电距离散热器
快速：针对媒体工作
频率（ 1-5千赫在硬开关， >20
kHz的谐振模式）。
IGBT共同封装与HEXFRED
TM
超快，
超软恢复反并联二极管
严格的参数分布
工业标准隔离TO- 220 FULLPAK
TM
概要
C
快CoPack IGBT
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
= 1.59V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 17A
N-CH的NEL
好处
简化装配
最高的效率和功率密度
HEXFRED
TM
反并联二极管最小化
开关损耗和EMI
的TO-220 FULLPAK
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
VISOL
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
RMS的隔离电压，终端到案？
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
600
20.3
11
120
120
8.5
120
2500
± 20
45
18
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
单位
V
A
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
结到环境，典型的插座安装
重量
典型值。
–––
–––
–––
2.0 (0.07)
马克斯。
2.8
4.1
65
–––
单位
° C / W
克（盎司）
www.irf.com
1
3/26/99
IRG4IBC30FD
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿Voltage
V
（ BR ） CES
/T
J
温度COEFF 。击穿电压
V
CE （ON）的
集电极 - 发射极饱和电压
分钟。
600
–––
–––
–––
–––
栅极阈值电压
3.0
温度COEFF 。阈值电压的---
正向跨导
6.1
零栅极电压集电极电流
–––
–––
二极管的正向压降
–––
–––
门极 - 发射极漏电流
–––
典型值。
–––
0.69
1.59
1.99
1.70
–––
-11
10
–––
–––
1.4
1.3
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
--- V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
1.8
I
C
= 17A
V
GE
= 15V
–––
V
I
C
= 31A
参见图。 2,5
–––
I
C
= 17A ，T
J
= 150°C
6.0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
---毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
–––
S
V
CE
= 100V ，我
C
= 17A
250
A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
2500
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
1.7
V
I
C
= 12A
参见图。 13
1.6
I
C
= 12A ，T
J
= 150°C
±100 nA的
V
GE
= ±20V
V
GE （日）
V
GE （日）
/
T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
QGE
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
二极管的峰值反向恢复电流---
–––
二极管的反向恢复电荷
–––
–––
回收秋季二极管峰值速率
–––
在t
b
–––
典型值。
51
7.9
19
42
26
230
160
0.63
1.39
2.02
42
27
310
310
3.2
7.5
1100
74
14
42
80
3.5
5.6
80
220
180
120
MAX 。单位
条件
77
I
C
= 17A
12
NC V
CC
= 400V
参见图。 8
28
V
GE
= 15V
–––
T
J
= 25°C
–––
ns
I
C
= 17A ，V
CC
= 480V
350
V
GE
= 15V ，R
G
= 23
230
能量损失包括"tail"和
–––
二极管的反向恢复。
–––
毫焦耳参见图。 9 ， 10 ， 11 ， 18
3.9
–––
T
J
= 150℃ ，参照图9 ， 10 ， 11 ， 18
–––
ns
I
C
= 17A ，V
CC
= 480V
–––
V
GE
= 15V ，R
G
= 23
–––
能量损失包括"tail"和
–––
毫焦耳二极管的反向恢复。
–––
nH的测量5毫米从包
–––
V
GE
= 0V
–––
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
–––
= 1.0MHz的
60
ns
T
J
= 25°C见图
120
T
J
= 125°C
14
I
F
= 12A
6.0
A
T
J
= 25°C见图
10
T
J
= 125°C
15
V
R
= 200V
180
NC牛逼
J
= 25°C见图
600
T
J
= 125°C
16
的di / dt 200A / μs的
--- A / μs的牛逼
J
= 25°C见图
–––
T
J
= 125°C
17
2
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IRG4IBC30FD
2000
V
GE
= 0V
F = 1 MHz的
20
1600
卓越中心= CCE + CGC
V
摹ê
，门极 - 发射极电压（V ）
A
资本投资者入境计划= Cge的+ CGC + CCE
CRES = CCE
短
V
权证
= 400V
I
C
= 17A
16
C，电容（pF ）
1200
C
IES
12
800
8
C
OES
400
4
C
水库
0
1
10
0
0
10
20
30
40
50
A
60
100
V
权证
，集电极 - 发射极电压（V ）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
2.20
总Switchig损失（兆焦耳）
2.10
总Switchig损失（兆焦耳）
V
C C
V
摹ê
T
J
I
C
= 480V
= 15V
= 25°C
= 17A
10
I
C
= 34A
I
C
= 17A
1
2.00
I
C
= 8.5A
1.90
1.80
0
20
40
60
A
80
0.1
R
G
= 23
V
摹ê
= 15V
V
C C
= 480V
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
A
160
R
G
，栅极电阻（
)
T
J
，结温（ ° C）
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
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PD- 91751A
IRG4IBC30FD
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
极低的1.59V votage降
2.5kV的， 60年代绝缘电压
4.8毫米爬电距离散热器
快速：针对媒体工作
频率（ 1-5千赫在硬开关， >20
kHz的谐振模式）。
IGBT共同封装与HEXFRED
TM
超快，
超软恢复反并联二极管
严格的参数分布
工业标准隔离TO- 220 FULLPAK
TM
概要
C
快CoPack IGBT
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
= 1.59V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 17A
N-CH的NEL
好处
简化装配
最高的效率和功率密度
HEXFRED
TM
反并联二极管最小化
开关损耗和EMI
的TO-220 FULLPAK
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
VISOL
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
RMS的隔离电压，终端到案？
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
600
20.3
11
120
120
8.5
120
2500
± 20
45
18
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
单位
V
A
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
结到环境，典型的插座安装
重量
典型值。
–––
–––
–––
2.0 (0.07)
马克斯。
2.8
4.1
65
–––
单位
° C / W
克（盎司）
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3/26/99
IRG4IBC30FD
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿Voltage
V
（ BR ） CES
/T
J
温度COEFF 。击穿电压
V
CE （ON）的
集电极 - 发射极饱和电压
分钟。
600
–––
–––
–––
–––
栅极阈值电压
3.0
温度COEFF 。阈值电压的---
正向跨导
6.1
零栅极电压集电极电流
–––
–––
二极管的正向压降
–––
–––
门极 - 发射极漏电流
–––
典型值。
–––
0.69
1.59
1.99
1.70
–––
-11
10
–––
–––
1.4
1.3
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
--- V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
1.8
I
C
= 17A
V
GE
= 15V
–––
V
I
C
= 31A
参见图。 2,5
–––
I
C
= 17A ，T
J
= 150°C
6.0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
---毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
–––
S
V
CE
= 100V ，我
C
= 17A
250
A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
2500
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
1.7
V
I
C
= 12A
参见图。 13
1.6
I
C
= 12A ，T
J
= 150°C
±100 nA的
V
GE
= ±20V
V
GE （日）
V
GE （日）
/
T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
QGE
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
二极管的峰值反向恢复电流---
–––
二极管的反向恢复电荷
–––
–––
回收秋季二极管峰值速率
–––
在t
b
–––
典型值。
51
7.9
19
42
26
230
160
0.63
1.39
2.02
42
27
310
310
3.2
7.5
1100
74
14
42
80
3.5
5.6
80
220
180
120
MAX 。单位
条件
77
I
C
= 17A
12
NC V
CC
= 400V
参见图。 8
28
V
GE
= 15V
–––
T
J
= 25°C
–––
ns
I
C
= 17A ，V
CC
= 480V
350
V
GE
= 15V ，R
G
= 23
230
能量损失包括"tail"和
–––
二极管的反向恢复。
–––
毫焦耳参见图。 9 ， 10 ， 11 ， 18
3.9
–––
T
J
= 150℃ ，参照图9 ， 10 ， 11 ， 18
–––
ns
I
C
= 17A ，V
CC
= 480V
–––
V
GE
= 15V ，R
G
= 23
–––
能量损失包括"tail"和
–––
毫焦耳二极管的反向恢复。
–––
nH的测量5毫米从包
–––
V
GE
= 0V
–––
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
–––
= 1.0MHz的
60
ns
T
J
= 25°C见图
120
T
J
= 125°C
14
I
F
= 12A
6.0
A
T
J
= 25°C见图
10
T
J
= 125°C
15
V
R
= 200V
180
NC牛逼
J
= 25°C见图
600
T
J
= 125°C
16
的di / dt 200A / μs的
--- A / μs的牛逼
J
= 25°C见图
–––
T
J
= 125°C
17
2
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2000
V
GE
= 0V
F = 1 MHz的
20
1600
卓越中心= CCE + CGC
V
摹ê
，门极 - 发射极电压（V ）
A
资本投资者入境计划= Cge的+ CGC + CCE
CRES = CCE
短
V
权证
= 400V
I
C
= 17A
16
C，电容（pF ）
1200
C
IES
12
800
8
C
OES
400
4
C
水库
0
1
10
0
0
10
20
30
40
50
A
60
100
V
权证
，集电极 - 发射极电压（V ）
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
2.20
总Switchig损失（兆焦耳）
2.10
总Switchig损失（兆焦耳）
V
C C
V
摹ê
T
J
I
C
= 480V
= 15V
= 25°C
= 17A
10
I
C
= 34A
I
C
= 17A
1
2.00
I
C
= 8.5A
1.90
1.80
0
20
40
60
A
80
0.1
R
G
= 23
V
摹ê
= 15V
V
C C
= 480V
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
A
160
R
G
，栅极电阻（
)
T
J
，结温（ ° C）
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
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