PD - 97457
典型值（除非另有规定）
符合RoHS标准不含铅和溴化物
V
DSS
V
GS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
l
单片集成肖特基二极管
25V最大± 20V最大1.3mΩ @ 10V 2.3mΩ @ 4.5V
l
薄型（ <0.7毫米）
l
双面冷却兼容
Q
克TOT
Q
gd
Q
gs2
Q
rr
Q
OSS
V
GS （ TH）
l
低封装电感
31nC
11nC
4.4nC
51nC
27nC
1.8V
l
优化高频开关
l
理想的CPU内核的DC -DC转换器
l
优化同步。同步FET插座。降压转换器？
l
低传导损耗和开关损耗
l
兼容现有的表面贴装技术
l
100 ％通过Rg测试
的DirectFET ？等距
MX
适用的DirectFET外形及其基材纲要（见p.7,8了解详情）
l
HEXFET
功率MOSFET加上肖特基二极管
IRF6794MPbF
IRF6794MTRPbF
SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
MP
描述
该IRF6794MPbF结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装实现
最低的通态电阻中，有一个SO-8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装兼容
在功率应用中使用的现有布局的几何形状，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流焊接
技术。应用笔记AN- 1035之后就制造方法和过程。 DirectFET封装允许双
双面冷却，以最大限度地提高电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。
该IRF6794MPbF结余行业领先的通态电阻，同时尽量减少栅极电荷随着低栅极电阻降低两个
传导和开关损耗。本部分包括一个集成的肖特基二极管，以减少体内流失二极管的Qrr进一步降低
损失在同步降压电路。减少损失，使这款产品非常适合高频率/高效率的DC -DC转换器
权力大电流负载，如最新一代的微处理器。该IRF6794MPbF进行了优化参数
在同步降压转换器的同步FET插座的关键。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
E
AS
I
AR
5
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
马克斯。
单位
V
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
g
e
e
f
g
h
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
25
±20
32
25
200
250
200
26
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
0
20
40
60
ID = 26A
VDS = 20V
VDS = 13V
A
mJ
A
4
3
2
1
0
2
4
6
8
10
12
14
TJ = 125°C
ID = 32A
TJ = 25°C
16
18
80
VGS ，门-to - 源电压（V ）
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
注意事项：
点击此部分链接到相应的技术文件。
点击此部分链接到的DirectFET网站。
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
QG总栅极电荷（ NC）
图2 。
典型的总栅极电荷与栅极至源极电压
T
C
用热电偶测量安装在顶部的一部分（漏） 。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.65mH ，R
G
= 25Ω, I
AS
= 26A.
www.irf.com
1
2/12/10
IRF6794MTRPbF
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.3V
3.0V
2.8V
2.6V
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.3V
3.0V
2.8V
2.6V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
10
10
2.6V
1
2.6V
0.1
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
≤60s
脉冲宽度
TJ = 25°C
1
0.1
1
≤60s
脉冲宽度
TJ = 150℃
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图4 。
典型的输出特性
1000
图5 。
典型的输出特性
1.6
ID = 32A
VGS = 10V
VGS = 4.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
典型的RDS（on ） （正火）
1.4
100
TJ = 150℃
TJ = 25°C
TJ = -40°C
1.2
10
1.0
1
VDS = 15V
≤60s
脉冲宽度
0.1
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0.8
0.6
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
TJ ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图6 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
图7 。
归一化的导通电阻与温度的关系
14
TJ = 25°C
12
VGS = 3.5V
VGS = 4.0V
VGS = 4.5V
VGS = 5.0V
VGS = 7.0V
VGS = 8.0V
VGS = 10V
VGS = 15V
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
COSS =硫化镉+ Cgd的
C，电容（pF ）
10
8
6
4
2
10000
西塞
科斯
1000
CRSS
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
ID ，漏电流（ A）
图8 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图9 。
典型导通电阻比。
漏电流和栅极电压
4
www.irf.com
IRF6794MTRPbF
1000
10000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ISD ，反向漏电流（ A）
1000
100
100sec
10
1
0.1
0.01
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
VDS ，漏toSource电压（V ）
DC
TA = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
10msec
100
10
TJ = 150℃
TJ = 25°C
TJ = -40°C
VGS = 0V
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
VSD ，源极到漏极电压（V ）
1msec
1
图10 。
典型的源漏二极管正向电压
典型VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）
图11 。
最大安全工作区
3.0
200
160
ID ，漏电流（ A）
2.5
ID = 10毫安
2.0
120
80
1.5
40
0
25
50
75
100
125
150
TC ，外壳温度（ ° C）
1.0
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
TJ ，温度（° C）
图12 。
最大漏极电流与外壳温度
900
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
图13 。
典型的阈值电压与结
温度
ID
顶部
2.5A
3.5A
BOTTOM 25A
800
700
600
500
400
300
200
100
0
25
50
75
100
125
150
开始TJ ，结温（ ° C）
图14 。
最大雪崩能量与漏电流
www.irf.com
5
PD - 97457
典型值（除非另有规定）
符合RoHS标准不含铅和溴化物
V
DSS
V
GS
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
l
单片集成肖特基二极管
25V最大± 20V最大1.3mΩ @ 10V 2.3mΩ @ 4.5V
l
薄型（ <0.7毫米）
l
双面冷却兼容
Q
克TOT
Q
gd
Q
gs2
Q
rr
Q
OSS
V
GS （ TH）
l
低封装电感
31nC
11nC
4.4nC
51nC
27nC
1.8V
l
优化高频开关
l
理想的CPU内核的DC -DC转换器
l
优化同步。同步FET插座。降压转换器？
l
低传导损耗和开关损耗
l
兼容现有的表面贴装技术
l
100 ％通过Rg测试
的DirectFET ？等距
MX
适用的DirectFET外形及其基材纲要（见p.7,8了解详情）
l
HEXFET
功率MOSFET加上肖特基二极管
IRF6794MPbF
IRF6794MTRPbF
SQ
SX
ST
MQ
MX
MT
MP
描述
该IRF6794MPbF结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET
TM
包装实现
最低的通态电阻中，有一个SO-8和仅0.7毫米轮廓的足迹的软件包。 DirectFET封装兼容
在功率应用中使用的现有布局的几何形状，印刷电路板的组装设备和汽相，红外线或对流焊接
技术。应用笔记AN- 1035之后就制造方法和过程。 DirectFET封装允许双
双面冷却，以最大限度地提高电力系统的热传递，由80 ％提高以前的最好的热阻。
该IRF6794MPbF结余行业领先的通态电阻，同时尽量减少栅极电荷随着低栅极电阻降低两个
传导和开关损耗。本部分包括一个集成的肖特基二极管，以减少体内流失二极管的Qrr进一步降低
损失在同步降压电路。减少损失，使这款产品非常适合高频率/高效率的DC -DC转换器
权力大电流负载，如最新一代的微处理器。该IRF6794MPbF进行了优化参数
在同步降压转换器的同步FET插座的关键。
绝对最大额定值
参数
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
D
@ T
C
= 25°C
I
DM
E
AS
I
AR
5
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
马克斯。
单位
V
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
g
e
e
f
g
h
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
25
±20
32
25
200
250
200
26
14.0
12.0
10.0
8.0
6.0
4.0
2.0
0.0
0
20
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ID = 26A
VDS = 20V
VDS = 13V
A
mJ
A
4
3
2
1
0
2
4
6
8
10
12
14
TJ = 125°C
ID = 32A
TJ = 25°C
16
18
80
VGS ，门-to - 源电压（V ）
图1 。
典型导通电阻与栅极电压
注意事项：
点击此部分链接到相应的技术文件。
点击此部分链接到的DirectFET网站。
表面安装1英寸方铜电路板，稳定状态。
QG总栅极电荷（ NC）
图2 。
典型的总栅极电荷与栅极至源极电压
T
C
用热电偶测量安装在顶部的一部分（漏） 。
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。结温。
起始物为
J
= 25℃时，L = 0.65mH ，R
G
= 25Ω, I
AS
= 26A.
www.irf.com
1
2/12/10
IRF6794MTRPbF
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.3V
3.0V
2.8V
2.6V
1000
顶部
VGS
10V
5.0V
4.5V
3.5V
3.3V
3.0V
2.8V
2.6V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
底部
10
10
2.6V
1
2.6V
0.1
0.1
1
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
≤60s
脉冲宽度
TJ = 25°C
1
0.1
1
≤60s
脉冲宽度
TJ = 150℃
10
100
VDS ，漏极至源极电压（ V）
图4 。
典型的输出特性
1000
图5 。
典型的输出特性
1.6
ID = 32A
VGS = 10V
VGS = 4.5V
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
典型的RDS（on ） （正火）
1.4
100
TJ = 150℃
TJ = 25°C
TJ = -40°C
1.2
10
1.0
1
VDS = 15V
≤60s
脉冲宽度
0.1
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0.8
0.6
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
TJ ，结温（ ° C）
VGS ，栅 - 源极电压（ V）
图6 。
典型的传输特性
100000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的，光盘短路
CRSS = Cgd的
图7 。
归一化的导通电阻与温度的关系
14
TJ = 25°C
12
VGS = 3.5V
VGS = 4.0V
VGS = 4.5V
VGS = 5.0V
VGS = 7.0V
VGS = 8.0V
VGS = 10V
VGS = 15V
典型的RDS （ ON） （ MΩ）
COSS =硫化镉+ Cgd的
C，电容（pF ）
10
8
6
4
2
10000
西塞
科斯
1000
CRSS
100
1
10
VDS ，漏极至源极电压（ V）
100
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
ID ，漏电流（ A）
图8 。
典型的电容vs.Drain - to-Source电压
图9 。
典型导通电阻比。
漏电流和栅极电压
4
www.irf.com
IRF6794MTRPbF
1000
10000
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
ISD ，反向漏电流（ A）
1000
100
100sec
10
1
0.1
0.01
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
VDS ，漏toSource电压（V ）
DC
TA = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
10msec
100
10
TJ = 150℃
TJ = 25°C
TJ = -40°C
VGS = 0V
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
VSD ，源极到漏极电压（V ）
1msec
1
图10 。
典型的源漏二极管正向电压
典型VGS （ TH）栅极阈值电压（ V）
图11 。
最大安全工作区
3.0
200
160
ID ，漏电流（ A）
2.5
ID = 10毫安
2.0
120
80
1.5
40
0
25
50
75
100
125
150
TC ，外壳温度（ ° C）
1.0
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
TJ ，温度（° C）
图12 。
最大漏极电流与外壳温度
900
EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
图13 。
典型的阈值电压与结
温度
ID
顶部
2.5A
3.5A
BOTTOM 25A
800
700
600
500
400
300
200
100
0
25
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125
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开始TJ ，结温（ ° C）
图14 。
最大雪崩能量与漏电流
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