【PD -91783AIRG4BC20FD-S具有绝缘栅双极型晶体管超快软恢复二极管特点快速：针对媒体】,IC型号IRG4BC20FD-STRL,IRG4BC20FD-STRL PDF资料,IRG4BC20FD-STRL经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD -91783A

IRG4BC20FD-S

具有绝缘栅双极型晶体管

超快软恢复二极管

特点

快速：针对媒体工作

频率（ 1-5千赫在硬开关， >20

kHz的谐振模式）。

第四代IGBT设计提供了更严格

参数分布和更高的效率比

第3代

IGBT共同封装与HEXFRED

TM

超快，

超软恢复的反并联二极管的使用

桥配置

行业标准的D

2

PAK封装

C

快CoPack IGBT

V

CES

= 600V

G

E

V

CE （ ON）（典型值）。

= 1.66V

@V

GE

= 15V ，我

C

= 9.0A

正查NN报

好处

第4代的IGBT提供最高效率

可用的

IGBT的具体应用条件优化

HEXFRED二极管与性能优化

IGBT的。最小化的恢复特性要求

少/没有冷落

设计成为一个＆ ]下拉式＆ QUOT ;更换等值

行业标准的第三代红外的IGBT

D

2

PAK

马克斯。

600

16

9.0

64

8.0

60

± 20

60

24

-55到+150

绝对最大额定值

参数

V

CES

I

C

@ T

C

= 25°C

I

C

@ T

C

= 100°C

I

CM

I

LM

I

F

@ T

C

= 100°C

I

FM

V

GE

P

D

@ T

C

= 25°C

P

D

@ T

C

= 100°C

T

J

T

英镑

集电极 - 发射极电压

连续集电极电流

集电极电流脉冲

Q

钳位感性负载电流

R

二极管连续正向电流

二极管的最大正向电流

门极 - 发射极电压

最大功率耗散

工作结

存储温度范围

单位

V

A

V

W

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJC

R

θJA

Wt

结到外壳 - IGBT

结到外壳 - 二极管

结到环境（ PCB安装，稳态） *

重量

典型值。

–––

1.44

马克斯。

2.1

3.5

80

–––

单位

° C / W

克（盎司）

*当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。对于推荐的足迹和焊接技术

请参考应用笔记AN ＃ -994 。

www.irf.com

1

4/24/2000

IRG4BC20FD-S

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

MIN 。 TYP 。

集电极 - 发射极击穿电压600

—

V

（ BR ） CES

V

（ BR ） CES

/T

J

温度COEFF 。的击穿电压 -

0.72

V

CE （ON）的

集电极 - 发射极饱和电压

— 1.66

— 2.06

— 1.76

栅极阈值电压

3.0

—

V

GE （日）

V

GE （日）

/

T

J

温度COEFF 。阈值电压

—

-11

g

fe

正向跨导

T

2.9 5.1

零栅极电压集电极电流

—

I

CES

—

V

FM

二极管的正向压降

—

1.4

—

1.3

I

GES

门极 - 发射极漏电流

—

MAX 。单位

条件

—

V

GE

= 0V时，我

C

= 250A

—

V /°C， V

GE

= 0V时，我

C

= 1.0毫安

2.0

I

C

= 9.0A

V

GE

= 15V

—

V

I

C

= 16A

参见图。 2,5

—

I

C

= 9.0A ，T

J

= 150°C

6.0

V

CE

= V

GE

, I

C

= 250A

- 毫伏/°C， V

CE

= V

GE

, I

C

= 250A

—

S

V

CE

= 100V ，我

C

= 9.0A

250

A

V

GE

= 0V, V

CE

= 600V

1700

V

GE

= 0V, V

CE

= 600V ，T

J

= 150°C

1.7

V

I

C

= 8.0A

参见图。 13

1.6

I

C

= 8.0A ，T

J

= 150°C

±100 nA的

V

GE

= ±20V

开关特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

Q

g

QGE

Q

gc

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

ts

L

E

C

IES

C

OES

C

水库

t

rr

I

rr

Q

rr

di

（ REC ）M

/ DT

参数

总栅极电荷（导通）

门 - 发射极电荷（导通）

门 - 收集电荷（导通）

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关损耗

关断开关损耗

总开关损耗

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总开关损耗

内置发射器电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

二极管的反向恢复时间

分钟。

—

二极管的峰值反向恢复电流 -

—

二极管的反向恢复电荷

—

回收秋季二极管峰值速率

—

在t

b

—

典型值。

27

4.2

9.9

43

20

240

150

0.25

0.64

0.89

41

22

320

290

1.35

7.5

540

37

7.0

37

55

3.5

4.5

65

124

240

210

MAX 。单位

条件

40

I

C

= 9.0A

6.2

NC V

CC

= 400V

参见图。 8

15

V

GE

= 15V

—

T

J

= 25°C

—

ns

I

C

= 9.0A ，V

CC

= 480V

360

V

GE

= 15V ，R

G

= 50

220

能量损失包括"tail"和

—

二极管的反向恢复。

—

毫焦耳参见图。 9，10， 18

1.3

—

T

J

= 150℃ ，参照图10 ， 11 ， 18

—

ns

I

C

= 9.0A ，V

CC

= 480V

—

V

GE

= 15V ，R

G

= 50

—

能量损失包括"tail"和

—

毫焦耳二极管的反向恢复。

—

nH的测量5毫米从包

—

V

GE

= 0V

—

pF

V

CC

= 30V

参见图。 7

—

= 1.0MHz的

55

ns

T

J

= 25°C见图

90

T

J

= 125°C

14

I

F

= 8.0A

5.0

A

T

J

= 25°C见图

8.0

T

J

= 125°C

15

V

R

= 200V

138

NC牛逼

J

= 25°C见图

360

T

J

= 125°C

16

的di / dt = 200A / μs的

—

A / μs的牛逼

J

= 25°C见图

—

T

J

= 125°C

17

2

www.irf.com

IRG4BC20FD-S

3.0

对于这两种：

安装在PCB

负载电流（A ）

2.0

S Q U A重新W A V E：

率的D 6 0 ％

沃尔特GE

UTY CY CLE ： 50 ％

TJ = 125°C

牛逼水墨= 90℃

55°C

摹吃了驱动器指定

P流ê 派息SIP通报BULLETIN =

1.75

W

1.0

I

身份证电子一升 IO （E S）

0.0

0.1

1

10

100

男，频率（KHz ）

图。 1

- 典型负载电流与频率的关系

（负载电流= I

RMS

基本）

100

T

J

= 25

o

C

T

J

= 150

o

C

10

I

C

，集电极 - 发射极电流（A ）

I

C

，集电极 - 发射极电流（A ）

T

J

= 150

o

C

10

T

J

= 25

o

C

1

V

= 15V

20μs的脉冲宽度

GE

10

1

5

6

7

8

9

V

= 50V

5μs脉宽

CC

10

11

12

13

14

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

V

GE

，门极 - 发射极电压（V ）

图。 2

- 典型的输出特性

图。 3

- 典型的传输特性

www.irf.com

3

IRG4BC20FD-S

16

3.0

12

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

V

= 15V

80我们脉宽

GE

I

C

= 18 A

最大直流电集电极电流（ A）

8

2.0

I

C

=

9.0

A

9

A

4

I

C

= 4.5 A

0

25

50

75

100

125

150

1.0

-60 -40 -20

0

20

40

60

80 100 120 140 160

T

C

，外壳温度（

°

C)

T

J

，结温（

°

C)

图。 4

- 最大集电极电流和案例

温度

图。五

- 典型的集电极 - 发射极电压

- 结温

10

热响应（Z

thJC

)

1

0.50

0.20

0.10

0.05

0.1

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

0.0001

0.001

0.01

0.00001

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.1

P

DM

t

1

t

2

1

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图。 6

- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

4

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IRG4BC20FD-S

1000

800

V

GE

，门极 - 发射极电压（V ）

V

GE

= 0V,

F = 1MHz的

C

IES

= C

ge

+ C

气相色谱法，

C

ce

短

C

水库

= C

gc

C

OES

= C

ce

+ C

gc

20

V

CC

= 400V

I

C

= 9.0A

16

C，电容（pF ）

600

资本投资者入境计划

12

400

8

200

C

OES

C

水库

4

0

1

10

100

0

5

10

15

20

25

30

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图。 7 -

典型的电容比。

集电极 - 发射极电压

图。 8

- 典型栅极电荷主场迎战

门极 - 发射极电压

0.90

总的开关损耗（兆焦耳）

0.86

总的开关损耗（兆焦耳）

V

CC

= 480V

V

GE

= 15V

T

J

= 25

°

C

0.88

I

C

= 9.0A

10

R

G

= 50欧姆

V

GE

= 15V

V

CC

= 480V

I

C

=

18

A

I

C

=

9.0

A

9

1

0.84

I

C

=

4.5

A

0.82

0.80

0.78

0

10

20

30

40

50

0.1

-60 -40 -20

0

20

40

60

80 100 120 140 160

R

G

，栅极电阻（欧姆）

T

J

，结温（

°

C )

图。 9

- 典型的开关损耗与门

阻力

图。 10

- 典型的开关损耗与

结温

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5

PD -91783A

IRG4BC20FD-S

具有绝缘栅双极型晶体管

超快软恢复二极管

特点

快速：针对媒体工作

频率（ 1-5千赫在硬开关， >20

kHz的谐振模式）。

第四代IGBT设计提供了更严格

参数分布和更高的效率比

第3代

IGBT共同封装与HEXFRED

TM

超快，

超软恢复的反并联二极管的使用

桥配置

行业标准的D

2

PAK封装

C

快CoPack IGBT

V

CES

= 600V

G

E

V

CE （ ON）（典型值）。

= 1.66V

@V

GE

= 15V ，我

C

= 9.0A

正查NN报

好处

第4代的IGBT提供最高效率

可用的

IGBT的具体应用条件优化

HEXFRED二极管与性能优化

IGBT的。最小化的恢复特性要求

少/没有冷落

设计成为一个＆ ]下拉式＆ QUOT ;更换等值

行业标准的第三代红外的IGBT

D

2

PAK

马克斯。

600

16

9.0

64

8.0

60

± 20

60

24

-55到+150

绝对最大额定值

参数

V

CES

I

C

@ T

C

= 25°C

I

C

@ T

C

= 100°C

I

CM

I

LM

I

F

@ T

C

= 100°C

I

FM

V

GE

P

D

@ T

C

= 25°C

P

D

@ T

C

= 100°C

T

J

T

英镑

集电极 - 发射极电压

连续集电极电流

集电极电流脉冲

Q

钳位感性负载电流

R

二极管连续正向电流

二极管的最大正向电流

门极 - 发射极电压

最大功率耗散

工作结

存储温度范围

单位

V

A

V

W

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJC

R

θJA

Wt

结到外壳 - IGBT

结到外壳 - 二极管

结到环境（ PCB安装，稳态） *

重量

典型值。

–––

1.44

马克斯。

2.1

3.5

80

–––

单位

° C / W

克（盎司）

*当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。对于推荐的足迹和焊接技术

请参考应用笔记AN ＃ -994 。

www.irf.com

1

4/24/2000

IRG4BC20FD-S

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

MIN 。 TYP 。

集电极 - 发射极击穿电压600

—

V

（ BR ） CES

V

（ BR ） CES

/T

J

温度COEFF 。的击穿电压 -

0.72

V

CE （ON）的

集电极 - 发射极饱和电压

— 1.66

— 2.06

— 1.76

栅极阈值电压

3.0

—

V

GE （日）

V

GE （日）

/

T

J

温度COEFF 。阈值电压

—

-11

g

fe

正向跨导

T

2.9 5.1

零栅极电压集电极电流

—

I

CES

—

V

FM

二极管的正向压降

—

1.4

—

1.3

I

GES

门极 - 发射极漏电流

—

MAX 。单位

条件

—

V

GE

= 0V时，我

C

= 250A

—

V /°C， V

GE

= 0V时，我

C

= 1.0毫安

2.0

I

C

= 9.0A

V

GE

= 15V

—

V

I

C

= 16A

参见图。 2,5

—

I

C

= 9.0A ，T

J

= 150°C

6.0

V

CE

= V

GE

, I

C

= 250A

- 毫伏/°C， V

CE

= V

GE

, I

C

= 250A

—

S

V

CE

= 100V ，我

C

= 9.0A

250

A

V

GE

= 0V, V

CE

= 600V

1700

V

GE

= 0V, V

CE

= 600V ，T

J

= 150°C

1.7

V

I

C

= 8.0A

参见图。 13

1.6

I

C

= 8.0A ，T

J

= 150°C

±100 nA的

V

GE

= ±20V

开关特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

Q

g

QGE

Q

gc

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

ts

L

E

C

IES

C

OES

C

水库

t

rr

I

rr

Q

rr

di

（ REC ）M

/ DT

参数

总栅极电荷（导通）

门 - 发射极电荷（导通）

门 - 收集电荷（导通）

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

导通开关损耗

关断开关损耗

总开关损耗

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总开关损耗

内置发射器电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

二极管的反向恢复时间

分钟。

—

二极管的峰值反向恢复电流 -

—

二极管的反向恢复电荷

—

回收秋季二极管峰值速率

—

在t

b

—

典型值。

27

4.2

9.9

43

20

240

150

0.25

0.64

0.89

41

22

320

290

1.35

7.5

540

37

7.0

37

55

3.5

4.5

65

124

240

210

MAX 。单位

条件

40

I

C

= 9.0A

6.2

NC V

CC

= 400V

参见图。 8

15

V

GE

= 15V

—

T

J

= 25°C

—

ns

I

C

= 9.0A ，V

CC

= 480V

360

V

GE

= 15V ，R

G

= 50

220

能量损失包括"tail"和

—

二极管的反向恢复。

—

毫焦耳参见图。 9，10， 18

1.3

—

T

J

= 150℃ ，参照图10 ， 11 ， 18

—

ns

I

C

= 9.0A ，V

CC

= 480V

—

V

GE

= 15V ，R

G

= 50

—

能量损失包括"tail"和

—

毫焦耳二极管的反向恢复。

—

nH的测量5毫米从包

—

V

GE

= 0V

—

pF

V

CC

= 30V

参见图。 7

—

= 1.0MHz的

55

ns

T

J

= 25°C见图

90

T

J

= 125°C

14

I

F

= 8.0A

5.0

A

T

J

= 25°C见图

8.0

T

J

= 125°C

15

V

R

= 200V

138

NC牛逼

J

= 25°C见图

360

T

J

= 125°C

16

的di / dt = 200A / μs的

—

A / μs的牛逼

J

= 25°C见图

—

T

J

= 125°C

17

2

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IRG4BC20FD-S

3.0

对于这两种：

安装在PCB

负载电流（A ）

2.0

S Q U A重新W A V E：

率的D 6 0 ％

沃尔特GE

UTY CY CLE ： 50 ％

TJ = 125°C

牛逼水墨= 90℃

55°C

摹吃了驱动器指定

P流ê 派息SIP通报BULLETIN =

1.75

W

1.0

I

身份证电子一升 IO （E S）

0.0

0.1

1

10

100

男，频率（KHz ）

图。 1

- 典型负载电流与频率的关系

（负载电流= I

RMS

基本）

100

T

J

= 25

o

C

T

J

= 150

o

C

10

I

C

，集电极 - 发射极电流（A ）

I

C

，集电极 - 发射极电流（A ）

T

J

= 150

o

C

10

T

J

= 25

o

C

1

V

= 15V

20μs的脉冲宽度

GE

10

1

5

6

7

8

9

V

= 50V

5μs脉宽

CC

10

11

12

13

14

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

V

GE

，门极 - 发射极电压（V ）

图。 2

- 典型的输出特性

图。 3

- 典型的传输特性

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3

IRG4BC20FD-S

16

3.0

12

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

V

= 15V

80我们脉宽

GE

I

C

= 18 A

最大直流电集电极电流（ A）

8

2.0

I

C

=

9.0

A

9

A

4

I

C

= 4.5 A

0

25

50

75

100

125

150

1.0

-60 -40 -20

0

20

40

60

80 100 120 140 160

T

C

，外壳温度（

°

C)

T

J

，结温（

°

C)

图。 4

- 最大集电极电流和案例

温度

图。五

- 典型的集电极 - 发射极电压

- 结温

10

热响应（Z

thJC

)

1

0.50

0.20

0.10

0.05

0.1

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

0.0001

0.001

0.01

0.00001

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.1

P

DM

t

1

t

2

1

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图。 6

- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

4

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IRG4BC20FD-S

1000

800

V

GE

，门极 - 发射极电压（V ）

V

GE

= 0V,

F = 1MHz的

C

IES

= C

ge

+ C

气相色谱法，

C

ce

短

C

水库

= C

gc

C

OES

= C

ce

+ C

gc

20

V

CC

= 400V

I

C

= 9.0A

16

C，电容（pF ）

600

资本投资者入境计划

12

400

8

200

C

OES

C

水库

4

0

1

10

100

0

5

10

15

20

25

30

V

CE

，集电极 - 发射极电压（V ）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图。 7 -

典型的电容比。

集电极 - 发射极电压

图。 8

- 典型栅极电荷主场迎战

门极 - 发射极电压

0.90

总的开关损耗（兆焦耳）

0.86

总的开关损耗（兆焦耳）

V

CC

= 480V

V

GE

= 15V

T

J

= 25

°

C

0.88

I

C

= 9.0A

10

R

G

= 50欧姆

V

GE

= 15V

V

CC

= 480V

I

C

=

18

A

I

C

=

9.0

A

9

1

0.84

I

C

=

4.5

A

0.82

0.80

0.78

0

10

20

30

40

50

0.1

-60 -40 -20

0

20

40

60

80 100 120 140 160

R

G

，栅极电阻（欧姆）

T

J

，结温（

°

C )

图。 9

- 典型的开关损耗与门

阻力

图。 10

- 典型的开关损耗与

结温

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