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PD -97447

IRFH5304PbF

HEXFET

功率MOSFET

R

DS （ ON） MAX

(@V

GS

= 10V)

V

DS

30

4.5

16

79

V

mΩ

nC

A

PQFN 5X6毫米

Q

G（典型值）

I

D

(@T

C（下）

= 25°C)

应用

控制MOSFET的降压转换器

特点和优点

特点

好处

低电荷（典型值16nC ）

低热阻的PCB （ <2.7 ° C / W）

100 ％通过Rg测试

薄型（ <0.9毫米）

工业标准引脚

兼容现有的表面贴装技术

不含铅，无溴，无卤素RoHS标准

MSL1 ，工业资质

低开关损耗

增加功率密度

提高可靠性

结果增加了功率密度

多厂商兼容性

容易制造

环境友好

提高可靠性

订购型号

IRFH5304TRPBF

IRFH5304TR2PBF

套餐类型

PQFN 5× 6毫米

标准包装

形式

QUANTITY

磁带和卷轴

4000

磁带和卷轴

400

记

绝对最大额定值

V

DS

V

GS

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

D

@ T

C（下）

= 25°C

I

D

@ T

C（下）

= 100°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

P

D

@ T

C（下）

= 25°C

T

J

T

英镑

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

马克斯。

30

± 20

22

17

79

50

320

3.6

46

0.029

-55到+ 150

A

单位

V

g

功耗

g

c

W

W / ℃，

°C

线性降额因子

工作结

存储温度范围

g

笔记

通过

是第8页

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1

2/8/10

IRFH5304PbF

BV

DSS

ΔΒV

DSS

/ΔT

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

ΔV

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

政府飞行服务队

Q

g

Q

g

Q

gs1

Q

gs2

Q

gd

Q

godr

Q

sw

Q

OSS

R

G

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

栅极阈值电压系数

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

正向跨导

总栅极电荷

预Vth的栅极 - 源极充电

后Vth的栅极至源电荷

栅极 - 漏极电荷

栅极电荷过载

切换电荷（Q

gs2

+ Q

gd

)

输出充电

栅极电阻

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

30

–––

1.35

–––

88

–––

典型值。

–––

0.02

3.8

5.8

1.8

-6.6

–––

41

16

3.6

2.7

5.8

3.9

8.5

9.8

1.2

13

25

12

6.6

2360

510

220

条件

MAX 。单位

–––

V V

GS

= 0V时，我

D

= 250μA

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

4.5

V

GS

= 10V ，我

D

= 47A

mΩ

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 47A

6.8

2.35

V

DS

= V

GS

, I

D

= 50μA

---毫伏/°C的

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V

5.0

μA

V

DS

= 24V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

150

V

GS

= 20V

100

nA

-100

V

GS

= -20V

–––

s V

DS

= 15V ，我

D

= 47A

–––

NC V

GS

= 10V, V

DS

= 15V ，我

D

= 49A

24

–––

V

DS

= 15V

–––

V

GS

= 4.5V

nC

–––

I

D

= 47A

–––

参见图17 & 18

–––

NC V

DS

= 16V, V

GS

= 0V

e

–––

Ω

ns

V

DD

= 15V, V

GS

= 4.5V

I

D

= 47A

R

G

=1.8Ω

见图15

V

GS

= 0V

V

DS

= 10V

= 1.0MHz的

pF

雪崩特性

E

AS

I

AR

参数

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

d

分钟。

–––

典型值。

–––

0.71

–––

19

典型值。

–––

马克斯。

46

47

单位

mJ

A

二极管的特性

I

S

I

SM

V

SD

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

MAX 。单位

79

A

320

–––

1.0

29

V

ns

条件

MOSFET符号

展示

整体反转

G

S

D

–––

44

66

nC

时间是由寄生电感为主

参数

典型值。

–––

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 5A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 47A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 47A ，V

DD

= 15V

的di / dt = 300A / μs的

e

热阻

R

θJC

（底部）

R

θJC

（ TOP）

R

θJA

R

θJA

(<10s)

结到外壳

结到环境

f

g

马克斯。

2.7

15

35

22

单位

° C / W

2

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IRFH5304PbF

1000

顶部

VGS

10V

8.0V

4.5V

3.8V

3.5V

3.3V

3.0V

2.8V

1000

顶部

VGS

10V

8.0V

4.5V

3.8V

3.5V

3.3V

3.0V

2.8V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

底部

10

2.8V

1

0.1

1

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 25°C

10

100

≤

在60μs脉冲宽度

TJ = 150℃

1

0.1

1

10

100

V DS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

1000

图2 。

典型的输出特性

2.0

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

（归一化）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ID = 47A

V GS = 10V

1.5

100

TJ = 150℃

10

TJ = 25°C

1

1.0

V DS = 15V

≤

在60μs脉冲宽度

0.1

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

7.0

0.5

-60 -40 -20

0

20

40

60

80 100 120 140 160

V GS ，栅 - 源极电压（ V）

TJ ，结温（ ° C）

图3 。

典型的传输特性

10000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

ISS = C GS + C GD ，C DS短路

RSS = C GD

OSS =硫化镉+ C GD

图4 。

归一化的导通电阻与温度的关系

14

V GS ，栅 - 源极电压（ V）

12

10

8

6

4

2

0

ID = 47A

V DS = 24V

V DS = 15V

V DS = 6.0V

C，电容（pF ）

西塞

1000

科斯

CRSS

100

1

10

100

0

10

20

30

40

50

60

V DS ，漏极至源极电压（ V）

QG总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容vs.Drain - to-Source电压

图6 。

典型栅极电荷vs.Gate - to-Source电压

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3

IRFH5304PbF

1000.0

10000

在这一领域

限于由R DS （ ON）

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

1000

100.0

TJ = 150℃

10.0

100

100μsec

10

1msec

1

TC = 25°C

TJ = 150℃

单脉冲

0.1

1

TJ = 25°C

1.0

V GS = 0V

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

10msec

10

100

0.1

V DS ，漏极至源极电压（ V）

V SD ，源极到漏极电压（V ）

图7 。

典型的源漏二极管正向电压

80

3.0

图8 。

最大安全工作区

V GS （ TH）栅极阈值电压（ V）

2.5

ID ，漏电流（ A）

60

2.0

40

1.5

ID = 1.0A

ID = 1.0毫安

ID = 250μA

ID = 50μA

20

1.0

0

25

50

75

100

125

150

0.5

-75

-50

-25

0

25

50

75

100

125

150

TC ， CaseTemperature （ ° C）

TJ ，温度（° C）

图9 。

最大漏极电流比。

案例（下）温度

10

图10 。

阈值电压与温度的关系

热响应（ ZthJC ）

1

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

0.1

0.01

单脉冲

（热反应）

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.01

0.1

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳（底部）

4

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IRFH5304PbF

RDS （ ON）时，漏 - 源极到导通电阻（M

Ω

)

ID = 47A

12

EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）

16

200

ID

160

6.5A

14A

底部

47A

顶部

120

8

TJ = 125°C

4

80

TJ = 25°C

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

40

0

25

50

75

100

125

150

V GS ，栅 - 源极电压（ V）

开始TJ ，结温（ ° C）

图12 。

导通电阻比。栅极电压

图13 。

最大雪崩能量与漏电流

V

（ BR ） DSS

15V

tp

VDS

L

司机

RG

20V

D.U.T

IAS

tp

+

V

- DD

A

I

AS

0.01

Ω

图14A 。

非钳位感应测试电路

图14B 。

非钳位感应波形

V

DS

V

GS

R

G

V10V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1

R

D

90%

D.U.T.

+

V

DS

-

V

DD

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图15A 。

开关时间测试电路

图15B 。

开关时间波形

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