【PD - 94952IRFZ46NPbFHEXFET功率MOSFET先进的工艺技术l超低导通电阻l动】,IC型号IRFZ46N_04,IRFZ46N_04 PDF资料,IRFZ46N_04经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PD - 94952

IRFZ46NPbF

HEXFET

功率MOSFET

先进的工艺技术

l

超低导通电阻

l

动态的dv / dt额定值

l

175 ° C工作温度

l

快速开关

l

全额定雪崩

l

LEAD -FREE

描述

l

D

V

DSS

= 55V

R

DS （ ON）

= 16.5m

G

S

I

D

= 53A

先进的HEXFET

从国际的功率MOSFET

整流器采用先进的加工技术，以实现

极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，

结合快速开关速度和加固

设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好

众所周知，为设计者提供了一个非常有效的

和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。

在TO- 220封装普遍首选的所有

商业工业应用的功率耗散

水平到约50瓦。低热

的TO- 220贡献电阻和低封装成本

在整个行业中的广泛接受。

TO-220AB

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

雪崩电流

重复性雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

安装扭矩， 6-32或M3 srew

马克斯。

53

37

180

107

0.71

± 20

28

11

5.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

10磅在（ 1.1N m）的

单位

A

W

W / ℃，

V

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θCS

R

θJA

结到外壳

案件到水槽，平面，脂表面

结到环境

典型值。

–––

0.50

–––

马克斯。

1.4

–––

62

单位

° C / W

www.irf.com

1

1/29/04

IRFZ46NPbF

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DSS

/T

J

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

E

AS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

单脉冲雪崩能量

分钟。

55

–––

–––

2.0

19

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

0.057

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

14

76

52

57

4.5

7.5

1696

407

110

583

MAX 。单位

条件

–––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

16.5毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 28A

4.0

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 28A

25

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 44V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

100

V

GS

= 20V

nA

-100

V

GS

= -20V

72

I

D

= 28A

11

nC

V

DS

= 44V

26

V

GS

= 10V ，参照图6和13

–––

V

DD

= 28V

–––

I

D

= 28A

ns

–––

R

G

= 12

–––

V

GS

= 10V ，参照图10

铅之间，

–––

6毫米（0.25英寸）。

nH

G

从包

–––

而中心的模具接触

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 25V

–––

pF

= 1.0MHz的，见图。五

152 ？兆焦耳我

AS

= 28A ，L = 389μH

D

S

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

注意事项：

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

––– ––– 53

展示

A

G

整体反转

––– ––– 180

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 28A ，V

GS

= 0V

––– 67 101

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 28A

––– 208 312

NC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（见图11）。

起始物为

J

= 25℃时，L = 389μH

R

G

= 25, I

AS

= 28A 。（参见图12）。

I

SD

≤

28A ， di / dt的

≤

220A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

175°C.

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

这是在破坏设备的典型值，代表

操作之外的额定范围。

这是限定至T的计算值

J

= 175°C.

基于最大允许计算出的连续电流

结温。套餐限制电流为39A 。

2

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IRFZ46NPbF

1000

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

顶部

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

1000

100

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM4.5V

顶部

4.5V

10

10

4.5V

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 175

°

C

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

1000

3.0

I

D

= 53A

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

T

J

= 25

°

C

T

J

= 175

°

C

2.5

100

2.0

1.5

10

1.0

0.5

1

V DS = 25V

20μs的脉冲宽度

4

5

6

7

8

9

10

11

0.0

-60 -40 -20 0

V

GS

= 10V

20 40 60 80 100 120 140 160 180

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRFZ46NPbF

3000

2500

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

V

GS

= 0V,

F = 1MHz的

C

国际空间站

= C

gs

+ C

GD ，

C

ds

短

C

RSS

= C

gd

C

OSS

= C

ds

+ C

gd

20

I

D

= 28A

16

V

DS

= 44V

V

DS

= 27V

V

DS

= 11V

C，电容（pF ）

西塞

2000

12

1500

科斯

8

1000

500

CRSS

4

0

1

10

100

0

测试电路

见图13

0

10

20

30

40

50

60

70

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000

1000

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域

限制根据RDS （ ON）

100

100

T

J

= 175

°

C

10

10

100sec

1msec

T

J

= 25

°

C

1

1

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

0.1

1

10

10msec

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.7

1.2

1.7

2.2

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

100

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRFZ46NPbF

60

不限按包

50

V

DS

V

GS

R

G

R

D

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

40

-

V

DD

30

V

GS

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

20

图10A 。

开关时间测试电路

10

V

DS

90%

0

25

50

75

100

125

150

175

T

C

，外壳温度

( °C)

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

10

热响应（Z

thJC

)

1

D = 0.50

0.20

0.10

P

DM

单脉冲

（热反应）

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

0.1

0.05

0.02

0.01

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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