IL755 / ILD755
威世半导体
光电耦合器，光电复合输出， AC输入，高增益
（单，双通道）
单通道
特点
AC或无极性输入
内置反极性输入保护
行业标准DIP封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
的A / C 1
C / A 2
NC 3
双通道
A 1
C 2
C 3
6 B
5 C
4 E
8 E
7 C
6 C
5 E
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60065
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
i179037
A 4
e3
Pb
无铅
每通道NPN光电复合。
该IL755是单通道达林顿光耦合器。
在ILD755有两个隔离通道在一个DIP
封装。
订购信息
应用
专为需要检测或MON-应用
控功能的交流信号。
IL755-1
IL755-2
ILD755-1
ILD755-2
IL755-1X007
部分
备注
CTR > 750 ％ ， DIP - 6
CTR > 1000 ％ ， DIP - 6
CTR > 750 ％ ， DIP- 8
CTR > 1000 ％ ， DIP- 8
CTR > 750 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
描述
该IL755 / ILD755是双向的输入光
耦合隔离。它们包括两个镓Ars-
enide耦合到一个硅红外发光二极管
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
正向连续电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
I
F
P
DISS
价值
60
100
1.33
单位
mA
mW
毫瓦/°C的
文档编号83641
修订版1.4 ， 10月26日04
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1
IL755 / ILD755
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
功耗
IL755-1
IL755-2
ILD755-1
ILD755-2
从25° C减免线性
IL755-1
IL755-2
ILD755-1
ILD755-2
测试条件
部分
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
P
DISS
P
DISS
P
DISS
P
DISS
价值
60
60
200
200
150
150
2.6
2.6
2.0
2.0
单位
V
V
mW
mW
mW
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
耦合器
参数
隔离测试电压（ PK ）
总功耗（ LED加检测器）
测试条件
T = 1.0秒。
IL755-1
IL755-2
ILD755-1
ILD755-2
从25° C减免线性
IL755-1
IL755-2
ILD755-1
ILD755-2
爬电距离
净空
储存温度
工作温度
铅焊接时间在260℃
T
英镑
T
AMB
部分
符号
V
ISO
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
价值
7500/5300
250
250
400
400
3.0
3.0
3.0
3.0
≥
7
≥
7
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
单位
VAC
PK
/V
RMS
mW
mW
mW
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
mm
mm
°C
°C
美国证券交易委员会。
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
测试条件
I
F
= - 10毫安
符号
V
F
民
典型值。
1.2
最大
1.5
单位
V
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
测试条件
I
C
= 1.0毫安
I
C
= 10
A
V
CE
= 10 V
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
I
首席执行官
民
60
60
典型值。
75
90
10
100
最大
单位
V
V
nA
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光电耦合器，光电复合输出， AC输入，高增益
（单，双通道）
单通道
特点
AC或无极性输入
内置反极性输入保护
行业标准DIP封装
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
的A / C 1
C / A 2
NC 3
双通道
A 1
C 2
C 3
6 B
5 C
4 E
8 E
7 C
6 C
5 E
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60065
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
i179037
A 4
e3
Pb
无铅
每通道NPN光电复合。
该IL755是单通道达林顿光耦合器。
在ILD755有两个隔离通道在一个DIP
封装。
订购信息
应用
专为需要检测或MON-应用
控功能的交流信号。
IL755-1
IL755-2
ILD755-1
ILD755-2
IL755-1X007
部分
备注
CTR > 750 ％ ， DIP - 6
CTR > 1000 ％ ， DIP - 6
CTR > 750 ％ ， DIP- 8
CTR > 1000 ％ ， DIP- 8
CTR > 750 ％ ， SMD - 6 （选项7 ）
描述
该IL755 / ILD755是双向的输入光
耦合隔离。它们包括两个镓Ars-
enide耦合到一个硅红外发光二极管
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
正向连续电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
I
F
P
DISS
价值
60
100
1.33
单位
mA
mW
毫瓦/°C的
文档编号83641
修订版1.4 ， 10月26日04
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IL755 / ILD755
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
功耗
IL755-1
IL755-2
ILD755-1
ILD755-2
从25° C减免线性
IL755-1
IL755-2
ILD755-1
ILD755-2
测试条件
部分
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
P
DISS
P
DISS
P
DISS
P
DISS
价值
60
60
200
200
150
150
2.6
2.6
2.0
2.0
单位
V
V
mW
mW
mW
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
耦合器
参数
隔离测试电压（ PK ）
总功耗（ LED加检测器）
测试条件
T = 1.0秒。
IL755-1
IL755-2
ILD755-1
ILD755-2
从25° C减免线性
IL755-1
IL755-2
ILD755-1
ILD755-2
爬电距离
净空
储存温度
工作温度
铅焊接时间在260℃
T
英镑
T
AMB
部分
符号
V
ISO
P
合计
P
合计
P
合计
P
合计
价值
7500/5300
250
250
400
400
3.0
3.0
3.0
3.0
≥
7
≥
7
- 55至+ 150
- 55至+ 100
10
单位
VAC
PK
/V
RMS
mW
mW
mW
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
mm
mm
°C
°C
美国证券交易委员会。
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
测试条件
I
F
= - 10毫安
符号
V
F
民
典型值。
1.2
最大
1.5
单位
V
产量
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极漏电流
测试条件
I
C
= 1.0毫安
I
C
= 10
A
V
CE
= 10 V
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
I
首席执行官
民
60
60
典型值。
75
90
10
100
最大
单位
V
V
nA
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2
文档编号83641
修订版1.4 ， 10月26日04
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