先进的工艺技术
l
表面贴装（ IRFZ46NS ）
l
通孔低调（ IRFZ46NL ）
l
175 ° C工作温度
l
快速开关
l
全额定雪崩
l
LEAD -FREE
描述
l
IRFZ46NSPbF
IRFZ46NLPbF
HEXFET
功率MOSFET
D
PD - 95158
V
DSS
= 55V
R
DS （ ON）
= 0.0165
G
先进的HEXFET
从国际的功率MOSFET
I
D
= 53A
S
整流器采用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和加固
设备的设计， HEXFET功率MOSFET是众所周知
为，为设计者提供了一个非常有效和
可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
对D
2
白是一种表面贴装功率封装能力
泱泱模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了最高
功率能力和尽可能低的导通电阻
任何现有的表面贴装封装。对D
2
朴适用
为，由于其低的内高电流的应用
连接性和功耗最高2.0W的
典型的表面贴装应用。
通孔版（ IRFZ46NL ）可用于低
配置文件的应用程序。
D 2 P AK
T O服务-26 2
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
53
37
180
3.8
107
0.71
± 20
28
11
5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W
W / ℃，
V
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境（ PCB安装，稳态） **
典型值。
–––
–––
马克斯。
1.4
40
单位
° C / W
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1
04/22/04
IRFZ46NS/LPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
g
fs
正向跨导
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
E
AS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
单脉冲雪崩能量
分钟。
55
–––
–––
2.0
19
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
=1mA
.0165
V
GS
= 10V ，我
D
= 28A
4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ，我
D
= 28A
25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
72
I
D
= 28A
11
nC
V
DS
= 44V
26
V
GS
= 10V ，参照图6和13
–––
V
DD
= 28V
–––
I
D
= 28A
ns
–––
R
G
= 12
–––
R
D
= 0.98Ω ，见图10 ????
铅之间，
nH
7.5 –––
而中心的模具接触
1696 –––
V
GS
= 0V
407 –––
pF
V
DS
= 25V
110 –––
= 1.0MHz的，见图。 5 ？
583
152
I
AS
= 28A ，L = 389mH
典型值。
–––
0.057
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
14
76
52
57
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– –––
53
展示
A
G
整体反转
––– ––– 180
p-n结二极管。
S
––– ––– 1.3
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 28A ，V
GS
= 0V
––– 67 101
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 28A
––– 208 312
nC
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图11）
起始物为
J
= 25℃时，L = 389μH
T
J
≤
175°C.
R
G
= 25, I
AS
= 28A 。 （参见图12）
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
使用IRFZ46N数据和试验条件。
这是在破坏设备的典型值，代表
I
SD
≤
28A ， di / dt的
≤
220A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
,
操作之外的额定范围。
这是限于TJ的计算值= 175 ℃。
基于最大允许计算出的连续电流
结温。套餐限制电流为39A 。
**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。
对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
2
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IRFZ46NS/LPbF
1000
以P
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
4.5V
1000
I，D雨来-S OU RC式C urre NT （A ）
D
BO TTOM
I，D雨来-S环境允许光凭目前 （A ）
D
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
顶部
100
100
10
10
4.5 V
4.5 V
1
0.1
1
2 0μ S·P ü L南东西ID牛逼
T
J
25 °C
T
C
= 25°C
10
100
A
1
0.1
1
2 0μ S·P ü L南东西ID牛逼
T
J
17 5°C
T
C
= 175°C
10
100
A
V·D S，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
V DS ，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000
2.5
R
S（上）
，漏到-S环境允许 n个电阻
（N ORM alized ）
I
D
= 4 6A
I
D
，D大雨到那么urce urren T（A ）
2.0
100
T
J
= 2 5°C
T
J
= 1 7 5°C
1.5
1.0
10
0.5
1
4
5
6
7
V
DS
= 2 5V
2 0μ S·P ü L南东西TH ID
8
9
10
A
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V
的s
= 10 V
100 120 140 160 180
A
V
的s
，G吃了对-SO urce Voltag E（ V）
T
J
，结牛逼EM perature （ ° C）
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRFZ46NS/LPbF
2800
2400
C，电容（pF ）
2000
C
国际空间站
1600
C
OSS
1200
V
的s
，G吃了对-S环境允许的V oltage （ V）
V
GS
C
国际空间站
C
RS s
C
SS
=
=
=
=
0V ,
F = 1MHz的
C
的s
+ C
克
, C
S
中文 TE
C
gd
C
ds
+ C
克
20
I
D
= 28 A
V
S
= 44 V
V
S
= 28 V
16
12
8
800
C
RSS
400
4
0
1
10
100
A
0
0
10
20
30
FO 释T C IR ú IT
性S E ê图ú 1 3
40
50
60
A
V
S
，D雨来-S ourc é V oltage （ V）
Q
G
，T otal摹吃哈耶（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000
1000
I
SD
，反向雨光凭目前 （A ）
P·E·R一件T IO N的牛逼H是A R ê A L IM ITE
B Y形
S（O N）
I
D
，D雨电流（A ）
100
100
10s
T
J
= 1 75 °C
T
J
= 25 °C
10
100s
10
1米s
1
0.4
0.8
1.2
1.6
V
的s
= 0V
2.0
A
2.4
1
1
T
C
= 25 °C
T
J
= 17 5°C
S荷兰国际集团乐P ü LSE
10
10米s
100
A
V
S.D。
，S ourc E-到-D雨V oltage （ V）
V
S
，D雨来-S环境允许的V oltage （ V）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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