IDT54/74FCT823A/B/C
HIGH- PERFORMANCECMOSBUFFER
军用和商用温度范围
高性能
CMOS总线接口
注册
产品特点：
描述：
IDT54/74FCT823A/B/C
相当于在引出线AMD的Am29823双极寄存器/
功能，速度，和在整个温度的输出驱动和
电源电压极值
IDT54 / 74FCT823A相当于FAST 速
IDT54FCT823B比FAST快25 ％
IDT74FCT823C比FAST快40 ％
缓冲常见的时钟使能（ EN）和异步清零
输入端（ CLR）的
I
OL
= 48毫安（商业）和32毫安（军事）
所有输入钳位二极管，用于抑制振铃
CMOS功率水平（ 1mW的典型值。静）
TTL输入和输出的兼容性
兼容CMOS输出电平
大幅降低输入电流水平比AMD的bilopar
Am29800系列（ 5μA最大）
- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
提供以下软件包：
- 商业： SOIC
- 军事： CERDIP ， LCC
该FCT823系列采用先进的双金属CMOS建
技术。该FCT823总线接口寄存器被设计为消除
需要额外的包缓冲现有的登记和提供额外的
数据宽度为携带奇偶更宽的地址/数据路径或总线。该
FCT823是9位宽缓冲寄存器时钟使能（ EN）和Clear
（ CLR ） - 适用于平价总线的高性能microprogram-接口
MED系统。
该FCT823高性能接口系列是专为高
电容负载驱动能力，同时提供低电容公交车
装在两个输入端和输出端。所有的输入有钳位二极管和所有
输出是专为低电容总线负载在高阻抗
状态。
功能框图
D
0
14
D
N
EN
CLR
11
D
CL
Q
Q
D
CL
Q
Q
CP
CP
CP
13
OE
1
Y
0
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
Y
N
军用和商用温度范围
1
2002年6月
DSC-5426/3
2002集成设备技术有限公司
IDT54/74FCT823A/B/C
HIGH- PERFORMANCECMOSBUFFER
军用和商用温度范围
引脚配置
OE
D
1
NC
D
0
Y
0
27
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
D
8
CLR
GND
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
Y
0
Y
1
Y
2
Y
3
Y
4
Y
5
Y
6
Y
7
Y
8
EN
CP
D
2
D
3
D
4
NC
D
5
D
6
D
7
5
6
7
8
9
10
4
3
2
1
28
26
25
24
23
22
21
20
19
Y
1
指数
V
CC
OE
1
24
V
CC
Y
2
Y
3
Y
4
NC
Y
5
Y
6
Y
7
11
12
13
14
15
16
17
18
GND
CLR
NC
D
8
EN
CERDIP / SOIC
顶视图
LCC
顶视图
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
V
TERM
(3)
T
A
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
等级
端电压
相对于GND
端电压
相对于GND
工作温度
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
0至+70
-55到+125
-55到+125
0.5
120
-55到+125
-65到+135
-65到+150
0.5
120
°C
°C
°C
W
mA
-0.5到V
CC
-0.5到V
CC
V
广告
-0.5到+7
军事
-0.5到+7
单位
V
逻辑符号
9
D
D
Q
CP
CP
EN
CLR
OE
EN
CLR
9
Y
引脚说明
引脚名称
Dx
CLR
I / O
I
I
描述
D触发器的数据输入端
两个反相和非反相的寄存器中，当
清澈的输入为低电平，并
OE
为低电平时，Q
x
输出为低电平。当清零输入端为高电平时，数据
可以输入到寄存器中。
时钟脉冲为注册;将数据输入到所述
在低到高的过渡登记。
寄存器3态输出
时钟使能。当时钟使能为低时，数据
在D
I
输入传送到Q
I
在输出
低到高的时钟跳变。当时钟使能
为高时，Q
I
输出不改变状态，
不管数据或时钟输入端的电压的。
输出控制。当
OE
输入为高电平时， YX
输出处于高阻抗状态。当
OE
输入为LOW时，真寄存器的数据存在于
YX输出。
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。没有端子电压可能超过
的Vcc以+ 0.5V ，除非另有说明。
2.输入只有Vcc的端子。
3.输出和仅I / O端子。
CP
Yx
EN
I
O
I
电容
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
(1)
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值。
6
8
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
注意：
1.此参数的测量是在表征，但未经测试。
OE
I
2
CP
Y
8
IDT54/74FCT823A/B/C
HIGH- PERFORMANCECMOSBUFFER
军用和商用温度范围
功能表
(1)
输入
OE
H
H
H
L
H
L
H
H
L
L
CLR
H
H
L
L
H
H
H
H
H
H
EN
L
L
X
X
H
H
L
L
L
L
Dx
L
H
X
X
X
X
L
H
L
H
CP
↑
↑
X
X
X
X
↑
↑
↑
↑
内部/
输出
Qx
Yx
L
Z
H
Z
L
Z
L
L
NC
Z
NC数控
L
Z
H
Z
L
L
H
H
功能
高Z
明确
HOLD
负载
注意：
1. H =高电压电平
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗
↑
=低到高的转变
直流电气在整个工作范围特性
下列条件适用，除非另有规定： V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
- 0.2V
商业：T已
A
= 0 ° C至+ 70 ° C，V
CC
= 5.0V ± 5 ％ ，军用：T已
A
= -55 ° C至+ 125°C ，V
CC
= 5.0V ±10%
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
I
OZH
I
OZL
V
IK
I
OS
V
OH
关闭状态（高阻）
输出电流
钳位二极管电压
短路电流
输出高电压
V
CC
=最大。
参数
输入高电平
输入低电平
输入高电流
V
CC
=最大。
输入低电平电流
测试条件
(1)
确保逻辑高电平
保证逻辑低电平
V
I
= V
CC
V
I
= 2.7V
V
I
= 0.5V
V
I
= GND
V
O
= V
CC
V
O
= 2.7V
V
O
= 0.5V
V
O
= GND
分钟。
2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–75
V
HC
V
HC
2.4
2.4
—
—
—
—
典型值。
(2)
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
–0.7
–120
V
CC
V
CC
4.3
4.3
GND
GND
0.3
0.3
马克斯。
—
0.8
5
5
(4)
–5
(4)
–5
10
10
(4)
–10
(4)
–10
–1.2
—
—
—
—
—
V
LC
V
LC
(4)
0.5
0.5
A
A
单位
V
V
V
CC
=最小值，我
IN
= -18mA
V
CC
=最大，V
O
= GND
(3)
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OH
= –32A
V
CC
=分钟
I
OH
= –300A
I
OH
= -15mA MIL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OH
= -24mA COM'L
V
CC
= 3V, V
IN
= V
LC
或V
HC
, I
OL
= 300A
V
CC
=分钟
I
OL
= 300A
I
OL
= 32毫安MIL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OL
= 48毫安COM'L
V
mA
V
V
OL
输出低电压
V
注意事项：
1.对于显示为最小值的条件。或最大，用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25°C的环境温度和最大负荷。
3.不能有多于一个的输出应在同一时间进行测试。该试验的持续时间应不超过一秒钟。
4.此参数是保证，但不ttested 。
3
IDT54/74FCT823A/B/C
HIGH- PERFORMANCECMOSBUFFER
军用和商用温度范围
电源特性
V
LC
= 0.2V; V
HC
= V
CC
- 0.2V
符号
I
CC
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
静态电源电流
TTL输入高电平
动态电源
当前
(4)
测试条件
(1)
V
CC
=最大。
V
IN
≥
V
HC
; V
IN
≤
V
LC
V
CC
=最大。
V
IN
= 3.4V
(3)
V
CC
=最大。
输出打开
OE
=
EN
= GND
一个输入切换
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
OE
=
EN
= GND
一位切换
在网络连接= 5MHz时，
占空比为50％
V
CC
=最大。
输出打开
f
CP
= 10MHz时
占空比为50％
OE
=
EN
= GND
在网络连接= 2.5MHz的
八位切换
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
分钟。
—
—
—
典型值。
(2)
0.2
0.5
0.15
马克斯。
1.5
2
0.25
单位
mA
mA
毫安/
兆赫
I
C
总电源电流
(6)
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
1.7
4
mA
—
2.2
6
V
IN
≥
V
HC
V
IN
≤
V
LC
（ FCT ）
V
IN
= 3.4V
V
IN
= GND
—
4
7.8
(5)
—
6.2
16.8
(5)
注意事项：
1.对于显示为最小值的条件。或最大，用在电气特性适用的设备类型指定适当的值。
2.典型值是在V
CC
= 5.0V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） 。所有其他输入在V
CC
或GND 。
4.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
5.值对这些条件的实例
I
CC
公式。这些限制保证，但未经测试。
6. I
C
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
I
C
= I
CC
+
I
CC
D
H
N
T
+ I
CCD
(f
CP
/ 2 + FINI ）
I
CC
·静态电流
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
= 3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
f
CP
=时钟频率为注册设备（零非注册设备）
F1 =输入频率
NI =输入数在网络
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
4
IDT54/74FCT823A/B/C
HIGH- PERFORMANCECMOSBUFFER
军用和商用温度范围
开关特性在工作范围
54/74FCT823A
Com'l 。
符号
t
PLH
t
PHL
参数
传播延迟
CP为YX （ OE = LOW ）
条件
(1)
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
C
L
= 300pF
(3)
R
L
= 500
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
C
L
= 300pF
(3)
R
L
= 500
C
L
= 5pF的
(3)
R
L
= 500
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
C
L
= 50pF的
R
L
= 500
分钟。
(2)
—
—
—
—
—
—
4
2
2
—
6
7
6
马克斯。
10
20
12
23
7
8
—
—
—
14
—
—
—
分钟。
(2)
—
—
—
—
—
—
4
2
2
—
7
7
7
米尔。
马克斯。
11.5
20
13
25
8
9
—
—
—
15
—
—
—
54FCT823B
米尔。
分钟。
(2)
马克斯。
—
8.5
—
—
—
—
—
3
1.5
0
—
6
6
6
16
9
16
7
8
—
—
—
9.5
—
—
—
74FCT823C
Com'l 。
分钟。
(2)
马克斯。
—
6
—
—
—
—
—
3
1.5
0
—
6
6
6
12.5
7
12.5
6.2
6.5
—
—
—
8
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
ns
t
PZH
t
PZL
输出使能时间，
OE
为YX
t
PHZ
t
PLZ
输出禁止时间，
OE
为YX
t
SU
t
H
t
H
t
PHL
t
REM
t
W
t
W
建立时间高或低，霉素为CP
建立时间高或低，
EN
到CP
保持时间高或低，霉素为CP
保持时间高或低，
EN
到CP
传播延迟，
CLR
为YX
恢复时间，
CLR
到CP
CP脉冲宽度高或低
CLR
脉冲宽度高或低
注意事项：
1.请参阅测试电路和波形。
2.最低限度的保证，但不是在传输延迟测试。
3.这些参数是保证，但未经测试。
5
QQ：2880707522 复制
